실리콘 카바이드(SiC)의 저항은 0.1옴-cm 미만입니다.
이러한 낮은 저항은 특히 저저항성 화학 기상 증착(CVD) 실리콘 카바이드에서 두드러집니다.
이 특성은 반도체 제조 및 기타 고온, 고응력 환경의 다양한 애플리케이션에 대한 적합성을 크게 향상시킵니다.
실리콘 카바이드는 탄소와 실리콘 원자가 결정 격자에서 강한 결합을 이루는 사면체로 구성되어 있습니다.
이 구조는 SiC를 매우 단단하고 강하게 만듭니다.
또한 전기적 특성에도 영향을 미칩니다.
강한 공유 결합은 물질을 통한 전하 캐리어의 이동을 용이하게 하여 낮은 저항률에 기여합니다.
SiC의 낮은 저항률은 전기 전도도와 직접적인 관련이 있습니다.
저저항 SiC는 벌크 저항이 0.1옴-cm 미만인 것으로 설명됩니다.
이 수준의 저항은 SiC가 상당히 우수한 전기 전도성 물질임을 나타냅니다.
이는 전기 전도성이 필수적인 웨이퍼 처리 챔버, 히터 및 정전기 척에 적용하는 데 매우 중요합니다.
SiC는 저항률이 낮기 때문에 전기 전도성, 내마모성, 열충격 저항성이 필요한 환경에서 사용하기에 이상적입니다.
반도체 제조에서 SiC는 서셉터, 처리 챔버, 가스 분배판 등에 사용됩니다.
전기를 효율적으로 전도하는 능력은 웨이퍼에 에너지를 제어하고 분배하는 데 도움이 됩니다.
이는 증착 및 식각 공정의 정밀도와 효율성을 향상시킵니다.
SiC는 전기적 특성 외에도 높은 열전도율(120~270W/mK), 낮은 열팽창, 높은 열충격 저항성을 나타냅니다.
이러한 특성은 고온에서의 화학적 불활성 및 강도 유지와 결합되어 SiC를 고온 애플리케이션에 다용도로 사용할 수 있는 재료로 만듭니다.
고온에서 형성되는 보호 실리콘 산화물 코팅은 내구성과 화학적 공격에 대한 저항성을 더욱 향상시킵니다.
요약하자면 탄화규소의 저항성, 특히 낮은 저항성 형태는 하이테크 산업에서 광범위한 응용 분야에 기여하는 중요한 요소입니다.
낮은 저항률과 기계적 및 열적 특성이 결합된 SiC는 전기 전도성과 고온에서의 내구성이 모두 요구되는 첨단 기술 응용 분야에서 선택되는 소재입니다.
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실리콘 카바이드(SiC)는 뛰어난 열적 특성으로 잘 알려진 소재입니다.
이러한 특성 덕분에 고온 애플리케이션과 급격한 온도 변화가 있는 환경에 이상적입니다.
실리콘 카바이드는 120~270W/mK에 이르는 높은 열전도율을 가지고 있습니다.
이 특성은 효율적인 열 전달을 가능케 하므로 고온 환경에 필수적입니다.
과열의 위험을 줄이고 소재의 전반적인 성능을 향상시킵니다.
SiC의 열전도율은 일반 강철과 주철에 비해 현저히 높습니다.
화학 기상 증착(CVD) SiC의 경우 최소 150W/mK를 달성할 수 있습니다.
그러나 온도가 높아지면 열전도율이 감소한다는 점에 유의해야 합니다.
특정 애플리케이션을 위해 SiC를 선택할 때는 이 점을 고려해야 합니다.
SiC는 열팽창 계수가 4.0x10-6/°C로 낮습니다.
이 낮은 계수는 SiC가 온도 변화에 따른 치수 변화를 최소화한다는 것을 의미합니다.
이 특성은 열 스트레스를 받는 부품의 구조적 무결성을 유지하는 데 유용합니다.
균열이나 다른 형태의 손상 가능성을 줄여줍니다.
열충격에 견디는 SiC의 능력은 가장 가치 있는 열적 특성 중 하나입니다.
열충격 저항성은 급격한 온도 변화에도 손상 없이 견딜 수 있는 소재의 능력을 말합니다.
이는 부품이 갑작스럽고 극심한 온도 변동에 노출되는 애플리케이션에서 특히 중요합니다.
SiC는 높은 열전도율과 낮은 열팽창이 결합되어 있어 열충격 저항성이 뛰어납니다.
따라서 다른 소재가 실패할 수 있는 환경에서 사용하기에 적합합니다.
탄화규소는 최대 1,400˚C의 온도에서도 기계적 강도를 유지합니다.
이는 다른 많은 소재보다 훨씬 높은 수치입니다.
또한 화학적 내식성이 높습니다.
따라서 고온 응용 분야에 대한 적합성이 더욱 향상됩니다.
화학 반응에 대한 이러한 내성은 SiC 부품이 접촉하는 재료에 악영향을 미치지 않도록 합니다.
따라서 반도체 공정 장비, 열교환기 및 기타 중요 부품에 사용하기에 이상적입니다.
