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고온 관상로 및 반도체 공정용 고순도 용융 석영 보트

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고온 관상로 및 반도체 공정용 고순도 용융 석영 보트

품목 번호 : KT-SYP

가격은 다음을 기준으로 달라집니다 사양 및 사용자 정의


소재 순도
≥ 99.99% 융합 석영 (SiO2)
최대 작동 온도
1200°C 연속 / 1300°C 피크
열팽창 계수
5.5 × 10⁻⁷ /°C (20°C ~ 1000°C)
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제품 개요

Product image 1

이 고순도 용융 석영 보트는 고온 실험실용 관상로, 반도체 공정 장비 및 화학 기상 증착(CVD) 반응기를 위한 초청정, 열적으로 안정한 시료 용기를 제공하도록 설계되었습니다. 프리미엄 반도체 급 용융 실리카로 제작된 이 용기는 급격한 가열 및 냉각 주기 동안 뛰어난 광학적 투명성, 구조적 무결성, 그리고 열 응력에 대한 저항성을 제공합니다.

주로 반도체 제조, 태양광 발전 제조, 첨단 야금, 배터리 소재 소성, 합성 화학 연구 등 다양한 분야에서 활용되는 이 캐리어는 까다로운 노(furnace) 분위기에서 탁월한 성능을 발휘합니다. 다공성이 없는 유리질 구조는 공정 가스 흡수를 방지하고 불활성 시료 격리를 보장하므로 열산화, 결정 성장, 분말 소결, 촉매 증기 반응에 이상적인 용기입니다.

정밀한 치수 공차와 깔끔하게 화재 연마된 가장자리로 제조된 이 연소 용기는 일상적인 열 테스트와 지속적인 산업 생산 모두에서 신뢰할 수 있는 성능을 보장합니다. 초저수준의 미량 원소 프로파일은 교차 오염의 위험을 제거하여 연구실과 산업용 클린룸이 극도로 까다로운 온도 구배 하에서 재현 가능하고 신뢰할 수 있는 실험 결과를 얻을 수 있도록 합니다.

주요 특징

  • 초고순도 화학적 순도: 99.99% 반도체 급 용융 실리카로 제작되어 민감한 소성, 열 환원, 반도체 도핑 공정 중 원소 용출 및 교차 오염을 방지합니다.
  • 우수한 열충격 저항성: 5.5 × 10⁻⁷ /°C의 예외적으로 낮은 열팽창 징수를 자랑하며, 파손, 미세 균열 또는 뒤틀림 없이 극한의 온도 구배 및 빠른 노 투입/추출 주기를 견뎌냅니다.
  • 뛰어난 연속 작동 범위: 최대 1200°C의 지속적인 작동과 최대 1300°C의 단기 열 엑스커션을 위해 설계되었으며, 강도 높은 열 하중 하에서도 구조적 강성과 기계적 안정성을 유지합니다.
  • 광범위한 화학적 및 산성 불활성: 비반응성 유리질 표면은 일반적인 부식성 산, 유기 용제 및 중성 할로겐에 대해 완전한 저항성을 나타내어 화학적 열화 없이 일관된 기판 격리를 보장합니다.
  • 정밀 화재 연마 가장자리: 부드럽게 마감된 테두리 및 매끄러운 전이 구역은 기계적 응력 집중을 최소화하고, 수동 또는 로봇 취급 시 구조적 탄력성을 향상시키며, 클린룸 시설 내 입자 탈락을 방지합니다.
  • 낮은 가스 흡착 및 유리질 밀도: 완전히 조밀하고 다공성이 없는 석영 매트릭스는 대기 가스 흡수나 수분 유지를 방지하여 저압 관상로 및 밀폐형 반응기에서 진공 무결성을 보호합니다.
  • 최적화된 열전달 균일성: 바닥과 측면 벽 전체에 걸쳐 균일한 두께를 유지하여 담지된 분말, 전구체 및 웨이퍼에 신뢰성 있고 균일한 열전도를 보장하며, 열 공정 중 국부적인 핫스팟을 완화합니다.
  • 맞춤형 구조 구성: 평평한 바닥, 둥근 바닥, 손잡이 장착 및 다중 슬롯 형상으로 제공되어 다양한 도가니 집게, 푸시 로드, 기판 형상 및 자동 로딩 메커니즘을 완벽하게 수용합니다.

