CVD 및 PECVD 전기로
플라즈마 강화 증발 증착 PECVD 코팅기
품목 번호 : KT-PED
가격은 다음을 기준으로 달라집니다 사양 및 사용자 정의
- 샘플 홀더 가열 온도
- ≤800℃
- 가스 퍼지 채널
- 4채널
- 진공 챔버 챔버 크기
- Φ500mm × 550mm
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애플리케이션
PECVD 코팅 장비는 증착의 화학 반응을 촉진하기 위해 플라즈마를 사용하므로 기상 화학 증착은 낮은 온도에서 고품질의 고체 필름을 형성할 수 있습니다.
PECVD 코팅 장비의 응용 분야는 주로 LED 조명, 전력 반도체, MEMS 등입니다. SiO2(SiH4, TEOS), SiNx, SiOxNy 및 기타 매체 필름의 증착 및 SiO 후막의 고속 증착에 적합합니다. PSS 복합 기판에.
기술 사양
| 샘플 홀더 | 크기 | 1-6인치 |
| 회전 속도 | 0-20rpm 조절 가능 | |
| 가열 온도 | ≤800℃ | |
| 제어 정확도 | ±0.5℃ SHIMADEN PID 컨트롤러 | |
| 가스 퍼지 | 유량계 | 질량 유량계 컨트롤러(MFC) |
| 채널 | 4채널 | |
| 냉각 방식 | 순환 수냉식 | |
| 진공 챔버 | 챔버 크기 | Φ500mm X 550mm |
| 전망대 | 배플이 있는 풀 뷰 포트 | |
| 챔버 재질 | 316 스테인레스 스틸 | |
| 문 유형 | 전면 개방형 도어 | |
| 캡 재질 | 304 스테인레스 스틸 | |
| 진공 펌프 포트 | CF200 플랜지 | |
| 가스 입구 포트 | φ6 VCR 커넥터 | |
| 플라즈마 파워 | 소스 전원 | DC 전원 또는 RF 전원 |
| 커플링 모드 | 유도 결합 또는 플레이트 용량성 | |
| 출력 파워 | 500W~1000W | |
| 바이어스 전력 | 500v | |
| 진공 펌프 | 사전 펌프 | 15L/S 바람개비 진공 펌프 |
| 터보 펌프 포트 | CF150/CF200 620L/S-1600L/S | |
| 릴리프 포트 | KF25 | |
| 펌프 속도 | 바람개비 펌프: 15L/s, 터보 펌프: 1200l/s ~ 1600l/s | |
| 진공 정도 | ≤5×10-5Pa | |
| 진공 센서 | 이온화/저항 진공 게이지/필름 게이지 | |
| 체계 | 전력 공급 | AC 220V /380 50Hz |
| 정격 전력 | 5kW | |
| 치수 | 900mm X 820mm X870mm | |
| 무게 | 200kg |
경고
작업자 안전이 가장 중요한 문제입니다! 주의하여 장비를 작동하십시오. 인화성 및 폭발성 또는 독성 가스로 작업하는 것은 매우 위험하므로 작업자는 장비를 시작하기 전에 필요한 모든 예방 조치를 취해야 합니다. 반응기 또는 챔버 내부에서 양압으로 작업하는 것은 위험하므로 작업자는 안전 절차를 엄격히 준수해야 합니다. 특히 진공 상태에서 공기 반응성 물질을 사용하여 작동할 때는 각별한 주의를 기울여야 합니다. 누출은 장치 안으로 공기를 빨아들여 격렬한 반응을 일으킬 수 있습니다.
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FAQ
물리적 기상 증착(PVD)이란 무엇입니까?
CVD로란?
화학 기상 증착(CVD)은 가열, 플라즈마 여기 또는 빛 방사와 같은 다양한 에너지원을 사용하여 기상 또는 기체-고체 계면에서 기체 또는 증기 화학 물질을 화학적으로 반응시켜 반응기에서 고체 침전물을 형성하는 기술입니다. 화학 반응. 간단히 말해서 두 가지 이상의 기체 상태의 원료를 반응 챔버에 넣은 다음 서로 반응하여 새로운 물질을 형성하고 기판 표면에 증착합니다.