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실리콘 카바이드(SiC)는 실제로 열전도율이 높습니다.
SiC의 열전도율은 120~270W/mK입니다.
단결정 형태에서는 최대 490W/mK까지 도달할 수 있습니다.
이러한 높은 열전도율은 다양한 고온 애플리케이션에 사용되는 데 기여하는 중요한 특성입니다.
실리콘 카바이드의 열전도율은 매우 높습니다.
일반적으로 120~270W/mK 범위입니다.
이 범위는 일반적인 강철과 주철보다 훨씬 높습니다.
단결정 SiC와 같은 특정 형태에서는 열전도율이 490W/mK까지 높아질 수 있습니다.
SiC의 열전도율은 온도가 증가함에 따라 감소합니다.
SiC의 제조 방법은 열전도율에 큰 영향을 미칩니다.
재결정화 및 액상 소결 재료는 단결정 형태에 비해 낮은 열전도율(약 30~40W/(m∙К))을 나타냅니다.
SiC의 높은 열전도율은 다양한 응용 분야에 이상적입니다.
예를 들어 고정식 및 이동식 터빈 부품, 열교환기, 반도체 공정 장비 등이 있습니다.
이러한 애플리케이션은 열을 효율적으로 전도하는 SiC의 이점을 누릴 수 있습니다.
실리콘 질화물과 같은 다른 재료에 비해 SiC는 열전도율이 더 높습니다.
실리콘 질화물은 특히 고온에서 이방성 열 특성과 열 전도성 감소를 나타냅니다.
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실리콘 카바이드 발열체는 최대 1625°C(2927°F)의 온도까지 견딜 수 있습니다.
이러한 발열체는 고순도 실리콘 카바이드 입자로 만들어집니다.
이들은 반응 결합 공정 또는 재결정 공정을 통해 서로 융합됩니다.
이 공정에는 3900°F(2150°C) 이상의 온도가 사용됩니다.
실리콘 카바이드 발열체는 내화성이며 비금속입니다.
단단한 막대 또는 튜브 형태로 제공됩니다.
이러한 요소의 온도 범위는 600°C~1600°C입니다.
일반적으로 열처리 산업에서 사용됩니다.
이 산업에서는 높은 온도와 최대 출력이 요구됩니다.
실리콘 카바이드 발열체는 화학 반응에 강합니다.
따라서 가열되는 재료에 악영향을 미치지 않고 사용하기에 적합합니다.
이러한 발열체는 다양한 표준 크기와 형상으로 제공됩니다.
또한 특정 공정 및 장비 요구 사항을 충족하도록 맞춤 제작할 수도 있습니다.
실리콘 카바이드 발열체는 고온 저항성 외에도 에너지 절감 효과도 제공합니다.
수명이 길고 핫엔드 저항이 작습니다.
이러한 요소는 다양한 용광로 설계 및 애플리케이션에 사용할 수 있습니다.
일부 애플리케이션에는 최대 섭씨 1550도의 작동 온도가 포함됩니다.
실리콘 카바이드 발열체는 라디언트 튜브의 베이요넷 요소로도 사용할 수 있습니다.
이 발열체는 2,000°F(1,093°C) 이상의 온도에 적합합니다.
이러한 발열체는 이러한 응용 분야에서 2,400°F(1,316°C)를 초과하는 온도에서도 잘 견딜 수 있습니다.
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실리콘 카바이드 세라믹은 뛰어난 특성으로 잘 알려져 있습니다.
이러한 특성 덕분에 실리콘 카바이드 세라믹은 다양한 응용 분야에 적합합니다.
실리콘 카바이드 세라믹은 가볍지만 강도가 높습니다.
따라서 강도를 저하시키지 않으면서 무게를 줄여야 하는 애플리케이션에 이상적입니다.
이러한 특성은 고온에서도 안정성을 보장합니다.
또한 효율적인 열 전달을 보장합니다.
따라서 실리콘 카바이드는 고온 애플리케이션 및 열교환기에 적합합니다.
실리콘 카바이드는 매우 단단합니다.
다이아몬드와 탄화붕소에 이어 두 번째로 단단합니다.
따라서 내마모성 부품 및 연마재에 탁월합니다.
이 특성 덕분에 실리콘 카바이드는 급격한 온도 변화에도 손상 없이 견딜 수 있습니다.
이는 다양한 산업 공정에서 활용도를 높여줍니다.
실리콘 카바이드 세라믹은 화학적 부식에 대한 내성이 매우 뛰어납니다.
따라서 열악한 화학 환경에서 사용하기에 이상적입니다.
실리콘 카바이드는 경도가 높기 때문에 그라인딩 휠과 사포에 널리 사용됩니다.
내마모성은 씰, 베어링 및 슬라이딩 마찰을 받는 기타 기계 부품에 활용됩니다.
실리콘 카바이드는 전도성 세라믹으로 만들 수 있습니다.
따라서 방전 가공에 적합합니다.
또한 고온 용광로 및 가마에서 발열체로 사용됩니다.
