관로

실험실 용광로는 하나의 고전적인 외부 가열 고온 용광로이며 고온 벽 가열로라고도합니다.

다른 작동 온도에 따라 퍼니스 튜브 재료는 일반적으로 투명한 석영 튜브, 고순도 알루미나 세라믹 튜브 및 고강도 금속 합금 튜브가 될 수 있습니다.

다양한 열 연구 목적을 충족하기 위해 튜브 퍼니스는 다중 가열 영역으로 설계되어 튜브 작업 챔버에서 온도 구배를 유연하게 제어할 수 있습니다. 용광로 튜브는 제어된 대기 작업 환경 또는 고진공 작업 환경에서 작동할 수 있습니다.

화학 기상 증착(CVD)은 가열, 플라즈마 여기 또는 빛 방사와 같은 다양한 에너지원을 사용하여 기상 또는 기체-고체 계면에서 기체 또는 증기 화학 물질을 화학적으로 반응시켜 반응기에서 고체 침전물을 형성하는 기술입니다. 화학 반응. 간단히 말해서 두 가지 이상의 기체 상태의 원료를 반응 챔버에 넣은 다음 서로 반응하여 새로운 물질을 형성하고 기판 표면에 증착합니다.

CVD로는 고온 관상로 장치, 가스 제어 장치 및 진공 장치가 있는 하나의 결합된로 시스템으로 복합 재료 준비, 마이크로 전자 공정, 반도체 광전자, 태양 에너지 이용, 광섬유 통신, 초전도체의 실험 및 생산에 널리 사용됩니다. 기술, 보호 코팅 분야.

관로 가열 요소는 원통형 캐비티 주변에 배치되며, 퍼니스는 간접 열 복사를 통해서만 원통형 캐비티의 샘플을 가열할 수 있습니다. 퍼니스 튜브는 샘플 재료가 퍼니스 가열 요소 및 단열재와 접촉하는 것을 방지할 수 있으므로 튜브 퍼니스는 깨끗한 절연을 생성합니다. 챔버를 가열하고 용광로에 의해 시료 물질이 오염될 위험을 줄입니다.

CVD로 시스템은 고온 튜브로 장치, 반응 가스 소스 정밀 제어 장치, 진공 펌프 스테이션 및 해당 조립 부품으로 구성됩니다.

진공 펌프는 반응 튜브에서 공기를 제거하고 반응 튜브 내부에 원치 않는 가스가 없는지 확인한 후 튜브 퍼니스가 반응 튜브를 목표 온도로 가열한 다음 반응 가스 소스 정밀 제어 장치가 다른 도입할 수 있음을 확인합니다. 화학 반응을 위해 로 튜브에 설정된 비율로 가스를 넣으면 화학 기상 증착이 CVD 로에서 형성됩니다.

CIP(Cold Isostatic Pressing)는 실온에서 정수압을 가하여 분말 및 기타 재료를 원하는 모양으로 압축하고 성형하는 데 사용되는 프로세스입니다. 이 공정은 물, 오일 또는 특수 유체와 같은 액체 압력 매체로 채워진 일반적으로 고무 또는 플라스틱으로 만들어진 유연한 금형을 사용하여 수행됩니다.

관로는 주로 야금, 유리, 열처리, 리튬 양극 및 음극 재료, 신 에너지, 연마재 및 기타 산업에 사용되며 특정 온도 조건에서 재료를 측정하는 전문 장비입니다.

관상로는 간단한 구조, 쉬운 작동, 쉬운 제어 및 연속 생산을 특징으로 합니다.

관상로는 또한 CVD(화학 기상 증착) 및 플라즈마 강화 CVD 시스템에 널리 적용됩니다.

CVD 공정에는 엄청난 가스 소스가 사용될 수 있으며 CVD의 일반적인 화학 반응에는 열분해, 광분해, 환원, 산화, 산화 환원이 포함되므로 이러한 화학 반응에 관련된 가스를 CVD 공정에서 사용할 수 있습니다.

CVD 그래핀 성장을 예로 들면 CVD 공정에 사용되는 가스는 CH4,H2,O2 및 N2입니다.

압력 반응기 내부의 압력 증가는 다양한 수단을 통해 달성할 수 있습니다. 한 가지 일반적인 방법은 온도와 압력이 비례적으로 증가하여 반응 동역학에 영향을 미치는 밀폐된 압력 용기를 가열하는 것입니다. 또는 용기 내부에서 발생하는 반응이 압력을 유발할 수 있으며 교반이 이 과정을 가속화할 수 있습니다.

가열이 부적절하거나 압력이 충분하지 않은 상황에서는 컴프레서 또는 불활성 가스의 사전 압축 캐니스터와 같은 압축 가스 소스를 사용하여 수동 가압이 가능합니다.

압력 반응기는 압력 릴리프 밸브를 사용하여 압력을 안전하게 조절하고 유지하며 안정적이고 안전한 작동을 강조합니다.

관상로는 다양한 기계적 기능과 원활하게 작동할 수 있으므로 실험 목적에 따라 다양한 유형의 관상로 변형이 있으며 일반적인 용광로는 다음과 같습니다.

