제품 열 장비 CVD 및 PECVD 전기로 Inclined rotary plasma enhanced chemical deposition (PECVD) tube furnace machine
경사 회전 플라즈마 강화 화학 증착(PECVD) 관로 기계

CVD 및 PECVD 전기로

경사 회전 플라즈마 강화 화학 증착(PECVD) 관로 기계

품목 번호 : KT-PE16

가격은 다음을 기준으로 달라집니다 specs and customizations


최대 온도
1600℃
일정한 작업 온도
1550℃
용광로 튜브 직경
60mm
가열 영역 길이
2x300mm
가열 속도
0-10℃/분
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애플리케이션

KT-PE16 경사 회전식 PECVD 퍼니스 PECVD 퍼니스는 500W RF 플라즈마 소스 1개, 2구역 TF-1200 튜브 퍼니스 1개, MFC 가스 정밀 제어 장치 4개 및 표준 진공 스테이션 1개로 구성됩니다. 용광로 최대 작동 온도는 최대 1600℃이며 용광로 튜브는 직경 60mm의 Al2O2 세라믹 튜브 1개입니다. CH4, H2,O2 및 N2의 소스 가스가 있는 4채널 MFC 질량 유량계; 진공 스테이션은 최대 1개의 4L/S 로터리 베인 진공 펌프입니다. 진공 압력은 최대 10Pa입니다.

장점

  • RF 플라즈마 자동 매칭 소스, 넓은 5-500W 출력 전력 범위 안정적인 출력
  • 고속 가열 및 단시간 냉각을 위한 Furnace 챔버 슬라이딩 시스템, 보조 급속 냉각 및 자동 슬라이딩 이동이 가능합니다.
  • PID 프로그래밍 가능 온도 제어, 우수한 제어 정확도 및 원격 제어 및 중앙 집중식 제어 지원
  • 고정밀 MFC 질량 유량계 제어, 소스 가스 사전 혼합 및 안정적인 가스 공급 속도
  • 다양한 진공 펌프 스테이션 설정, 우수한 밀봉 및 높은 진공도를 충족하는 다양한 적응 포트가 있는 스테인리스 스틸 진공 플랜지
  • CTF Pro는 7인치 TFT 터치 스크린 컨트롤러 1개 적용, 보다 친숙한 프로그램 설정 및 히스토리 데이터 분석

안전 이점

  • Kindle Tech 튜브 퍼니스는 과전류 보호 및 과열 경보 기능을 소유하고 있으며 퍼니스는 자동으로 전원을 끕니다.
  • 열 커플 감지 기능의 퍼니스 빌드, 퍼니스는 가열을 중지하고 고장 또는 고장이 감지되면 알람이 켜집니다.
  • PE Pro는 정전 재시작 기능을 지원하며, 장애 후 전원이 들어올 때 퍼니스는 퍼니스 가열 프로그램을 재개합니다.

기술 사양

용광로 모델 PE-1600-60
최대 온도 1600℃
일정한 작업 온도 1550℃
용광로 튜브 재료 고순도 Al2O3 튜브
용광로 튜브 직경 60mm
가열 영역 길이 2x300mm
챔버 재질 일본 알루미나 섬유
발열체 몰리브덴 디실리사이드
가열 속도 0-10℃/분
열 커플 B타입
온도 조절기 디지털 PID 컨트롤러/터치스크린 PID 컨트롤러
온도 조종 정확도 ±1℃
RF 플라즈마 장치
출력 파워 ± 1% 안정성으로 조정 가능한 5 -500W
RF 주파수 13.56MHz ±0.005% 안정성
반사력 최대 350W
어울리는 자동적 인
소음 <50dB
냉각 공기 냉각.
가스 정밀 제어 장치
유량계 MFC 질량 유량계
가스 채널 4채널
유량 MFC1: 0-5SCCM 산소
MFC2: 0-20SCMCH4
MFC3: 0- 100SCCM H2
MFC4: 0-500 SCCM N2
선형성 ±0.5%FS
반복성 ±0.2%FS
파이프 라인 및 밸브 스테인레스 스틸
최대 작동 압력 0.45MPa
유량계 컨트롤러 디지털 노브 컨트롤러/터치 스크린 컨트롤러
표준 진공 장치(옵션)
진공 펌프 로터리 베인 진공 펌프
펌프 유량 4L/S
진공흡입구 KF25
진공 게이지 Pirani/Resistance 실리콘 진공 게이지
정격 진공 압력 10Pa
고진공 유니트(옵션)
진공 펌프 로터리 베인 펌프 + 분자 펌프
펌프 유량 4L/S+110L/S
진공흡입구 KF25
진공 게이지 복합 진공 게이지
정격 진공 압력 6x10-5Pa
위의 사양 및 설정은 사용자 정의할 수 있습니다.