실리콘 카바이드 세라믹은 부식성 가스 및 액체에 노출되는 부품에 사용됩니다.
여기에는 발전소의 탈황 노즐과 화학 펌프의 부품이 포함됩니다.
실리콘 카바이드는 다양한 고온 응용 분야에 사용됩니다.
여기에는 세라믹 및 유리 산업을 위한 전기 발열체와 가마 가구가 포함됩니다.
실리콘 카바이드 세라믹은 방탄복에 사용됩니다.
이는 경도가 높고 무게가 가볍기 때문입니다.
탄화규소는 와이드 밴드 갭 반도체 소재로서 전력 반도체에 사용됩니다.
실리콘 및 갈륨 비소와 같은 기존 소재에 비해 장점이 있습니다.
열전도율과 파괴 전기장 측면에서 그렇습니다.
실리콘 카바이드 세라믹은 광범위한 응용 분야를 가진 다목적 소재입니다.
전통적인 산업 분야는 물론 첨단 기술 분야까지 폭넓게 사용됩니다.
이는 현대 기술과 산업에서 실리콘 카바이드 세라믹의 중요한 역할을 보여줍니다.
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SiC 기술은 기존 소재에 비해 몇 가지 중요한 이점을 제공합니다.
SiC와 GaN 소재는 실리콘보다 임계 항복 전압이 훨씬 높습니다.
결과적으로 주어진 다이 면적과 전압 정격에 대해 온저항이 낮아집니다.
2. 우수한 내화학성 및 내식성
부식에 대한 저항성이 뛰어나 화학 및 플라즈마 환경에서 사용하기에 적합합니다.
3. 경이로운 열적 특성
1400°C에 이르는 온도에서도 높은 기계적 강도를 유지할 수 있습니다.
이러한 특성으로 인해 SiC는 고온 작동과 열 순환에 대한 저항성이 필요한 애플리케이션에 이상적입니다.
4. 소유 비용 절감
높은 효율과 전력 손실 감소로 에너지 절약이 가능합니다.또한 SiC의 뛰어난 내구성과 부식에 대한 저항성은 유지보수 및 교체 비용을 줄여줍니다.5. 비입자 생성
실리콘 카바이드(SiC)는 다양한 방법을 통해 합성되며, 각각 고유한 공정과 이점을 가지고 있습니다.
이 방법에서는 실리카 및 활성탄이 원료로 사용됩니다.
실리카는 알칼리 추출 및 졸-겔 방법을 사용하여 실리카 왕겨에서 얻습니다.
이 방법은 SiC의 제어된 승화를 포함합니다.
에피택셜 그래핀은 전자빔 또는 저항 가열을 사용하여 SiC 기판을 열분해하여 얻을 수 있습니다.
이 공정은 오염을 최소화하기 위해 초고진공(UHV)에서 수행됩니다.
Si 탈착 후 SiC 웨이퍼 표면의 과도한 탄소는 육각형 격자를 형성하기 위해 재배열됩니다.
그러나 이 방법은 비용이 많이 들고 대량 생산을 위해서는 많은 양의 Si가 필요합니다.
CVD는 SiC 필름의 성장에 사용됩니다.
소스 가스의 선택은 기판의 열 안정성에 따라 달라집니다.
예를 들어, 실란(SiH4)은 300~500°C, 디클로로실란(SiCl2H2)은 약 900°C, 테트라에틸 오르토실리케이트(Si(OC2H5)4)는 650~750°C에서 증착됩니다.
이 과정을 통해 저온 산화물(LTO) 층이 형성됩니다.
그러나 실란은 다른 방법에 비해 품질이 낮은 산화물을 생성합니다.
CVD 산화물은 일반적으로 열 산화물보다 품질이 낮습니다.
SiC 상에서 그래핀의 CVD 제조는 다양한 파라미터를 고려하여 그래핀 층의 품질에 영향을 미치는 새로운 기술입니다.
SiC 위 CVD 준비의 핵심 요소는 낮은 온도로 SiC 원자가 SiC 결정의 벌크로 확산되는 것을 방지하는 것입니다.
이로 인해 기판과 그래핀 단층 사이에 핀 포인트가 형성되어 원하는 독립형 그래핀이 생성됩니다.
이 기술은 CVD 그래핀의 대규모 제조에 적합합니다.
SiC는 다결정 금속에 CVD를 통해 그래핀을 성장시키는 데에도 사용할 수 있습니다.
이 방법은 SiC의 내마모성과 고온 강도 특성을 활용합니다.
반응 결합 SiC 방법은 SiC와 탄소의 혼합물로 만든 컴팩트에 액체 실리콘을 침투시켜 탄소와 반응하여 실리콘 카바이드를 형성하는 방식입니다.
소결 SiC 방식은 비산화물 소결 보조제와 함께 순수한 SiC 분말을 고온의 불활성 분위기에서 소결하여 생산합니다.
위는 SiC에 사용되는 합성 방법 중 일부이며, 각 방법에는 장점과 한계가 있습니다.