CVD로는 고온 관상로 장치, 가스 제어 장치 및 진공 장치가 있는 하나의 결합된로 시스템으로 복합 재료 준비, 마이크로 전자 공정, 반도체 광전자, 태양 에너지 이용, 광섬유 통신, 초전도체의 실험 및 생산에 널리 사용됩니다. 기술, 보호 코팅 분야.
열 증발원이란 무엇인가요?
PECVD 방법이란?
박막 증착에 사용되는 방법은 무엇입니까?
RF PECVD란?
마그네트론 스퍼터링이란 무엇입니까?
CVD 전기로는 어떻게 작동합니까?
CVD로 시스템은 고온 튜브로 장치, 반응 가스 소스 정밀 제어 장치, 진공 펌프 스테이션 및 해당 조립 부품으로 구성됩니다.
진공 펌프는 반응 튜브에서 공기를 제거하고 반응 튜브 내부에 원치 않는 가스가 없는지 확인한 후 튜브 퍼니스가 반응 튜브를 목표 온도로 가열한 다음 반응 가스 소스 정밀 제어 장치가 다른 도입할 수 있음을 확인합니다. 화학 반응을 위해 로 튜브에 설정된 비율로 가스를 넣으면 화학 기상 증착이 CVD 로에서 형성됩니다.
MPCVD란 무엇입니까?
열 증발 소스의 주요 유형은 무엇인가요?
스퍼터링 타겟이란?
PECVD는 무엇을 위해 사용됩니까?
박막증착장비란?
PACVD는 PECVD입니까?
왜 마그네트론 스퍼터링인가?
CVD 공정에 사용되는 가스는?
CVD 공정에는 엄청난 가스 소스가 사용될 수 있으며 CVD의 일반적인 화학 반응에는 열분해, 광분해, 환원, 산화, 산화 환원이 포함되므로 이러한 화학 반응에 관련된 가스를 CVD 공정에서 사용할 수 있습니다.
CVD 그래핀 성장을 예로 들면 CVD 공정에 사용되는 가스는 CH4,H2,O2 및 N2입니다.
MPcvd 머신이란 무엇입니까?
열 증발 소스는 어떻게 작동하나요?
CVD의 기본 원리는 무엇입니까?
스퍼터링 타겟은 어떻게 만들어지나요?
PECVD의 장점은 무엇입니까?
박막 증착 기술이란?
박막 증착에 사용되는 재료는 무엇입니까?
박막 증착은 일반적으로 금속, 산화물 및 화합물을 재료로 사용하며 각각 고유한 장점과 단점이 있습니다. 금속은 내구성과 증착 용이성 때문에 선호되지만 상대적으로 비쌉니다. 산화물은 내구성이 뛰어나고 고온을 견딜 수 있으며 저온에서 증착될 수 있지만 부서지기 쉽고 작업하기 어려울 수 있습니다. 화합물은 강도와 내구성을 제공하고 저온에서 증착될 수 있으며 특정 특성을 나타내도록 조정될 수 있습니다.
박막 코팅을 위한 재료 선택은 적용 요건에 따라 다릅니다. 금속은 열 및 전기 전도에 이상적이며 산화물은 보호 기능을 제공하는 데 효과적입니다. 컴파운드는 특정 요구에 맞게 조정할 수 있습니다. 궁극적으로 특정 프로젝트에 가장 적합한 재료는 응용 프로그램의 특정 요구 사항에 따라 달라집니다.
CVD 시스템의 장점은 무엇입니까?
- 필요에 따라 금속막, 비금속막, 다성분 합금막 등 다양한 피막을 생산할 수 있습니다. 동시에 GaN, BP 등 다른 방법으로는 얻기 힘든 고품질 결정을 제조할 수 있다.
- 필름 형성 속도는 빠르며 일반적으로 분당 수 미크론 또는 분당 수백 미크론입니다. LPE(액상 에피택시) 및 MBE(분자선 에피택시)와 같은 다른 필름 제조 방법과 비교할 수 없는 균일한 조성으로 많은 양의 코팅을 동시에 증착할 수 있습니다.
- 작업 조건은 상압 또는 저진공 조건에서 수행되므로 코팅은 회절이 좋으며 복잡한 형상의 작업물을 균일하게 코팅할 수 있어 PVD보다 훨씬 우수합니다.
