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화학 기상 증착(Chemical Vapor Deposition, CVD)은 기체 반응물을 사용하여 고품질의 박막 및 코팅을 생성하는 코팅 공정입니다. 이 프로세스는 반응 챔버에 하나 이상의 휘발성 전구체를 도입하여 기판 표면에서 가열 및 분해하는 것을 포함합니다. 이 반응의 화학적 부산물은 반응하지 않은 전구체와 함께 챔버에서 방출됩니다.
PECVD는 Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition의 약자입니다. 반도체 산업에서 실리콘 웨이퍼와 같은 기판 위에 다양한 물질의 박막을 증착하는데 사용되는 공정이다. 이 프로세스는 가스 혼합물을 챔버에 도입한 다음 플라즈마에 의해 분해되어 기판에 증착되어 박막을 형성하는 반응성 종을 형성하는 것을 포함합니다. PECVD는 일반적으로 이산화규소 및 질화규소와 같은 물질을 증착하는 데 사용됩니다.
품목 번호: KT-CTF12
품목 번호: KT-CTF14
품목 번호: KT-MTF
품목 번호: KT-VTF
품목 번호: GF-09
품목 번호: KT-VA
CVD의 주요 이점 중 하나는 증착된 재료의 구성과 특성을 매우 정밀하게 제어하여 고품질 필름을 증착할 수 있다는 것입니다. 또한 순도가 매우 높고 기재에 대한 접착력이 우수한 코팅을 생산할 수 있습니다. 또한 CVD는 넓은 면적에 우수한 균일성으로 필름을 증착하는 데 사용할 수 있어 대규모 장치 및 부품 생산에 사용하기에 적합합니다.
가스를 반응물로 사용하는 것은 화학 기상 증착(CVD) 공정의 주요 이점입니다. 반응물이 기체이기 때문에 CVD는 가시선 공정이 아니므로 반응 기체가 직접 볼 수 없는 표면을 코팅할 수 있습니다. 따라서 CVD는 복잡하거나 도달하기 어려운 표면을 코팅하는 데 특히 유용합니다.
접근이 제한된 표면을 코팅하는 능력 외에도 CVD는 다른 증착 공정에 비해 다른 많은 이점을 제공합니다. 여기에는 금속, 합금 및 세라믹을 포함한 광범위한 코팅 재료를 증착하는 기능과 매우 낮은 다공성 및 고순도로 코팅을 생성하는 기능이 포함됩니다. CVD는 많은 부품을 대량으로 동시에 코팅할 수 있기 때문에 경제적인 생산 공정이기도 합니다. 이러한 특성으로 인해 CVD는 다양한 산업 분야의 광범위한 응용 분야에서 매력적인 옵션입니다.
박막 증착 방법으로 화학 기상 증착(CVD)을 사용하면 몇 가지 이점이 있습니다. CVD의 주요 이점 중 일부는 다음과 같습니다.
다양한 산업 분야에서 화학 기상 증착(CVD)에 대한 많은 응용 분야가 있습니다. CVD의 주요 응용 분야 중 일부는 다음과 같습니다.
화학 기상 증착(CVD)은 가열, 플라즈마 여기 또는 빛 방사와 같은 다양한 에너지원을 사용하여 기상 또는 기체-고체 계면에서 기체 또는 증기 화학 물질을 화학적으로 반응시켜 반응기에서 고체 침전물을 형성하는 기술입니다. 화학 반응. 간단히 말해서 두 가지 이상의 기체 상태의 원료를 반응 챔버에 넣은 다음 서로 반응하여 새로운 물질을 형성하고 기판 표면에 증착합니다.
CVD로는 고온 관상로 장치, 가스 제어 장치 및 진공 장치가 있는 하나의 결합된로 시스템으로 복합 재료 준비, 마이크로 전자 공정, 반도체 광전자, 태양 에너지 이용, 광섬유 통신, 초전도체의 실험 및 생산에 널리 사용됩니다. 기술, 보호 코팅 분야.
CVD로 시스템은 고온 튜브로 장치, 반응 가스 소스 정밀 제어 장치, 진공 펌프 스테이션 및 해당 조립 부품으로 구성됩니다.
진공 펌프는 반응 튜브에서 공기를 제거하고 반응 튜브 내부에 원치 않는 가스가 없는지 확인한 후 튜브 퍼니스가 반응 튜브를 목표 온도로 가열한 다음 반응 가스 소스 정밀 제어 장치가 다른 도입할 수 있음을 확인합니다. 화학 반응을 위해 로 튜브에 설정된 비율로 가스를 넣으면 화학 기상 증착이 CVD 로에서 형성됩니다.
CVD 공정에는 엄청난 가스 소스가 사용될 수 있으며 CVD의 일반적인 화학 반응에는 열분해, 광분해, 환원, 산화, 산화 환원이 포함되므로 이러한 화학 반응에 관련된 가스를 CVD 공정에서 사용할 수 있습니다.
CVD 그래핀 성장을 예로 들면 CVD 공정에 사용되는 가스는 CH4,H2,O2 및 N2입니다.
PECVD는 플라즈마를 이용하여 반응 가스를 활성화하고 기판 표면 또는 표면 공간 근처에서 화학 반응을 촉진하여 고체 막을 생성하는 기술입니다. 플라즈마 화학 기상 증착 기술의 기본 원리는 RF 또는 DC 전기장의 작용하에 소스 가스가 이온화되어 플라즈마를 형성하고 저온 플라즈마를 에너지 원으로 사용하고 적절한 양의 반응 가스가 플라즈마 방전을 이용하여 반응가스를 활성화시켜 화학기상증착을 구현한다.
플라즈마를 발생시키는 방법에 따라 RF 플라즈마, DC 플라즈마 및 마이크로파 플라즈마 CVD 등으로 나눌 수 있습니다.
PECVD와 기존 CVD 기술의 차이점은 플라즈마가 화학 기상 증착 공정에 필요한 활성화 에너지를 제공할 수 있는 많은 수의 고에너지 전자를 포함하여 반응 시스템의 에너지 공급 모드를 변경한다는 것입니다. 플라즈마의 전자 온도는 10000K만큼 높기 때문에 전자와 가스 분자 간의 충돌은 반응 가스 분자의 화학 결합 파괴 및 재결합을 촉진하여 더 많은 활성 화학 그룹을 생성하는 반면 전체 반응 시스템은 더 낮은 온도를 유지합니다.
따라서 CVD 공정에 비해 PECVD는 더 낮은 온도에서 동일한 화학 기상 증착 공정을 수행할 수 있습니다.
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