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실리콘 카바이드(SiC)는 뛰어난 기계적, 열적, 화학적 특성으로 인해 주목받는 소재입니다. 이러한 특성 덕분에 특히 고온 및 부식성 환경에서 다양한 용도로 사용하기에 이상적입니다.
실리콘 카바이드의 모스 경도 등급은 9로 다이아몬드만큼 단단합니다. 경도가 높기 때문에 내마모성이 필요한 용도에 적합합니다. 예를 들어 그라인딩 휠, 사포, 절삭 공구 등에 사용됩니다. 또한 기계적 강도는 자동차 및 항공우주 분야와 같이 높은 응력을 받는 구조 부품에 사용할 수 있도록 지원합니다.
SiC는 120~270W/mK에 이르는 높은 열전도율을 보입니다. 이는 고온 환경에서 열을 방출하는 데 매우 중요합니다. 산업용 용광로의 발열체나 로켓 엔진의 부품과 같은 애플리케이션에 유용합니다. 또한 열팽창이 적고 열충격 저항성이 높아 급격한 온도 변화에도 내구성이 뛰어나 미세 균열로 인한 손상을 방지합니다.
실리콘 카바이드는 화학적으로 불활성이어서 대부분의 물질과의 반응에 저항합니다. 이러한 특성은 부식성 환경에서 특히 유용합니다. 예를 들어 발전소의 탈황 노즐과 화학 펌프의 부품에 사용됩니다. 부식에 대한 내성은 이러한 애플리케이션에서 수명을 연장하여 유지보수 비용과 가동 중단 시간을 줄여줍니다.
반도체 소재인 SiC는 넓은 밴드 갭, 높은 열전도율, 높은 전자 이동도를 가지고 있습니다. 이러한 특성 덕분에 SiC는 실리콘이나 갈륨 비소 같은 기존 전력 전자 소재보다 우수한 성능을 발휘합니다. SiC 디바이스는 더 높은 온도와 전압에서 작동할 수 있어 최신 전력 시스템과 전기 자동차에 필수적입니다.
SiC는 전통적인 용도를 넘어 첨단 기술 분야에서도 점점 더 중요해지고 있습니다. 예를 들어, 높은 경도와 가벼운 무게로 인해 방탄복에 사용됩니다. 반도체 산업에서 SiC 기판은 더 효율적이고 내구성이 뛰어난 발광 다이오드(LED)를 생산할 수 있게 해줍니다.
실리콘 카바이드의 독특한 특성 조합은 현대 기술에서 중요한 재료로 자리매김하고 있습니다. 일상적인 산업 도구부터 첨단 전자 및 방위 시스템에 이르기까지 다양한 분야에서 활용도가 높고 그 중요성이 강조되고 있습니다. 기술이 발전함에 따라 SiC에 대한 수요는 증가할 것으로 예상되며, 글로벌 소재 시장에서 그 중요성은 더욱 강조될 것입니다.
실리콘 카바이드의 놀라운 성능 알아보기실리콘 카바이드(SiC) 실리콘 카바이드의 놀라운 힘을킨텍 - 최첨단 소재를 위한 신뢰할 수 있는 실험실 공급업체입니다. 당사의 고품질 SiC 화합물은 탁월한 기계적, 열적, 화학적 복원력을 제공하여 다양한 산업 분야의 고온 및 부식성 환경에 없어서는 안 될 필수 요소입니다. 지금 바로 킨텍과 함께 프로젝트의 수준을 높이고 재료 과학의 미래를 직접 경험해 보세요!
실리콘 카바이드(SiC)는 실리콘과 탄소로 합성된 화합물입니다.
탄화규소는 뛰어난 경도와 열적 특성으로 잘 알려져 있습니다.
물리적 특성과 화학적 특성의 독특한 조합으로 인해 다양한 산업 분야에 걸쳐 사용됩니다.
실리콘 카바이드는 경도가 매우 높아 절삭 공구 및 연마재에 탁월한 소재입니다.
역사적으로 사포와 그라인딩 휠에 사용되어 왔습니다.
내구성과 날카로운 모서리는 효과적인 재료 제거에 필수적입니다.
높은 내열성(최대 1400°C까지 강도 유지)으로 인해 SiC는 산업용 용광로용 발열체에 사용됩니다.
높은 열전도율과 낮은 열팽창 계수는 열 안정성이 중요한 응용 분야에 대한 적합성을 높여줍니다.
SiC 세라믹은 고온 용광로 및 가마의 내화 라이닝에 사용됩니다.
화학적 불활성이 높고 부식에 강하기 때문에 기존 소재가 빠르게 열화되는 환경에 이상적입니다.
와이드 밴드갭 반도체 소재인 SiC는 고전력 및 고주파 장치에 사용됩니다.
높은 파괴 전기장 및 높은 전자 포화 속도와 같은 특성으로 인해 특히 전력 전자 장치에서 실리콘 및 갈륨 비소와 같은 기존 반도체보다 우수합니다.
SiC 부품은 펌프, 로켓 엔진, 자동차 부품 등 내구성과 극한 조건에 대한 저항성이 가장 중요한 부품에 사용됩니다.