- 반응 기체, 반응 생성물 및 기질의 상호 확산으로 인해 내마모성 및 부식 방지 필름과 같은 표면 강화 필름을 제조하는 데 중요한 접착 강도가 우수한 코팅을 얻을 수 있습니다.
- 일부 필름은 필름 재료의 녹는점보다 훨씬 낮은 온도에서 성장합니다. 저온 성장 조건에서는 반응 가스와 반응기 벽 및 그 안에 포함된 불순물이 거의 반응하지 않아 순도가 높고 결정성이 좋은 막을 얻을 수 있다.
- 화학 기상 증착은 매끄러운 증착 표면을 얻을 수 있습니다. 이는 LPE와 비교하여 화학적 기상 증착(CVD)이 고포화 상태에서 수행되어 높은 핵 생성 속도, 높은 핵 생성 밀도 및 전체 평면에 균일한 분포로 인해 거시적으로 매끄러운 표면을 생성하기 때문입니다. 동시에 화학 기상 증착에서 분자(원자)의 평균 자유 경로는 LPE보다 훨씬 크므로 분자의 공간 분포가 더 균일하여 매끄러운 증착 표면을 형성하는 데 도움이 됩니다.
- MOS(금속산화물반도체) 및 기타 소자 제조에 필요한 조건인 낮은 Radiation Damage
MPcvd의 장점은 무엇입니까?
열 증착 소스를 사용하면 어떤 이점이 있을까요?
CVD 방법의 다른 유형은 무엇입니까?
스퍼터링 타겟이란 무엇입니까?
ALD와 PECVD의 차이점은 무엇입니까?
최적의 박막 증착을 달성하는 방법은 무엇입니까?
원하는 특성을 가진 박막을 얻기 위해서는 고품질 스퍼터링 타겟과 증발 재료가 필수적입니다. 이러한 재료의 품질은 순도, 입자 크기 및 표면 상태와 같은 다양한 요인에 의해 영향을 받을 수 있습니다.
스퍼터링 타겟 또는 증발 재료의 순도는 결정적인 역할을 합니다. 불순물은 생성된 박막에 결함을 일으킬 수 있기 때문입니다. 입자 크기는 또한 박막의 품질에 영향을 미치며 입자가 클수록 필름 특성이 저하됩니다. 또한 표면이 거칠면 필름에 결함이 생길 수 있으므로 표면 상태가 중요합니다.
최고 품질의 스퍼터링 타겟 및 증발 재료를 얻으려면 고순도, 작은 입자 크기 및 매끄러운 표면을 가진 재료를 선택하는 것이 중요합니다.
박막 증착의 용도
산화아연 기반 박막
ZnO 박막은 열, 광학, 자기 및 전기와 같은 여러 산업 분야에서 응용되지만 주로 코팅 및 반도체 장치에 사용됩니다.
박막 저항기
박막 저항기는 현대 기술에 매우 중요하며 라디오 수신기, 회로 기판, 컴퓨터, 무선 주파수 장치, 모니터, 무선 라우터, Bluetooth 모듈 및 휴대폰 수신기에 사용됩니다.
자성 박막
자성 박막은 전자, 데이터 저장, 무선 주파수 식별, 마이크로파 장치, 디스플레이, 회로 기판 및 광전자 공학의 핵심 구성 요소로 사용됩니다.
광학 박막
광학 코팅 및 광전자 공학은 광학 박막의 표준 응용 분야입니다. 분자 빔 에피택시는 광전자 박막 장치(반도체)를 생산할 수 있으며, 여기서 에피택셜 필름은 기판에 한 번에 원자 하나씩 증착됩니다.
고분자 박막
고분자 박막은 메모리 칩, 태양 전지 및 전자 장치에 사용됩니다. 화학 증착 기술(CVD)은 적합성 및 코팅 두께를 포함하여 폴리머 필름 코팅을 정밀하게 제어합니다.
박막 전지
박막 전지는 이식형 의료기기와 같은 전자 기기에 전력을 공급하며, 리튬 이온 전지는 박막의 사용 덕분에 크게 발전했습니다.
박막 코팅
박막 코팅은 다양한 산업 및 기술 분야에서 대상 물질의 화학적 및 기계적 특성을 향상시킵니다. 반사 방지 코팅, 자외선 방지 또는 적외선 방지 코팅, 긁힘 방지 코팅 및 렌즈 편광이 몇 가지 일반적인 예입니다.