표준 패키지

아니요. 설명 수량
1 1
2 석영관 1
진공 플랜지 2
4 튜브 열 블록 2
5 튜브 열 블록 후크 1
6 내열장갑 1
7 RF 플라즈마 소스 1
8 정확한 가스 제어 1
9 진공 장치 1
10 사용 설명서 1

선택적 설정

  • H2, O2 등과 같은 튜브 가스 감지 및 모니터링
  • 독립적인 퍼니스 온도 모니터링 및 기록
  • PC 원격 제어 및 데이터 내보내기를 위한 RS 485 통신 포트
  • 질량 유량계 및 플로트 유량계와 같은 유량 제어를 공급하는 가스 삽입
  • 다재다능한 작업자 친화적 기능을 갖춘 터치 스크린 온도 컨트롤러
  • 베인 진공 펌프, 분자 펌프, 확산 펌프와 같은 고진공 펌프 스테이션 설정

경고

작업자 안전이 가장 중요한 문제입니다! 주의하여 장비를 작동하십시오. 인화성 및 폭발성 또는 독성 가스로 작업하는 것은 매우 위험하므로 작업자는 장비를 시작하기 전에 필요한 모든 예방 조치를 취해야 합니다. 반응기 또는 챔버 내부에서 양압으로 작업하는 것은 위험하므로 작업자는 안전 절차를 엄격히 준수해야 합니다. 특히 진공 상태에서 공기 반응성 물질을 사용하여 작동할 때는 각별한 주의를 기울여야 합니다. 누출은 장치 안으로 공기를 빨아들여 격렬한 반응을 일으킬 수 있습니다.

당신을 위한 디자인

KinTek은 전 세계 고객에게 심도 있는 맞춤형 서비스와 장비를 제공합니다. 당사의 전문 팀워크와 풍부한 경험을 갖춘 엔지니어는 맞춤형 하드웨어 및 소프트웨어 장비 요구 사항을 수행할 수 있으며 고객이 독점적이고 개인화된 장비 및 솔루션을 구축하도록 도울 수 있습니다!

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FAQ

관상로란 무엇입니까?

실험실 용광로는 하나의 고전적인 외부 가열 고온 용광로이며 고온 벽 가열로라고도합니다.

다른 작동 온도에 따라 퍼니스 튜브 재료는 일반적으로 투명한 석영 튜브, 고순도 알루미나 세라믹 튜브 및 고강도 금속 합금 튜브가 될 수 있습니다.

다양한 열 연구 목적을 충족하기 위해 튜브 퍼니스는 다중 가열 영역으로 설계되어 튜브 작업 챔버에서 온도 구배를 유연하게 제어할 수 있습니다. 용광로 튜브는 제어된 대기 작업 환경 또는 고진공 작업 환경에서 작동할 수 있습니다.

CVD로란?

화학 기상 증착(CVD)은 가열, 플라즈마 여기 또는 빛 방사와 같은 다양한 에너지원을 사용하여 기상 또는 기체-고체 계면에서 기체 또는 증기 화학 물질을 화학적으로 반응시켜 반응기에서 고체 침전물을 형성하는 기술입니다. 화학 반응. 간단히 말해서 두 가지 이상의 기체 상태의 원료를 반응 챔버에 넣은 다음 서로 반응하여 새로운 물질을 형성하고 기판 표면에 증착합니다.