밀도가 낮고 강성이 높아 무게에 민감한 응용 분야에 탁월한 선택입니다.
입방정 결정 구조를 가진 β-SiC 형태는 균일하고 제어 가능한 연마 특성으로 인해 정밀 연삭 및 연마 재료에 사용됩니다.
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SiC 반도체는 전자 기기 및 제조 공정에 광범위하게 적용됩니다.
고온 및 고전압 애플리케이션: SiC 반도체 장치는 고온 또는 고전압 또는 두 가지 모두에서 작동할 수 있습니다. 따라서 전력 전자 장치, 전기 자동차 부품 및 항공 우주 시스템과 같이 기존 반도체가 고장날 수 있는 애플리케이션에 적합합니다.
열 충격 저항: SiC는 열전도율이 높고 열팽창이 적어 급격한 온도 변화에도 손상 없이 견딜 수 있는 능력이 향상됩니다. 따라서 SiC는 로켓 노즐, 열교환기, 연소 엔진 밸브와 같이 열충격에 대한 저항성이 필요한 애플리케이션에 이상적입니다.
향상된 처리 챔버 재료: SiC는 처리 챔버에 사용되는 장비 제조에 사용할 수 있습니다. 고순도, 강성, 내화학성 및 내산화성, 열충격에 대한 내성, 치수 안정성 등의 이점이 있습니다. 또한 SiC는 낮은 전기 저항을 제공하여 웨이퍼 처리에 대한 새로운 가능성을 열어주고 챔버 내부의 가열 균일성을 개선할 수 있습니다.
터빈 애플리케이션용 세라믹 부품: SiC는 터빈 부품의 기술 등급 세라믹 소재로 사용됩니다. 우수한 내열성, 높은 기계적 강도, 극한의 경도, 낮은 열팽창 계수 덕분에 터빈 시스템의 고온 환경에 적합합니다.
전자 기기 제조: SiC는 다양한 목적으로 전자 장치 제조에 사용됩니다. 여러 전도성 층을 분리하고, 커패시터를 만들고, 표면 패시베이션을 제공하는 데 사용할 수 있습니다. SiC는 광학적, 기계적, 전기적 특성으로 인해 태양 전지, 반도체 장치 및 광활성 장치에도 활용됩니다.
인쇄 가능한 전자 장치: SiC는 공정 효율을 개선하고 대량 패터닝을 가능하게 하며 비용을 절감하기 위해 인쇄 가능한 전자 기기의 공정에 사용됩니다. 이러한 특성은 전도성 층을 생성하고 인쇄 전자 장치에 절연을 제공하는 데 적합합니다.
PECVD 필름: SiC PECVD(플라즈마 강화 화학 기상 증착) 필름은 반도체 애플리케이션에서 이점을 제공합니다. 다른 필름에 비해 커패시턴스 밀도, 항복 전압, 입자 특성이 더 높습니다. SiC PECVD 필름은 고온 내성 MEM(마이크로 전자 기계 시스템) 디바이스 개발에 유망합니다.
전반적으로 SiC 반도체를 사용하면 다양한 전자 및 제조 애플리케이션에서 고온 작동, 열 충격 저항, 처리 챔버 재료 개선, 성능 향상 등의 이점을 얻을 수 있습니다.
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SiC는 1400°C에 이르는 온도에서도 높은 기계적 강도를 유지합니다.
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SiC는 매우 단단하여 내구성과 내마모성에 기여합니다.
이러한 경도는 우수한 내피로성과 결합되어 씰, 베어링 및 볼 밸브 부품과 같이 재료가 고장 없이 반복적으로 응력을 받는 응용 분야에 SiC가 적합합니다.
SiC는 120~270W/mK의 높은 열전도율을 가지고 있으며, 이는 다른 많은 소재보다 훨씬 높은 수치입니다.
이러한 높은 열전도율은 열을 효율적으로 방출하여 과열의 가능성을 줄여줍니다.
또한 SiC는 열팽창 계수가 4.0x10-6/°C로 다른 대부분의 반도체 소재보다 낮습니다.
이러한 낮은 팽창률은 온도 변화에도 소재의 형태와 무결성을 유지하여 열충격 저항성을 향상시키는 데 도움이 됩니다.
SiC는 높은 화학적 불활성과 내식성을 나타냅니다.
이 특성은 재료가 부식성 물질과 접촉할 수 있는 환경에서 유용하므로 화학 처리 장비 및 반도체 공정 장비와 같은 응용 분야에 이상적입니다.
SiC의 높은 열전도율과 낮은 열팽창의 조합으로 열충격 저항성이 뛰어납니다.
즉, SiC는 열 순환 또는 급격한 온도 변동과 관련된 애플리케이션에 중요한 특성인 큰 손상 없이 급격한 온도 변화를 견딜 수 있습니다.
이러한 특성으로 인해 SiC는 고정 및 이동 터빈 부품, 흡입 박스 커버, 씰, 베어링, 볼 밸브 부품, 고온 가스 흐름 라이너, 열교환기, 반도체 공정 장비 등 다양한 분야에 사용됩니다.
