실리콘 질화물 PECVD는 실리콘 웨이퍼에 실리콘 질화물 박막을 증착하는 데 사용되는 공정입니다.
이 기술은 반도체 소자 제조, 집적 회로, 태양 전지 제조 등 다양한 분야에서 널리 사용됩니다.
PECVD를 사용하면 다른 화학 기상 증착(CVD) 방법에 비해 낮은 온도에서 고품질의 균일하고 재현 가능한 실리콘 질화물 층을 증착할 수 있습니다.
실리콘 질화물 PECVD의 공정은 어떻게 되나요? (4가지 주요 단계 설명)
1. 반응물 준비
실리콘 질화물의 증착에는 일반적으로 실란(SiH4)과 암모니아(NH3) 또는 질소(N2)를 전구체 가스로 사용합니다.
이러한 가스는 플라즈마 조건에서 반응하여 실리콘 질화물을 형성하는 PECVD 반응기에 도입됩니다.
2. 플라즈마 활성화
PECVD 반응기에서는 RF(무선 주파수) 필드를 적용하여 플라즈마를 생성합니다.
이 플라즈마는 전구체 가스를 여기시키고 이온화하여 화학 반응성을 향상시키고 더 낮은 온도에서 증착이 이루어질 수 있도록 합니다.
3. 증착
플라즈마에서 활성화된 종은 반응하여 실리콘 웨이퍼 표면에 박막으로 증착되는 실리콘 질화물을 형성합니다.
압력, 온도, 플라즈마 출력 등의 조건을 세심하게 제어하여 화학량론, 응력, 균일성 등 박막의 특성을 최적화합니다.
4. 증착 후 처리
증착 후 실리콘 질화물 필름은 특성을 향상시키거나 디바이스 구조에 통합하기 위해 추가 처리 또는 공정을 거칠 수 있습니다.
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