마그네트론 스퍼터링은 물리적 기상 증착(PVD) 기술입니다.
이 기술은 자기장을 사용하여 대상 물질의 이온화를 향상시킵니다.
이를 통해 기판 위에 박막을 증착할 수 있습니다.
마그네트론에서 스퍼터링의 메커니즘은 무엇인가요? (3가지 주요 단계 설명)
1. 가스 도입 및 플라즈마 형성
일반적으로 아르곤과 같은 불활성 가스를 고진공 챔버에 도입합니다.
대상 물질 근처에 위치한 마그네트론이 자기장을 생성합니다.
이 자기장은 전자를 표적 표면 근처에 가둡니다.
이 감금은 전자와 아르곤 원자 사이의 충돌 확률을 높입니다.
이러한 충돌로 인해 아르곤 이온과 자유 전자로 구성된 플라즈마가 형성됩니다.
2. 이온화 및 스퍼터링
타겟(음극)과 양극 사이에 높은 음의 전압이 가해집니다.
이 전압은 아르곤 가스를 이온화하여 플라즈마를 생성합니다.
양전하를 띤 아르곤 이온은 전기장에 의해 음전하를 띤 타겟 물질을 향해 가속됩니다.
이러한 고에너지 이온이 타겟과 충돌하면 타겟 표면의 원자가 진공 환경으로 방출되거나 "스퍼터링"됩니다.
3. 기판 위에 증착
대상 물질에서 방출된 원자는 진공을 통해 이동합니다.
이 원자들은 기판 표면에 증착되어 박막을 형성합니다.
이 공정은 균일하고 정밀한 증착을 보장하기 위해 제어됩니다.
마그네트론 스퍼터링은 광학 및 전기 목적의 금속 또는 절연 코팅 제작을 비롯한 다양한 응용 분야에 적합합니다.
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