극한 조건에서의 다용도성과 성능 덕분에 하이테크 산업에서 귀중한 소재입니다.
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실리콘 카바이드(SiC)는 실리콘과 탄소로 구성된 세라믹 소재입니다.
뛰어난 기계적 및 열적 특성으로 잘 알려져 있습니다.
SiC는 높은 경도, 높은 열전도율, 낮은 열팽창, 우수한 열충격 저항성이 특징입니다.
따라서 연마재, 내화물, 반도체 제조 등 다양한 분야에 적합합니다.
SiC는 실리콘과 탄소의 화합물로 화학식은 SiC입니다.
다양한 결정 형태로 존재하며, 가장 일반적인 형태는 α-SiC와 β-SiC입니다.
6H, 4H, 15R 등 다양한 폴리타입을 가진 α-SiC 형태는 산업용 애플리케이션에 널리 사용되며 고온에서 안정적입니다.
입방정 결정 구조의 β-SiC는 1600°C 이하의 온도에서 안정적이며, 고온에서는 α-SiC로 변합니다.
높은 경도: SiC는 다이아몬드에 가까운 경도를 가지고 있어 우수한 연마재입니다.
높은 열전도율: 120~270W/mK 범위의 값을 가진 SiC는 열을 효율적으로 전도하므로 발열체 및 열교환기와 같은 애플리케이션에 매우 중요합니다.
낮은 열팽창: 4.0x10-6/°C의 열팽창 계수는 온도 변동에 따른 치수 변화를 최소화하여 열충격 저항성을 높입니다.
뛰어난 열충격 저항성: 이 특성 덕분에 SiC는 균열 없이 급격한 온도 변화를 견딜 수 있어 고온 환경에 이상적입니다.
SiC는 고유한 특성으로 인해 다양한 산업 분야에서 사용됩니다.
반도체 산업: SiC 세라믹은 실리콘 웨이퍼 생산을 위한 연삭 디스크 및 고정 장치에 사용되며, 높은 경도와 실리콘과의 열 호환성 덕분에 이점을 누릴 수 있습니다.
전력 전자: SiC 소자는 넓은 밴드 갭, 높은 열 전도성, 높은 항복 전기장으로 인해 전력 반도체에서 선호되며 실리콘 및 갈륨 비소와 같은 기존 소재보다 성능이 뛰어납니다.
연마재 및 내화물: SiC의 연마 특성과 고온에 대한 내성은 연삭 휠과 내화 재료에 적합합니다.
산업용 SiC는 주로 Acheson 방법, 이산화규소 저온 탄화환원, 실리콘-탄소 직접 반응 등의 방법으로 합성됩니다.
이러한 공정을 통해 SiC 분말이 생성되고, 이 분말은 다양한 SiC 제품을 제조하는 데 사용됩니다.
요약하자면, SiC는 뛰어난 기계적 강도와 열적 특성을 지닌 다목적 세라믹 소재로, 특히 고온 및 마모성 환경의 현대 산업 응용 분야에서 없어서는 안 될 필수 소재입니다.
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반도체 제조에서 전력 전자 제품에 이르기까지, 탁월한 경도, 열 전도성 및 저항성을 제공하는 당사의 SiC 소재를 사용하세요.
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실리콘 카바이드(SiC)는 높은 열전도율, 전기 전도도, 내마모성 및 내식성 등의 고유한 특성으로 인해 에너지 분야에서 다양하게 활용되는 다목적 소재입니다.
이러한 특성으로 인해 SiC는 전력 반도체, 고온 전기 발열체, 부식성 환경의 부품 등 다양한 에너지 관련 애플리케이션에 이상적입니다.
SiC는 3세대 와이드 밴드갭 반도체 소재입니다.
실리콘(Si) 및 갈륨비소(GaAs)와 같은 기존 소재에 비해 SiC는 밴드갭이 더 크고 열전도율이 높으며 전자 포화 이동도가 더 높습니다.
이러한 특성 덕분에 SiC 디바이스는 더 높은 온도와 전압에서 작동할 수 있어 전기 자동차, 재생 에너지 시스템 및 고전압 애플리케이션의 전력 전자 장치에 적합합니다.
SiC 전력 장치는 더 높은 주파수와 전압을 더 효율적으로 처리하여 에너지 손실을 줄이고 시스템 효율을 개선할 수 있습니다.
SiC는 비금속 고온 전기 발열체를 제조하는 데 사용됩니다.
이러한 요소는 세라믹, 유리, 반도체와 같이 고온 처리가 필요한 산업에서 매우 중요합니다.
SiC 막대 및 기타 구성 요소는 최대 2200°C의 극한 온도를 견딜 수 있어 터널 가마, 롤러 가마 및 다양한 가열 장비에 사용하기에 이상적입니다.
또한 SiC의 높은 열전도율은 보다 균일한 열 분배를 도와 가열 공정의 품질과 효율을 향상시킵니다.
발전소의 탈황 노즐이나 화학 펌프의 부품과 같이 부품이 부식성 가스나 액체에 노출되는 환경에서는 화학적 불활성 및 내마모성으로 인해 SiC가 탁월한 선택입니다.
