MPCVD
실험실 및 다이아몬드 성장을 위한 Bell-jar Resonator MPCVD 장비
품목 번호 : KTMP315
가격은 다음을 기준으로 달라집니다 사양 및 사용자 정의
- 마이크로파 전력
- 마이크로파 주파수 2450±15MHZ
- 출력 파워
- 1~10KW 연속 조절 가능
- 마이크로파 누출
- ≤2MW/cm2
- 출력 도파관 인터페이스
- FD-340 포함 WR340, 430, 430 표준 플랜지
- 샘플 홀더
- 샘플 테이블의 직경≥70mm, 유효 사용 면적≥64 mm
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MPCVD는 Microwave Plasma Chemical Vapor Deposition을 의미합니다. 탄소 가스와 마이크로웨이브 플라즈마를 사용하여 실험실에서 고품질 다이아몬드 필름을 성장시킵니다.
MPCVD 시스템
MPCVD는 진공 챔버, 마이크로파 발생기 및 가스 전달 시스템을 사용하여 기판에 박막을 증착하는 시스템입니다. 플라즈마는 2.45GHz에서 마이크로파를 생성하는 마그네트론 또는 클라이스트론에 의해 챔버 내부에서 생성됩니다. 가스 전달 시스템에는 가스 흐름을 제어하기 위해 sccm으로 보정된 MFC가 있습니다. 기판 온도는 플라즈마에 의해 제어되고 열전쌍에 의해 측정됩니다. 플라즈마는 기판을 가열하고 온도는 증착 중에 모니터링됩니다.
애플리케이션
MPCVD는 저렴한 비용으로 대형 고품질 다이아몬드를 생산할 가능성을 보여줍니다.
경도, 강성, 높은 열전도율, 낮은 열팽창, 방사선 경도 및 화학적 불활성과 같은 다이아몬드의 고유한 특성은 귀중한 재료입니다. 그러나 천연 및 합성 고압 고온 다이아몬드의 높은 비용, 제한된 크기 및 불순물 제어의 어려움으로 인해 적용이 제한되었습니다.
MPCVD는 단결정 또는 다결정일 수 있는 다이아몬드 원석 및 필름을 성장시키는 기본 장비입니다. 반도체 산업은 다이아몬드 절단 또는 드릴링 도구 산업뿐만 아니라 대형 다이아몬드 기판에 다이아몬드 필름 성장을 광범위하게 사용합니다.
랩그로운 다이아몬드의 HPHT 방식에 비해 마이크로웨이브 CVD 방식은 저렴한 비용으로 대형 다이아몬드 성장에 유리해 반도체 다이아몬드, 광학용 다이아몬드 성장, 대형 주얼리 다이아몬드 시장에 이상적인 솔루션이다.
MPCVD의 장점
MPCVD는 HFCVD 및 DC-PJ CVD에 비해 장점이 있는 다이아몬드 합성 방법입니다. 오염을 방지하고 다양한 가스를 허용합니다. 부드러운 마이크로웨이브 전력 조정과 안정적인 온도 제어를 제공하여 종자 결정 손실을 방지합니다. MPCVD는 크고 안정적인 플라즈마 영역으로 인해 산업 응용 분야에 유망합니다.
MPCVD는 HPHT보다 적은 에너지를 사용하여 더 순수한 다이아몬드를 생산합니다. 또한 더 큰 다이아몬드를 생산할 수 있습니다.
당사 MPCVD 시스템의 장점
우리는 수년 동안 업계에 깊이 관여해 왔으며 그 결과 우리 장비를 신뢰하고 사용하는 방대한 고객 기반을 보유하고 있습니다. 당사의 MPCVD 장비는 40,000시간 이상 꾸준히 실행되어 탁월한 안정성, 신뢰성, 반복성 및 비용 효율성을 입증했습니다. MPCVD 시스템의 추가 이점은 다음과 같습니다.
- 3인치 기판 성장 영역, 최대. 다이아몬드 최대 45개 일괄 로드
- 1-10Kw 조정 가능한 출력 마이크로파 전력으로 전력 소비 감소
- 프론티어 다이아몬드 성장 레시피 지원을 제공하는 풍부한 경험의 연구팀
- 제로 다이아몬드 재배 체험단 전용 기술 지원 프로그램
축적된 첨단 기술을 활용하여 MPCVD 시스템에 대한 여러 차례의 업그레이드 및 개선을 구현하여 효율성을 크게 향상시키고 장비 비용을 절감했습니다. 결과적으로 당사의 MPCVD 장비는 기술 발전의 최전선에 있으며 경쟁력 있는 가격으로 제공됩니다. 상담을 환영합니다.