응용 분야

응용 분야 설명 주요 이점
반도체 웨이퍼 확산 및 도핑 고온 도펀트 드라이브인 및 산화 루틴 동안 수평 석영 공정 튜브 내부에 실리콘 및 화합물 반도체 기판을 보관합니다. 초저 알칼리 금속 및 전이 금속 농도로 웨이퍼 오염을 제거하고 소수 캐리어 수명을 보존합니다.
화학 기상 증착 (CVD 및 PECVD) 그래핀, 탄소 나노튜브 합성, 2차원 전이금속 디칼코게나이드 성장 및 박막 코팅을 위한 안정적인 기판 및 전구체 용기로 작용합니다. 가스 방출이나 원치 않는 부반응 촉진 없이 반응성 전구체 가스와 고온 조건을 견뎌냅니다.
리튬 이온 배터리 소재 소성 고온 대기 또는 진공 열 베이킹 중 활성 양극 분말, 고체 전해질 및 음극 전구체를 담습니다. 철, 나트륨 및 중금속 교차 오염을 방지하여 깨끗한 전기화학적 용량 및 사이클링 안정성을 보장합니다.
고온 분말 야금 및 소결 제어된 수소, 아르곤 또는 진공 분위기 하에서 환원로를 통해 금속, 세라믹 및 복합 분말 성형체를 운반합니다. 금속 용융물 및 소결 세라믹과 접착되거나 화학적으로 결합하지 않고 열 하중 하에서 평탄성을 유지합니다.
형광체 및 광학 결정 합성 장기간 열처리(soaking)를 거치는 희토류 도핑 발광 형광체, 레이저 결정 및 섬광 소재의 반응 챔버 역할을 합니다. 높은 광투과율과 불활성 반응 경계는 변색을 방지하고 최적의 발광 양자 효율을 보존합니다.
분석용 회화(Ashing) 및 연소 분석 고온 연소 및 중량법 잔류물 측정 중 유기, 환경 및 지질학적 시료를 수용합니다. 열 순환 하에서의 완전한 치수 안정성과 질량 불변성은 정확한 분석 측정 정확도를 보장합니다.
귀금속 정련 및 파이로야금 열 정제, 할로겐화 및 플럭스 보조 제련 반응 중 금, 백금족 금속 및 고순도 촉매를 수용합니다. 산축응물 및 공격적인 야금 플럭스에 저항하여 용기 열화 없이 최대 귀금속 회수율을 보장합니다.
촉매 기체-고체 불균일 반응 고온에서 지속적으로 흐르는 반응 가스에 노출된 관형 반응기 내에 충전된 촉매 펠릿 및 다공성 반응물 베드를 수용합니다. 다공성이 없는 유리질 벽은 우회 누출이나 촉매 표면 비활성화 없이 가스 스트림을 채널링합니다.

기술 사양

치수 구성

KT-SYP 시리즈는 일반적인 공정 튜브 직경 및 가열 구역 프로필에 맞추어 설계된 표준화된 연소 및 캐리어 보트 제품군을 제공합니다. 요청 시 맞춤형 치수, 특수 칸막이 벽 및 슬롯형 웨이퍼 보트를 이용할 수 있습니다.

모델 식별자 외측 길이 (mm) 외측 폭 (mm) 외측 높이 (mm) 벽 두께 (mm) 사용 가능 용량 (mL) 손잡이 구성
KT-SYP-50 50 ± 1.0 20 ± 0.5 15 ± 0.5 2.0 ± 0.2 10 플랫 림 / 림리스
KT-SYP-80 80 ± 1.0 25 ± 0.5 18 ± 0.5 2.0 ± 0.2 25 일체형 석영 후크
KT-SYP-100 100 ± 1.5 30 ± 0.8 20 ± 0.8 2.5 ± 0.3 45 일체형 석영 후크
KT-SYP-120 120 ± 1.5 35 ± 0.8 22 ± 0.8 2.5 ± 0.3 70 일체형 석영 후크
KT-SYP-150 150 ± 2.0 40 ± 1.0 25 ± 1.0 2.5 ± 0.3 115 일체형 엔드 루프
KT-SYP-200 200 ± 2.0 50 ± 1.0 30 ± 1.0 3.0 ± 0.3 220 듀얼 엔드 핸들
KT-SYP-SLOT 120 ± 1.5 40 ± 1.0 30 ± 1.0 2.5 ± 0.3 사용자 정의 다중 슬롯 웨이퍼 캐리어 (10–25개 기판)

물리적 및 열적 소재 특성

모든 KT-SYP 석영 용기는 합성 및 고순도 천연 석영 모래로 생산되며 반복적인 열 순환 과정 전체에서 일관된 물리적 지표를 나타냅니다.