• 수평 튜브로
• 수직 튜브로
• 분할 튜브로
• 회전식 튜브로
• 틸팅 튜브로
• 슬라이딩 튜브로
• 빠른 가열 및 냉각 튜브 퍼니스
• 연속 공급 및 방전 관로

• 필요에 따라 금속막, 비금속막, 다성분 합금막 등 다양한 피막을 생산할 수 있습니다. 동시에 GaN, BP 등 다른 방법으로는 얻기 힘든 고품질 결정을 제조할 수 있다.
• 필름 형성 속도는 빠르며 일반적으로 분당 수 미크론 또는 분당 수백 미크론입니다. LPE(액상 에피택시) 및 MBE(분자선 에피택시)와 같은 다른 필름 제조 방법과 비교할 수 없는 균일한 조성으로 많은 양의 코팅을 동시에 증착할 수 있습니다.
• 작업 조건은 상압 또는 저진공 조건에서 수행되므로 코팅은 회절이 좋으며 복잡한 형상의 작업물을 균일하게 코팅할 수 있어 PVD보다 훨씬 우수합니다.
• 반응 기체, 반응 생성물 및 기질의 상호 확산으로 인해 내마모성 및 부식 방지 필름과 같은 표면 강화 필름을 제조하는 데 중요한 접착 강도가 우수한 코팅을 얻을 수 있습니다.
• 일부 필름은 필름 재료의 녹는점보다 훨씬 낮은 온도에서 성장합니다. 저온 성장 조건에서는 반응 가스와 반응기 벽 및 그 안에 포함된 불순물이 거의 반응하지 않아 순도가 높고 결정성이 좋은 막을 얻을 수 있다.
• 화학 기상 증착은 매끄러운 증착 표면을 얻을 수 있습니다. 이는 LPE와 비교하여 화학적 기상 증착(CVD)이 고포화 상태에서 수행되어 높은 핵 생성 속도, 높은 핵 생성 밀도 및 전체 평면에 균일한 분포로 인해 거시적으로 매끄러운 표면을 생성하기 때문입니다. 동시에 화학 기상 증착에서 분자(원자)의 평균 자유 경로는 LPE보다 훨씬 크므로 분자의 공간 분포가 더 균일하여 매끄러운 증착 표면을 형성하는 데 도움이 됩니다.
• MOS(금속산화물반도체) 및 기타 소자 제조에 필요한 조건인 낮은 Radiation Damage

• 높은 성형 강도: 성형된 재료를 성형 상태로 가공하는 것이 더 가능해집니다.
• 압착이 어려운 재료: 물, 윤활제 또는 결합제 없이 분말에 등방 압착을 수행할 수 있어 더 다양한 재료에 적용할 수 있습니다.
• 높은 다짐과 균일한 밀도로 인해 소결 중 예측 가능한 수축이 달성됩니다.
• 크고 복잡하며 그물에 가까운 모양을 만들 수 있기 때문에 후처리에서 시간과 비용을 절약할 수 있습니다.
• 밀도가 균일한 대형 종횡비 부품을 생산할 수 있어 품질이 향상됩니다.
• Green Strength는 효율적인 공정 내 취급 및 처리를 가능하게 하여 생산 비용을 절감합니다.

CIP(Cold Isostatic Press)는 분말 및 기타 재료를 원하는 모양으로 압축하고 성형하는 데 사용되는 기계입니다.

이 공정은 일반적으로 고무나 플라스틱으로 만들어진 유연한 주형을 물, 기름 또는 특수 유체와 같은 액체 압력 매체로 채우는 방식으로 작동합니다. 그런 다음 이 금형을 밀폐된 용기에 넣고 각 표면에 동일한 압력을 가하여 고압 환경을 만듭니다.

압력을 가하면 제품의 밀도가 증가하고 원하는 모양을 얻을 수 있습니다.

고온에서 수행되는 열간 정수압 압축과 달리 냉간 정수압 압축은 실온에서 수행됩니다.

PECVD는 플라즈마를 이용하여 반응 가스를 활성화하고 기판 표면 또는 표면 공간 근처에서 화학 반응을 촉진하여 고체 막을 생성하는 기술입니다. 플라즈마 화학 기상 증착 기술의 기본 원리는 RF 또는 DC 전기장의 작용하에 소스 가스가 이온화되어 플라즈마를 형성하고 저온 플라즈마를 에너지 원으로 사용하고 적절한 양의 반응 가스가 플라즈마 방전을 이용하여 반응가스를 활성화시켜 화학기상증착을 구현한다.

플라즈마를 발생시키는 방법에 따라 RF 플라즈마, DC 플라즈마 및 마이크로파 플라즈마 CVD 등으로 나눌 수 있습니다.

Cold Isostatic Pressing은 세라믹 분말의 압밀, 흑연 압축, 내화 재료 및 전기 절연체뿐만 아니라 치과 및 의료용 파인 세라믹 생산을 포함한 다양한 응용 분야에 널리 사용됩니다.

이 기술은 또한 프레스 스퍼터링 타겟, 실린더 헤드의 마모를 줄이기 위한 엔진의 코팅 밸브 부품, 통신, 전자, 항공 우주 및 자동차 산업과 같은 새로운 분야로 진출하고 있습니다.

PECVD와 기존 CVD 기술의 차이점은 플라즈마가 화학 기상 증착 공정에 필요한 활성화 에너지를 제공할 수 있는 많은 수의 고에너지 전자를 포함하여 반응 시스템의 에너지 공급 모드를 변경한다는 것입니다. 플라즈마의 전자 온도는 10000K만큼 높기 때문에 전자와 가스 분자 간의 충돌은 반응 가스 분자의 화학 결합 파괴 및 재결합을 촉진하여 더 많은 활성 화학 그룹을 생성하는 반면 전체 반응 시스템은 더 낮은 온도를 유지합니다.

따라서 CVD 공정에 비해 PECVD는 더 낮은 온도에서 동일한 화학 기상 증착 공정을 수행할 수 있습니다.

냉간 등압 장비의 마모 부품은 주로 다양한 유형의 씰 링, 밸브 코어 및 밸브 시트와 같은 다양한 씰입니다.

고객이 프로세스를 실험하거나 검증할 수 있도록 다양한 표준 금형 모양을 제공합니다. 요청 시 맞춤형 금형 설계 서비스도 제공됩니다.