작업 처리
MPCVD 기계는 특정 압력 하에서 반응 가스(예: CH4, H2, Ar, O2, N2 등)를 캐비티에 도입하면서 각 가스 경로 및 캐비티 압력의 흐름을 제어합니다. 공기 흐름을 안정화한 후 6KW 고체 마이크로파 발생기는 마이크로파를 생성한 다음 도파관을 통해 공동으로 도입됩니다.
반응 가스는 마이크로웨이브 필드 아래에서 플라즈마 상태로 변환되어 다이아몬드 기판 위에 떠 있는 플라즈마 볼을 형성합니다. 플라즈마의 고온은 기판을 특정 온도로 가열합니다. 캐비티에서 생성된 과도한 열은 수냉 장치에 의해 소산됩니다.
MPCVD 단결정 다이아몬드 성장 공정 중에 최적의 성장 조건을 보장하기 위해 전력, 가스 소스 구성 및 공동 압력과 같은 요소를 조정합니다. 또한 플라즈마 볼이 와벽과 접촉하지 않기 때문에 다이아몬드 성장 과정에 불순물이 없어 다이아몬드의 품질을 높일 수 있다.
세부 정보 및 부품
마이크로파 시스템
반응 챔버
가스 흐름 시스템
진공 및 센서 시스템
기술 사양
마이크로파 시스템 |
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반응 챔버 |
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샘플 홀더 |
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가스 흐름 시스템 |
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냉각 시스템 |
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온도 센서 |
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제어 시스템 |
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선택적 기능 |
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경고
작업자 안전이 가장 중요한 문제입니다! 주의하여 장비를 작동하십시오. 인화성 및 폭발성 또는 독성 가스로 작업하는 것은 매우 위험하므로 작업자는 장비를 시작하기 전에 필요한 모든 예방 조치를 취해야 합니다. 반응기 또는 챔버 내부에서 양압으로 작업하는 것은 위험하므로 작업자는 안전 절차를 엄격히 준수해야 합니다. 특히 진공 상태에서 공기 반응성 물질을 사용하여 작동할 때는 각별한 주의를 기울여야 합니다. 누출은 장치 안으로 공기를 빨아들여 격렬한 반응을 일으킬 수 있습니다.
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FAQ
다이아몬드 커팅 머신으로 절단할 수 있는 재료는 무엇인가요?
CVD로란?
화학 기상 증착(CVD)은 가열, 플라즈마 여기 또는 빛 방사와 같은 다양한 에너지원을 사용하여 기상 또는 기체-고체 계면에서 기체 또는 증기 화학 물질을 화학적으로 반응시켜 반응기에서 고체 침전물을 형성하는 기술입니다. 화학 반응. 간단히 말해서 두 가지 이상의 기체 상태의 원료를 반응 챔버에 넣은 다음 서로 반응하여 새로운 물질을 형성하고 기판 표면에 증착합니다.
CVD로는 고온 관상로 장치, 가스 제어 장치 및 진공 장치가 있는 하나의 결합된로 시스템으로 복합 재료 준비, 마이크로 전자 공정, 반도체 광전자, 태양 에너지 이용, 광섬유 통신, 초전도체의 실험 및 생산에 널리 사용됩니다. 기술, 보호 코팅 분야.
CVD(화학 기상 증착)란 무엇이며 주요 장점은 무엇인가요?
PECVD 방법이란?
CVD 다이아몬드 기계는 무엇입니까?
어떤 유형의 다이아몬드 성장 기계를 사용할 수 있습니까?
MPCVD란 무엇입니까?
RF PECVD란?
다이아몬드 커팅 머신의 원리는 무엇인가요?
박막 증착에 사용되는 방법은 무엇입니까?
CVD 전기로는 어떻게 작동합니까?
CVD로 시스템은 고온 튜브로 장치, 반응 가스 소스 정밀 제어 장치, 진공 펌프 스테이션 및 해당 조립 부품으로 구성됩니다.
진공 펌프는 반응 튜브에서 공기를 제거하고 반응 튜브 내부에 원치 않는 가스가 없는지 확인한 후 튜브 퍼니스가 반응 튜브를 목표 온도로 가열한 다음 반응 가스 소스 정밀 제어 장치가 다른 도입할 수 있음을 확인합니다. 화학 반응을 위해 로 튜브에 설정된 비율로 가스를 넣으면 화학 기상 증착이 CVD 로에서 형성됩니다.
CVD 재료의 일반적인 응용 분야에는 어떤 것이 있을까요?
PECVD는 무엇을 위해 사용됩니까?
랩그로운 다이아몬드의 장점은?
MPcvd 머신이란 무엇입니까?
CVD의 기본 원리는 무엇입니까?
PACVD는 PECVD입니까?
다이아몬드 커팅기를 사용하면 어떤 이점이 있나요?
박막증착장비란?
CVD 공정에 사용되는 가스는?