CVD로는 고온 관상로 장치, 가스 제어 장치 및 진공 장치가 있는 하나의 결합된로 시스템으로 복합 재료 준비, 마이크로 전자 공정, 반도체 광전자, 태양 에너지 이용, 광섬유 통신, 초전도체의 실험 및 생산에 널리 사용됩니다. 기술, 보호 코팅 분야.

관상로는 어떻게 작동합니까?

관로 가열 요소는 원통형 캐비티 주변에 배치되며, 퍼니스는 간접 열 복사를 통해서만 원통형 캐비티의 샘플을 가열할 수 있습니다. 퍼니스 튜브는 샘플 재료가 퍼니스 가열 요소 및 단열재와 접촉하는 것을 방지할 수 있으므로 튜브 퍼니스는 깨끗한 절연을 생성합니다. 챔버를 가열하고 용광로에 의해 시료 물질이 오염될 위험을 줄입니다.

CVD 전기로는 어떻게 작동합니까?

CVD로 시스템은 고온 튜브로 장치, 반응 가스 소스 정밀 제어 장치, 진공 펌프 스테이션 및 해당 조립 부품으로 구성됩니다.

진공 펌프는 반응 튜브에서 공기를 제거하고 반응 튜브 내부에 원치 않는 가스가 없는지 확인한 후 튜브 퍼니스가 반응 튜브를 목표 온도로 가열한 다음 반응 가스 소스 정밀 제어 장치가 다른 도입할 수 있음을 확인합니다. 화학 반응을 위해 로 튜브에 설정된 비율로 가스를 넣으면 화학 기상 증착이 CVD 로에서 형성됩니다.

PECVD 방법이란?

PECVD(Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition)는 마이크로 전자 장치, 광전지 및 디스플레이 패널에 박막을 증착하기 위해 반도체 제조에 사용되는 프로세스입니다. PECVD에서 전구체는 기체 상태로 반응 챔버에 도입되며 플라즈마 반응 매체의 도움으로 CVD보다 훨씬 낮은 온도에서 전구체를 분리합니다. PECVD 시스템은 우수한 필름 균일성, 저온 처리 및 높은 처리량을 제공합니다. 그들은 광범위한 응용 분야에서 사용되며 첨단 전자 장치에 대한 수요가 계속 증가함에 따라 반도체 산업에서 점점 더 중요한 역할을 할 것입니다.

박막 증착에 사용되는 방법은 무엇입니까?

박막 증착에 사용되는 두 가지 주요 방법은 화학 기상 증착(CVD) 및 물리 기상 증착(PVD)입니다. CVD는 반응 가스를 챔버로 도입하여 웨이퍼 표면에서 반응하여 고체 막을 형성합니다. PVD는 화학 반응을 수반하지 않습니다. 대신 구성 물질의 증기가 챔버 내부에서 생성된 다음 웨이퍼 표면에 응결되어 단단한 필름을 형성합니다. PVD의 일반적인 유형에는 증발 증착 및 스퍼터링 증착이 포함됩니다. 증발 증착 기술의 세 가지 유형은 열 증발, 전자 빔 증발 및 유도 가열입니다.

관상로의 용도는 무엇입니까?

관로는 주로 야금, 유리, 열처리, 리튬 양극 및 음극 재료, 신 에너지, 연마재 및 기타 산업에 사용되며 특정 온도 조건에서 재료를 측정하는 전문 장비입니다.

관상로는 간단한 구조, 쉬운 작동, 쉬운 제어 및 연속 생산을 특징으로 합니다.

관상로는 또한 CVD(화학 기상 증착) 및 플라즈마 강화 CVD 시스템에 널리 적용됩니다.

CVD 공정에 사용되는 가스는?

