실리콘 카바이드(SiC)의 저항률은 0.1옴-cm 미만이며, 특히 저저항 CVD(화학 기상 증착) 실리콘 카바이드의 경우 더욱 그렇습니다. 이러한 낮은 저항은 반도체 제조 및 기타 고온, 고응력 환경의 다양한 애플리케이션에 대한 적합성을 높이는 핵심 특성입니다.
실리콘 카바이드의 저항률에 대한 설명:
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재료 구성 및 구조: 실리콘 카바이드는 탄소와 실리콘 원자가 결정 격자에서 강한 결합을 이루는 사면체로 구성되어 있습니다. 이 구조는 SiC를 매우 단단하고 강하게 만들 뿐만 아니라 전기적 특성에도 영향을 미칩니다. 강한 공유 결합은 전하 캐리어가 물질을 통해 이동하는 것을 용이하게 하기 때문에 낮은 저항률에 기여합니다.
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전기 전도도: SiC의 낮은 저항률은 전기 전도도와 직접적인 관련이 있습니다. 제공된 참조의 맥락에서 저저항 SiC는 벌크 저항이 0.1옴-cm 미만인 것으로 설명됩니다. 이 수준의 저항은 SiC가 상당히 우수한 전기 전도성이며, 이는 전기 전도성이 필수적인 웨이퍼 처리 챔버, 히터 및 정전기 척에 적용하는 데 매우 중요하다는 것을 나타냅니다.
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애플리케이션 및 이점: SiC는 저항률이 낮기 때문에 전기 전도성, 내마모성, 열충격 저항성이 필요한 환경에서 사용하기에 이상적입니다. 예를 들어 반도체 제조에서 SiC는 감응기, 처리 챔버, 가스 분배판 등에 사용됩니다. 전기를 효율적으로 전도하는 능력은 웨이퍼에 에너지를 제어하고 분배하는 데 도움을 주어 증착 및 식각 공정의 정밀도와 효율성을 향상시킵니다.
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열 및 화학적 특성: SiC는 전기적 특성 외에도 높은 열전도율(120~270W/mK), 낮은 열팽창, 높은 열충격 저항성을 나타냅니다. 이러한 특성은 고온에서의 화학적 불활성 및 강도 유지와 결합되어 SiC를 고온 애플리케이션에 다용도로 사용할 수 있는 재료로 만듭니다. 고온에서 형성되는 보호 실리콘 산화물 코팅은 내구성과 화학적 공격에 대한 저항성을 더욱 향상시킵니다.
요약하면 탄화규소의 저항성, 특히 낮은 저항성 형태는 하이테크 산업에서 광범위하게 사용되는 데 기여하는 중요한 요소입니다. 낮은 저항률과 기계적 및 열적 특성이 결합된 SiC는 전기 전도성과 고온에서의 내구성이 모두 요구되는 첨단 기술 응용 분야에서 선택되는 소재입니다.
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