스퍼터링 공정에서 스퍼터링 이온의 전류는 인가되는 전압과 사용되는 스퍼터링 기술의 유형에 따라 결정됩니다. DC 다이오드 스퍼터링에서는 500~1000V의 DC 전압이 적용되어 타겟과 기판 사이에 아르곤 저압 플라즈마를 점화합니다. 그러면 이 전압으로 인해 양이온 아르곤 이온이 타겟을 향해 가속되어 원자가 타겟에서 방출되어 기판 위에 증착됩니다.
RF 스퍼터링에서는 약 14MHz의 주파수를 가진 교류가 사용됩니다. 이를 통해 전자가 가속되어 RF와 함께 진동하는 반면, 더 무거운 이온은 RF 시스템에서 생성된 평균 전압에만 반응하기 때문에 절연 재료의 스퍼터링이 가능합니다. 이온은 타겟으로 가속하는 자체 바이어스 전압(VDC)의 영향을 받으며, 이는 DC 스퍼터링 중에 적용되는 등가 전압에 가까워집니다.
스퍼터링 이온의 전류는 적용되는 전압 및 사용되는 스퍼터링 기술 유형과 직접적인 관련이 있습니다. DC 다이오드 스퍼터링에서 전류는 500~1000V DC 전압에 의해 결정되는 반면, RF 스퍼터링에서는 이온을 타겟으로 가속하는 자체 바이어스 전압(VDC)에 의해 전류가 결정됩니다.
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