CVD 공정에는 엄청난 가스 소스가 사용될 수 있으며 CVD의 일반적인 화학 반응에는 열분해, 광분해, 환원, 산화, 산화 환원이 포함되므로 이러한 화학 반응에 관련된 가스를 CVD 공정에서 사용할 수 있습니다.

CVD 그래핀 성장을 예로 들면 CVD 공정에 사용되는 가스는 CH4,H2,O2 및 N2입니다.

CVD의 기본 원리는 무엇입니까?

화학 기상 증착(CVD)의 기본 원리는 박막 증착을 생성하기 위해 표면에서 반응하거나 분해되는 하나 이상의 휘발성 전구체에 기판을 노출시키는 것입니다. 이 공정은 패터닝 필름, 절연 재료 및 전도성 금속층과 같은 다양한 응용 분야에 사용될 수 있습니다. CVD는 코팅, 분말, 섬유, 나노튜브 및 모놀리식 구성 요소를 합성할 수 있는 다목적 프로세스입니다. 또한 대부분의 금속 및 금속 합금과 그 화합물, 반도체 및 비금속 시스템을 생산할 수 있습니다. 증기 상태의 화학 반응으로 인해 가열된 표면에 고체가 증착되는 것이 CVD 공정의 특징입니다.

PECVD는 무엇을 위해 사용됩니까?

PECVD(Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition)는 반도체 산업에서 광전지, 마찰 공학, 광학 및 생의학 분야뿐만 아니라 집적 회로를 제조하는 데 널리 사용됩니다. 마이크로 전자 장치, 광전지 및 디스플레이 패널용 박막을 증착하는 데 사용됩니다. PECVD는 일반적인 CVD 기술만으로는 생성할 수 없는 고유한 화합물 및 필름을 생성할 수 있으며 화학적 및 열적 안정성과 함께 높은 용매 및 내식성을 나타내는 필름을 생성할 수 있습니다. 또한 넓은 표면에 균질한 유기 및 무기 폴리머를 생산하는 데 사용되며, 마찰 공학용 DLC(Diamond-like Carbon)도 사용됩니다.

PACVD는 PECVD입니까?

예, PACVD(플라즈마 보조 화학 기상 증착)는 PECVD(플라즈마 강화 화학 기상 증착)의 또 다른 용어입니다. 이 프로세스는 열적 CVD보다 낮은 온도에서 CVD 반응을 활성화하기 위해 전기장에서 형성된 에너지 플라즈마를 사용하므로 열 예산이 낮은 기판 또는 증착된 필름에 이상적입니다. 플라즈마를 변화시킴으로써 증착된 필름의 특성에 추가적인 제어가 추가될 수 있습니다. 대부분의 PECVD 공정은 방전 플라즈마를 안정화하기 위해 저압에서 수행됩니다.

박막증착장비란?

박막 증착 장비는 기판 재료에 박막 코팅을 생성하고 증착하는 데 사용되는 도구 및 방법을 말합니다. 이러한 코팅은 다양한 재료로 만들 수 있으며 기질의 성능을 개선하거나 변경할 수 있는 다양한 특성을 가지고 있습니다. PVD(Physical Vapor Deposition)는 진공 상태에서 고체 물질을 증발시킨 다음 기판에 증착하는 일반적인 기술입니다. 다른 방법으로는 증발 및 스퍼터링이 있습니다. 박막 증착 장비는 광전자 장치, 의료용 임플란트 및 정밀 광학 제품 생산에 사용됩니다.

관상로의 종류는 몇 가지입니까?

관상로는 다양한 기계적 기능과 원활하게 작동할 수 있으므로 실험 목적에 따라 다양한 유형의 관상로 변형이 있으며 일반적인 용광로는 다음과 같습니다.

  • 수평 튜브로
  • 수직 튜브로
  • 분할 튜브로
  • 회전식 튜브로
  • 틸팅 튜브로
  • 슬라이딩 튜브로
  • 빠른 가열 및 냉각 튜브 퍼니스
  • 연속 공급 및 방전 관로

CVD 시스템의 장점은 무엇입니까?