CVD 공정에는 엄청난 가스 소스가 사용될 수 있으며 CVD의 일반적인 화학 반응에는 열분해, 광분해, 환원, 산화, 산화 환원이 포함되므로 이러한 화학 반응에 관련된 가스를 CVD 공정에서 사용할 수 있습니다.
CVD 그래핀 성장을 예로 들면 CVD 공정에 사용되는 가스는 CH4,H2,O2 및 N2입니다.
어떤 유형의 CVD 재료를 사용할 수 있나요?
PECVD의 장점은 무엇입니까?
CVD 성장 기계의 가격은 얼마입니까?
MPcvd의 장점은 무엇입니까?
CVD 방법의 다른 유형은 무엇입니까?
어떤 유형의 다이아몬드 커팅 머신을 사용할 수 있나요?
박막 증착 기술이란?
CVD 시스템의 장점은 무엇입니까?
- 필요에 따라 금속막, 비금속막, 다성분 합금막 등 다양한 피막을 생산할 수 있습니다. 동시에 GaN, BP 등 다른 방법으로는 얻기 힘든 고품질 결정을 제조할 수 있다.
- 필름 형성 속도는 빠르며 일반적으로 분당 수 미크론 또는 분당 수백 미크론입니다. LPE(액상 에피택시) 및 MBE(분자선 에피택시)와 같은 다른 필름 제조 방법과 비교할 수 없는 균일한 조성으로 많은 양의 코팅을 동시에 증착할 수 있습니다.
- 작업 조건은 상압 또는 저진공 조건에서 수행되므로 코팅은 회절이 좋으며 복잡한 형상의 작업물을 균일하게 코팅할 수 있어 PVD보다 훨씬 우수합니다.
- 반응 기체, 반응 생성물 및 기질의 상호 확산으로 인해 내마모성 및 부식 방지 필름과 같은 표면 강화 필름을 제조하는 데 중요한 접착 강도가 우수한 코팅을 얻을 수 있습니다.
- 일부 필름은 필름 재료의 녹는점보다 훨씬 낮은 온도에서 성장합니다. 저온 성장 조건에서는 반응 가스와 반응기 벽 및 그 안에 포함된 불순물이 거의 반응하지 않아 순도가 높고 결정성이 좋은 막을 얻을 수 있다.
- 화학 기상 증착은 매끄러운 증착 표면을 얻을 수 있습니다. 이는 LPE와 비교하여 화학적 기상 증착(CVD)이 고포화 상태에서 수행되어 높은 핵 생성 속도, 높은 핵 생성 밀도 및 전체 평면에 균일한 분포로 인해 거시적으로 매끄러운 표면을 생성하기 때문입니다. 동시에 화학 기상 증착에서 분자(원자)의 평균 자유 경로는 LPE보다 훨씬 크므로 분자의 공간 분포가 더 균일하여 매끄러운 증착 표면을 형성하는 데 도움이 됩니다.
- MOS(금속산화물반도체) 및 기타 소자 제조에 필요한 조건인 낮은 Radiation Damage
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PECVD는 무엇을 의미합니까?
PECVD는 플라즈마를 이용하여 반응 가스를 활성화하고 기판 표면 또는 표면 공간 근처에서 화학 반응을 촉진하여 고체 막을 생성하는 기술입니다. 플라즈마 화학 기상 증착 기술의 기본 원리는 RF 또는 DC 전기장의 작용하에 소스 가스가 이온화되어 플라즈마를 형성하고 저온 플라즈마를 에너지 원으로 사용하고 적절한 양의 반응 가스가 플라즈마 방전을 이용하여 반응가스를 활성화시켜 화학기상증착을 구현한다.
플라즈마를 발생시키는 방법에 따라 RF 플라즈마, DC 플라즈마 및 마이크로파 플라즈마 CVD 등으로 나눌 수 있습니다.
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CVD와 PECVD의 차이점은 무엇입니까?
PECVD와 기존 CVD 기술의 차이점은 플라즈마가 화학 기상 증착 공정에 필요한 활성화 에너지를 제공할 수 있는 많은 수의 고에너지 전자를 포함하여 반응 시스템의 에너지 공급 모드를 변경한다는 것입니다. 플라즈마의 전자 온도는 10000K만큼 높기 때문에 전자와 가스 분자 간의 충돌은 반응 가스 분자의 화학 결합 파괴 및 재결합을 촉진하여 더 많은 활성 화학 그룹을 생성하는 반면 전체 반응 시스템은 더 낮은 온도를 유지합니다.
따라서 CVD 공정에 비해 PECVD는 더 낮은 온도에서 동일한 화학 기상 증착 공정을 수행할 수 있습니다.
CVD 다이아몬드는 전자 기기의 열 관리를 어떻게 개선하나요?
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PDF - 실험실 및 다이아몬드 성장을 위한 Bell-jar Resonator MPCVD 장비
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