이러한 애플리케이션에서 SiC 부품은 장기간 유지보수 없이 작동할 수 있어 잦은 교체나 수리로 인한 다운타임과 비용을 줄일 수 있습니다.
SiC의 에너지 분야 적용은 주로 우수한 열적 및 전기적 특성으로 인해 이루어집니다.
SiC는 전자 기기의 효율과 성능을 향상시키는 전력 반도체, 산업 공정의 고온 발열체, 부식 및 마모 환경에 대한 저항성이 필요한 부품에 사용됩니다.
이러한 애플리케이션은 에너지 사용의 효율성을 개선할 뿐만 아니라 장비의 수명을 연장하여 보다 지속 가능하고 비용 효율적인 에너지 솔루션에 기여합니다.
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실리콘 카바이드(SiC)는 탄소와 실리콘의 화합물입니다.
뛰어난 기계적, 열적, 화학적 특성으로 잘 알려져 있습니다.
SiC는 저밀도, 고강도, 낮은 열팽창, 높은 열전도율, 높은 경도, 높은 탄성계수, 우수한 열충격 저항성, 우수한 화학적 불활성을 나타냅니다.
이러한 특성으로 인해 SiC는 다양한 산업 및 하이테크 애플리케이션에서 다용도로 활용되는 소재입니다.
SiC는 다이아몬드와 탄화붕소 다음으로 경도가 높습니다.
따라서 내마모성 응용 분야에 탁월한 연마재 및 소재입니다.
높은 탄성 계수는 응력 하에서 변형에 대한 강한 저항력을 나타냅니다.
이는 구조적 무결성에 기여합니다.
이 소재는 열팽창이 적고 열전도율이 높아 열 스트레스에 강합니다.
열을 효율적으로 전도할 수 있습니다.
이는 급격한 온도 변화나 높은 열 부하가 발생하는 애플리케이션에 매우 중요합니다.
SiC는 뛰어난 화학적 불활성을 보여줍니다.
따라서 부식성 물질이 있는 환경에서 사용하기에 이상적입니다.
예를 들어, 탈황 노즐 및 화학 펌프의 부품에 사용됩니다.
화학적 공격과 열화에 대한 내성이 뛰어나 이러한 열악한 환경에서 수명이 연장됩니다.
전통적으로 세라믹으로 간주되던 SiC는 전기 전도성을 나타내도록 설계할 수 있습니다.
이를 통해 반도체 장치의 전기 발열체 및 부품으로 응용 분야가 확장되었습니다.
전기를 전도하는 능력 덕분에 방전 가공(EDM)을 사용할 수 있습니다.
이를 통해 복잡한 형상과 정밀 부품을 쉽게 생산할 수 있습니다.
SiC의 다양한 특성 덕분에 다양한 용도로 사용할 수 있습니다.
여기에는 연마재, 내화물, 세라믹, 전기 발열체, 반도체 공정 장비, 고온 구조물 등이 포함됩니다.
방위 산업에서 SiC 세라믹은 높은 경도와 가벼운 무게로 인해 방탄복으로 사용됩니다.
반도체 산업에서 SiC 소자는 실리콘이나 갈륨 비소와 같은 기존 소재보다 뛰어난 성능을 제공합니다.
이는 특히 전력 애플리케이션에서 두드러집니다.
SiC는 소결, 반응 결합, 결정 성장, 화학 기상 증착(CVD) 등 다양한 방법을 통해 생산됩니다.
각 방법은 서로 다른 애플리케이션과 요구 사항을 충족합니다.
CVD SiC는 전기 및 전자 애플리케이션에 적합한 낮은 전기 저항을 제공합니다.
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항공우주에서 반도체 제조에 이르기까지 SiC의 우수한 기계적, 열적, 화학적 특성은 산업에 혁신을 일으키고 있습니다.
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탄화규소(SiC)의 열팽창은 4.0x10^-6/°C입니다.
이 값은 대부분의 다른 반도체 재료보다 현저히 낮습니다.
이는 SiC의 열 충격 저항성과 전반적인 내구성에 크게 기여합니다.
열팽창은 온도 상승으로 인해 재료의 크기가 증가하는 것을 말합니다.
SiC의 경우 열팽창 계수가 상대적으로 낮습니다.
즉, 동일한 온도 변화를 받았을 때 다른 소재에 비해 덜 팽창한다는 의미입니다.
이 특성은 소재가 다양한 온도에 노출되는 애플리케이션에서 매우 중요합니다.
열 스트레스로 인한 손상 위험을 줄여줍니다.
SiC의 낮은 열팽창은 높은 열전도율(120~270W/mK)과 결합하여 열충격에 대한 저항력을 향상시킵니다.
열충격 저항성은 급격한 온도 변화를 손상 없이 견딜 수 있는 소재의 능력입니다.
소재에 온도 변화가 발생하면 소재의 여러 부분이 서로 다른 속도로 팽창하거나 수축하여 내부 응력이 발생합니다.