  • 필요에 따라 금속막, 비금속막, 다성분 합금막 등 다양한 피막을 생산할 수 있습니다. 동시에 GaN, BP 등 다른 방법으로는 얻기 힘든 고품질 결정을 제조할 수 있다.
  • 필름 형성 속도는 빠르며 일반적으로 분당 수 미크론 또는 분당 수백 미크론입니다. LPE(액상 에피택시) 및 MBE(분자선 에피택시)와 같은 다른 필름 제조 방법과 비교할 수 없는 균일한 조성으로 많은 양의 코팅을 동시에 증착할 수 있습니다.
  • 작업 조건은 상압 또는 저진공 조건에서 수행되므로 코팅은 회절이 좋으며 복잡한 형상의 작업물을 균일하게 코팅할 수 있어 PVD보다 훨씬 우수합니다.
  • 반응 기체, 반응 생성물 및 기질의 상호 확산으로 인해 내마모성 및 부식 방지 필름과 같은 표면 강화 필름을 제조하는 데 중요한 접착 강도가 우수한 코팅을 얻을 수 있습니다.
  • 일부 필름은 필름 재료의 녹는점보다 훨씬 낮은 온도에서 성장합니다. 저온 성장 조건에서는 반응 가스와 반응기 벽 및 그 안에 포함된 불순물이 거의 반응하지 않아 순도가 높고 결정성이 좋은 막을 얻을 수 있다.
  • 화학 기상 증착은 매끄러운 증착 표면을 얻을 수 있습니다. 이는 LPE와 비교하여 화학적 기상 증착(CVD)이 고포화 상태에서 수행되어 높은 핵 생성 속도, 높은 핵 생성 밀도 및 전체 평면에 균일한 분포로 인해 거시적으로 매끄러운 표면을 생성하기 때문입니다. 동시에 화학 기상 증착에서 분자(원자)의 평균 자유 경로는 LPE보다 훨씬 크므로 분자의 공간 분포가 더 균일하여 매끄러운 증착 표면을 형성하는 데 도움이 됩니다.
  • MOS(금속산화물반도체) 및 기타 소자 제조에 필요한 조건인 낮은 Radiation Damage

CVD 방법의 다른 유형은 무엇입니까?

다양한 유형의 CVD 방법에는 대기압 CVD(APCVD), 저압 CVD(LPCVD), 초고진공 CVD, 에어로졸 지원 CVD, 직접 액체 주입 CVD, 고온벽 CVD, 저온벽 CVD, 마이크로웨이브 플라즈마 CVD, 플라즈마- 강화 CVD(PECVD), 원격 플라즈마 강화 CVD, 저에너지 플라즈마 강화 CVD, 원자층 CVD, 연소 CVD 및 고온 필라멘트 CVD. 이러한 방법은 화학 반응이 유발되는 메커니즘과 작동 조건이 다릅니다.

PECVD의 장점은 무엇입니까?

PECVD의 주요 장점은 낮은 증착 온도에서 작동할 수 있어 고르지 않은 표면에서 더 나은 정합성 및 스텝 커버리지를 제공하고 박막 프로세스를 보다 엄격하게 제어하며 높은 증착 속도를 제공한다는 것입니다. PECVD는 기존의 CVD 온도가 잠재적으로 코팅되는 장치나 기판을 손상시킬 수 있는 상황에서 성공적인 적용을 허용합니다. 더 낮은 온도에서 작동함으로써 PECVD는 박막 층 사이에 응력을 덜 생성하여 고효율 전기 성능과 매우 높은 기준에 대한 접합을 허용합니다.

박막 증착 기술이란?

박막 증착 기술은 수 나노미터에서 100마이크로미터에 이르는 두께 범위의 매우 얇은 재료 필름을 기판 표면이나 이전에 증착된 코팅에 도포하는 공정입니다. 이 기술은 반도체, 광학 장치, 태양광 패널, CD 및 디스크 드라이브를 포함한 현대 전자 제품 생산에 사용됩니다. 박막 증착의 두 가지 광범위한 범주는 화학적 변화가 화학적으로 증착된 코팅을 생성하는 화학적 증착과 재료가 소스에서 방출되어 기계적, 전기기계적 또는 열역학적 프로세스를 사용하여 기판에 증착되는 물리적 기상 증착입니다.