박막형 태양전지
박막형 태양전지는 상대적으로 저렴하고 깨끗한 전기를 생산할 수 있어 태양광 산업에 필수적이다. 광전지 시스템과 열 에너지는 두 가지 주요 적용 기술입니다.
PECVD는 무엇을 의미합니까?
PECVD는 플라즈마를 이용하여 반응 가스를 활성화하고 기판 표면 또는 표면 공간 근처에서 화학 반응을 촉진하여 고체 막을 생성하는 기술입니다. 플라즈마 화학 기상 증착 기술의 기본 원리는 RF 또는 DC 전기장의 작용하에 소스 가스가 이온화되어 플라즈마를 형성하고 저온 플라즈마를 에너지 원으로 사용하고 적절한 양의 반응 가스가 플라즈마 방전을 이용하여 반응가스를 활성화시켜 화학기상증착을 구현한다.
플라즈마를 발생시키는 방법에 따라 RF 플라즈마, DC 플라즈마 및 마이크로파 플라즈마 CVD 등으로 나눌 수 있습니다.
CVD 다이아몬드는 진짜입니까 아니면 가짜입니까?
열 증발 소스는 어떤 용도로 사용되나요?
전자 제품용 스퍼터링 타겟이란 무엇입니까?
PECVD와 스퍼터링의 차이점은 무엇입니까?
박막 증착에 영향을 미치는 요인 및 매개변수
공술서 비율:
일반적으로 두께를 시간으로 나눈 값으로 측정되는 필름 생산 속도는 응용 분야에 적합한 기술을 선택하는 데 중요합니다. 적당한 증착 속도는 박막에 충분하고 빠른 증착 속도는 후막에 필요합니다. 속도와 정확한 필름 두께 제어 사이의 균형을 맞추는 것이 중요합니다.
일률:
기판 전체에 걸친 필름의 일관성은 균일성으로 알려져 있으며, 일반적으로 필름 두께를 나타내지만 굴절률과 같은 다른 특성과도 관련될 수 있습니다. 균일성을 과소 또는 과도하게 지정하지 않도록 애플리케이션을 잘 이해하는 것이 중요합니다.
채우기 기능:
충전 능력 또는 스텝 커버리지는 증착 공정이 기판의 지형을 얼마나 잘 커버하는지를 나타냅니다. 사용된 증착 방법(예: CVD, PVD, IBD 또는 ALD)은 스텝 커버리지 및 충전에 상당한 영향을 미칩니다.
필름 특성:
필름의 특성은 애플리케이션의 요구 사항에 따라 달라지며 광자, 광학, 전자, 기계 또는 화학으로 분류할 수 있습니다. 대부분의 영화는 둘 이상의 범주에서 요구 사항을 충족해야 합니다.
공정 온도:
필름 특성은 공정 온도의 영향을 크게 받으며, 적용 분야에 따라 제한될 수 있습니다.
손상:
각 증착 기술은 증착되는 재료를 손상시킬 가능성이 있으며 작은 피처는 프로세스 손상에 더 취약합니다. 오염, UV 방사선 및 이온 충격은 손상의 잠재적인 원인 중 하나입니다. 재료와 도구의 한계를 이해하는 것이 중요합니다.
CVD와 PECVD의 차이점은 무엇입니까?
PECVD와 기존 CVD 기술의 차이점은 플라즈마가 화학 기상 증착 공정에 필요한 활성화 에너지를 제공할 수 있는 많은 수의 고에너지 전자를 포함하여 반응 시스템의 에너지 공급 모드를 변경한다는 것입니다. 플라즈마의 전자 온도는 10000K만큼 높기 때문에 전자와 가스 분자 간의 충돌은 반응 가스 분자의 화학 결합 파괴 및 재결합을 촉진하여 더 많은 활성 화학 그룹을 생성하는 반면 전체 반응 시스템은 더 낮은 온도를 유지합니다.
따라서 CVD 공정에 비해 PECVD는 더 낮은 온도에서 동일한 화학 기상 증착 공정을 수행할 수 있습니다.
스퍼터링 타겟의 수명은 얼마입니까?
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