속성 사양 공칭 수치 값 시험 표준 / 작동 조건
이산화규소 (SiO2) 순도 ≥ 99.99% 화학 분석 및 방출 분광법
연속 작동 온도 1150°C ~ 1200°C 산화성, 불활성 또는 진공 노(furnace) 환경
최대 단기 작동 한계 1300°C 간헐적 열 피크 (지속 시간 ≤ 30분)
연화점 ~1680°C ASTM C338 표준 시험법
어닐링점 ~1210°C ASTM C336 표준 시험법
변형점 ~1120°C ASTM C336 표준 시험법
열팽창 계수 (CTE) 5.5 × 10⁻⁷ /°C dilatometric 측정 (20°C ~ 1000°C)
벌크 밀도 2.20 g/cm³ 20°C에서의 표준 피크노메트리
모스 경도 6.5 – 7.0 스크래치 경도 척도
압축 강도 1100 MPa 상온 압축 파괴 테스트
휨 인장 강도 48 MPa 삼점 휨 검증
유전율 3.75 1 MHz, 20°C에서의 정전용량법
광학 투과 대역폭 190 nm ~ 2500 nm 가시광선 영역에서 > 90% 투과율
수산기 (OH⁻) 농도 < 15 ppm 저OH 합성 등급 옵션 제공 (< 5 ppm)

화학적 순도 및 미량 원소 불순물 한계

클린룸 및 반도체 응용 분야에 대한 적합성을 보장하기 위해, 미량의 금속 불순물은 ppm(백만분의 일)의 세부 임계값 내에서 엄격하게 제어됩니다.

원소 기호 최대 임계값 (ppm) 원소 영향 분석
알루미늄 (Al) ≤ 14.0 망상 형성 성분; 높은 점도를 유지하도록 제한됨
철 (Fe) ≤ 0.8 열 변색 및 탈유리화 핵생성을 제거하기 위해 억제됨
칼슘 (Ca) ≤ 0.6 고온에서 알칼리 토금속 표면 결정화를 방지하도록 제어됨
마그네슘 (Mg) ≤ 0.3 장시간 열처리 중 플럭싱 상호작용을 방지하기 위해 최소한으로 유지됨
나트륨 (Na) ≤ 1.0 실리콘 웨이퍼로의 모바일 이온 확산을 제거하기 위한 임계 제어 한계
칼륨 (K) ≤ 0.8 관상로 라인에서 기상 알칼리 이동을 방지하도록 제어됨
티타늄 (Ti) ≤ 1.1 높은 자외선-가시광선 광학 투과율을 유지하도록 제한됨
구리 (Cu) ≤ 0.1 반도체 소수 캐리어 수명을 보존하기 위해 엄격하게 제한됨
니켈 (Ni) ≤ 0.1 합성 공정에서 금속 촉매 미세 포함물을 방지하기 위해 억제됨

대기 및 화학적 호환성 프로필

공정 분위기 / 화학 약품 호환성 평가 작동 지침 및 경계 조건
불활성 가스 (Ar, N2, He) 완전 호환 최대 1200°C 연속 작동 범위 전체에서 안정적임
고진공 (< 10⁻⁵ mbar) 완전 호환 가스 방출 무시할 수준; 구조적 변형을 피하기 위해 1150°C 이하 유지
산화성 환경 (공기, O2) 완전 호환 화학적으로 불활성; 최대 1200°C에서 회화, 산화 및 소성에 이상적임
환원 분위기 (H2, 포밍 가스) 조건부 호환 최대 1100°C에서 안전함; 환원을 방지하기 위해 순수 건조 수소에서 1150°C 초과 금지
농축 불화수소산 (HF) 비호환 이산화규소와 쉽게 반응함; 모든 HF 용액과의 접촉을 피할 것
고온 농축 인산 비호환 150°C 이상의 온도에서 표면 에칭을 가속화함
알칼리 용액 (NaOH, KOH) 조건부 사용 상온에서 견딤; 80°C 이상에서 급격한 화학적 용해 발생

이 제품을 선택해야 하는 이유

  • 반도체 급 순도 및 미량 원소 제어: 99.99%를 초과하는 순도의 합성 및 천연 용융 석영으로 엄격하게 제작된 이 용기는 알칼리 금속 및 전이 원소에 대한 완전한 격리를 보장하여 중요한 기판을 오염으로부터 보호합니다.
  • 타협 없는 온도 구배 및 충격 허용 오차: 제로에 가까운 열팽창 계수로 설계되어 미세 균열이나 치명적인 기계적 고장 없이 빠른 온도 램프 및 급격한 노 로딩 또는 언로딩을 허용합니다.
  • 정밀한 치수 균일성 및 화재 연마 무결성: 컴퓨터 제어 열 성형 및 정밀 화재 연마를 통해 균일한 벽 두께와 강화된 응력 없는 가장자리를 구현하여 서비스 수명을 연장하고 부드러운 로봇 통합을 용이하게 합니다.
  • 다양한 맞춤화 및 엔지니어링 형상: 특수 웨이퍼 유지 슬롯, 일체형 풀링, 가스 유도 석영 배플 또는 맞춤형 길이가 필요하든 관계없이 맞춤형 구성이 정확한 공차로 신속하게 프로토타이핑되고 제조됩니다.
  • 포괄적인 품질 보증 및 클린룸 표준: 모든 유닛은 엄격한 분광 불순물 검증, 치수 좌표 검사 및 초음파 클린룸 포장을 거쳐 까다로운 실험실 및 산업 공정에서 즉시 사용할 수 있도록 보장합니다.

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