PECVD는 무엇을 의미합니까?

PECVD는 플라즈마를 이용하여 반응 가스를 활성화하고 기판 표면 또는 표면 공간 근처에서 화학 반응을 촉진하여 고체 막을 생성하는 기술입니다. 플라즈마 화학 기상 증착 기술의 기본 원리는 RF 또는 DC 전기장의 작용하에 소스 가스가 이온화되어 플라즈마를 형성하고 저온 플라즈마를 에너지 원으로 사용하고 적절한 양의 반응 가스가 플라즈마 방전을 이용하여 반응가스를 활성화시켜 화학기상증착을 구현한다.

플라즈마를 발생시키는 방법에 따라 RF 플라즈마, DC 플라즈마 및 마이크로파 플라즈마 CVD 등으로 나눌 수 있습니다.

ALD와 PECVD의 차이점은 무엇입니까?

원자층 증착(ALD: Atomic Layer Deposition)은 원자층 두께 분해능, 종횡비가 높은 표면 및 핀홀 없는 층의 우수한 균일성을 가능하게 하는 박막 증착 공정입니다. 이것은 자기 제한 반응에서 원자층의 연속적인 형성에 의해 달성됩니다. 반면에 PECVD는 플라즈마를 사용하여 소스 재료를 하나 이상의 휘발성 전구체와 혼합하여 소스 재료를 화학적으로 상호 작용하고 분해합니다. 공정은 더 높은 압력으로 열을 사용하여 필름 두께가 시간/전력으로 관리될 수 있는 더 재현 가능한 필름으로 이어집니다. 이 필름은 더 화학양론적이고 밀도가 높으며 더 높은 품질의 절연 필름을 성장시킬 수 있습니다.

CVD와 PECVD의 차이점은 무엇입니까?

PECVD와 기존 CVD 기술의 차이점은 플라즈마가 화학 기상 증착 공정에 필요한 활성화 에너지를 제공할 수 있는 많은 수의 고에너지 전자를 포함하여 반응 시스템의 에너지 공급 모드를 변경한다는 것입니다. 플라즈마의 전자 온도는 10000K만큼 높기 때문에 전자와 가스 분자 간의 충돌은 반응 가스 분자의 화학 결합 파괴 및 재결합을 촉진하여 더 많은 활성 화학 그룹을 생성하는 반면 전체 반응 시스템은 더 낮은 온도를 유지합니다.

따라서 CVD 공정에 비해 PECVD는 더 낮은 온도에서 동일한 화학 기상 증착 공정을 수행할 수 있습니다.

PECVD와 스퍼터링의 차이점은 무엇입니까?

PECVD 및 스퍼터링은 둘 다 박막 증착에 사용되는 물리적 기상 증착 기술입니다. PECVD는 스퍼터링이 가시선 증착인 반면 매우 고품질의 박막을 생성하는 확산 가스 구동 프로세스입니다. PECVD는 트렌치, 벽과 같은 고르지 않은 표면에 더 나은 커버리지를 허용하고 높은 적합성을 제공하며 고유한 화합물과 필름을 생성할 수 있습니다. 반면에 스퍼터링은 여러 재료의 미세한 층을 증착하는 데 적합하며 다층 및 다단계 코팅 시스템을 만드는 데 이상적입니다. PECVD는 주로 반도체 산업, 마찰 공학, 광학 및 생물 의학 분야에서 사용되는 반면 스퍼터링은 주로 유전체 재료 및 마찰 공학 응용 분야에 사용됩니다.
이 제품에 대한 더 많은 FAQ 보기

4.8

out of

5

I'm amazed by how well this PECVD machine works. It truly lives up to its promises.

Arnie Halvorsen

4.7

out of

5

The rotary design allows for uniform heating and mixing of materials, leading to consistent results.

Olav Rønning

4.9

out of

5

The plasma generator boosts reaction efficiency and reduces processing temperatures, making it an efficient choice.

Ramiro Amezcua

4.6

out of

5

The variable-diameter furnace tube design ensures proper mixing and optimal heating effects.

Søren Nystrøm

4.8

out of

5

The three-way mass flow meter and gas mixing device offer precise control over the process atmosphere.

Jón Halldórsson

4.7

out of

5

The high-performance mechanical pump facilitates rapid evacuation of the furnace tube, speeding up the process.

Atli Valdimarsson

4.9

out of

5

The continuous coating and modification of powder materials using the CVD method is a game-changer.

Stefan Erfurth

4.6

out of

5

The user-friendly interface and remote control capabilities make operation a breeze.

Helga Rönningsdóttir

4.8

out of

5

The safety features, like over current protection and temperature alarming, ensure peace of mind during operation.

Hermann Lindström

4.7

out of

5

The automatic matching RF plasma source simplifies setup and ensures stable output power.

Jósef Ðurčík

4.9

out of

5

The furnace chamber's sliding system enables fast heating and cooling, enhancing productivity.

Jón Þorleifsson

4.6

out of

5

The high-accuracy MFC mass flowmeter ensures precise control of source gases, leading to consistent results.

Milena Schäfer

4.8

out of

5

The stainless steel vacuum flange with adaptable ports allows for easy integration with different vacuum pump stations.

Hrafnhildur Björnsdóttir

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2-8개의 독립적인 가열 영역이 있는 고정밀 온도 제어를 위한 다중 영역 회전로. 리튬 이온 배터리 전극 재료 및 고온 반응에 이상적입니다. 진공 및 제어된 분위기에서 작업할 수 있습니다.

스파크 플라즈마 소결로 SPS 용광로

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신속한 저온 재료 준비를 위한 스파크 플라즈마 소결로의 이점을 알아보세요. 균일한 가열, 저렴한 비용 및 친환경.

RF PECVD 시스템 무선 주파수 플라즈마 강화 화학 기상 증착

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RF-PECVD는 "Radio Frequency Plasma-Enhanced Chemical Vapor Deposition"의 약어입니다. 게르마늄 및 실리콘 기판에 DLC(Diamond-like carbon film)를 증착합니다. 그것은 3-12um 적외선 파장 범위에서 활용됩니다.

고압 튜브 용광로

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KT-PTF 고압 튜브 퍼니스: 강력한 양압 저항성을 갖춘 컴팩트한 분할 튜브 퍼니스. 작동 온도는 최대 1100°C, 압력은 최대 15Mpa입니다. 컨트롤러 대기 또는 고진공에서도 작동합니다.

실험실 및 다이아몬드 성장을 위한 원통형 공진기 MPCVD 기계

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보석 및 반도체 산업에서 다이아몬드 보석 및 필름을 성장시키는 데 사용되는 마이크로웨이브 플라즈마 화학 기상 증착 방법인 원통형 공진기 MPCVD 기계에 대해 알아보십시오. 기존 HPHT 방법에 비해 비용 효율적인 이점을 발견하십시오.

고열전도성 필름 흑연화로

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고열 전도성 필름 흑연화로는 온도가 균일하고 에너지 소비가 적으며 연속적으로 작동할 수 있습니다.

다구역 관로

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Multi Zone Tube Furnace로 정확하고 효율적인 열 테스트를 경험하십시오. 독립적인 가열 구역 및 온도 센서를 통해 고온 구배 가열 필드를 제어할 수 있습니다. 고급 열 분석을 위해 지금 주문하세요!

석영 튜브가 있는 1200℃ 분할 튜브 용광로

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KT-TF12 분할 튜브 퍼니스: 고순도 단열재, 내장형 열선 코일, 최대. 1200C. 신소재 및 화학 기상 증착에 널리 사용됩니다.

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