SiC는 열팽창이 적어 이러한 응력을 최소화하는 데 도움이 됩니다.
따라서 반도체 전자 장치, 로켓 노즐, 열교환기 등 고온 애플리케이션에 적합합니다.
낮은 열팽창과 높은 열전도율의 조합으로 SiC는 열 안정성과 내구성이 중요한 애플리케이션에 이상적인 소재입니다.
예를 들어 터빈 부품, 열교환기 및 반도체 공정 장비 제조에서 SiC의 특성은 부품이 극한의 열 조건에서도 고장 없이 작동할 수 있도록 보장합니다.
이는 이러한 시스템의 성능을 향상시킬 뿐만 아니라 수명을 연장하여 유지보수 비용과 다운타임을 줄여줍니다.
요약하면, 4.0x10^-6/°C에서 SiC의 열 팽창은 열 충격 저항과 내구성이 가장 중요한 고온 애플리케이션에 적합한 핵심 요소입니다.
킨텍과 함께 극한 조건을 위해 설계된 소재의 탁월한 성능을 확인해 보십시오.
당사의 SiC 제품은 열팽창 특성이 뛰어나 가장 혹독한 열 환경을 견디는 데 이상적입니다.
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SiC의 열 저항은 제공된 참고 자료에 직접 명시되어 있지는 않지만 열 전도성 및 열 팽창에 대한 정보를 통해 유추할 수 있습니다.
열 저항은 열전도율의 역수로, 재료가 열을 얼마나 효과적으로 전도하는지를 측정합니다.
SiC는 120~270W/mK 범위의 높은 열전도율을 가지며, 이는 낮은 열저항을 나타냅니다.
설명
SiC는 120~270W/mK 범위의 높은 열전도율로 유명합니다.
이러한 높은 전도도는 실리콘과 탄소 원자가 사면체 격자 형태로 배열되어 있고 공유 결합이 강하기 때문입니다.
열전도율이 높으면 열이 소재 전체에 고르게 분산되어 열 구배의 축적을 줄이고 열 충격을 견디는 능력을 향상시킬 수 있습니다.
SiC의 열팽창 계수는 4.0x10-6/°C로 비교적 낮습니다.
열팽창이 낮다는 것은 온도 변화에 따라 재료의 팽창과 수축이 적어 급격한 온도 변동 시 균열이나 고장을 일으킬 수 있는 내부 응력이 줄어든다는 것을 의미합니다.
이러한 특성은 높은 열전도율과 결합되어 SiC의 뛰어난 열충격 저항성에 기여합니다.
열충격 저항성은 급격한 온도 변화를 손상 없이 견딜 수 있는 소재의 능력입니다.
SiC는 높은 열전도율과 낮은 열팽창의 조합으로 열충격에 대한 저항성이 뛰어납니다.
이러한 저항성은 반도체 전자 장치, 로켓 노즐 및 열교환기와 같이 고온 및 급격한 온도 변화가 발생하는 애플리케이션에서 매우 중요합니다.
우수한 열 특성으로 인해 SiC는 열 안정성과 열 충격에 대한 저항성이 필수적인 다양한 고온 응용 분야에 사용됩니다.
용광로, 열교환기, 연소 엔진 및 전기 자동차의 부품을 위한 라이닝 블록과 벽돌을 예로 들 수 있습니다.
요약하면, 열 저항의 구체적인 수치는 제공되지 않지만 SiC의 높은 열전도율과 낮은 열팽창은 열 저항이 낮다는 것을 의미하므로 열 안정성과 열 충격에 대한 저항이 필요한 응용 분야에 탁월한 소재입니다.
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실리콘 카바이드(SiC)는 독특한 특성으로 인해 다양한 응용 분야에서 높은 가치를 지닌 소재입니다.
SiC는 1400°C에 이르는 온도에서도 높은 기계적 강도를 유지하므로 고정 및 이동 터빈 부품, 열교환기, 반도체 공정 장비와 같은 고온 환경의 애플리케이션에 이상적입니다.
SiC는 열전도율 범위가 120~270W/mK이고 열팽창 계수가 4.0x10-6/°C로 낮습니다. 이러한 특성은 열교환기 및 반도체 처리 장비와 같이 급격한 온도 변화가 발생하는 애플리케이션에서 매우 중요한 열충격 저항성에 기여합니다.
높은 열전도율과 낮은 열팽창의 조합으로 SiC는 급격한 온도 변화에도 손상 없이 견딜 수 있습니다. 이러한 특성은 터빈 부품 및 열교환기와 같이 열 스트레스가 재료 고장으로 이어질 수 있는 응용 분야에서 특히 유용합니다.
SiC의 경도는 다이아몬드와 탄화붕소 다음으로 높기 때문에 씰, 베어링, 연마재와 같은 내마모성 응용 분야에 탁월한 소재입니다. 화학적 불활성과 부식에 대한 내성이 뛰어나 발전소의 탈황 노즐이나 화학 펌프의 부품과 같은 부식성 환경에서 사용하기에 적합합니다.
3세대 와이드 밴드갭 반도체 소재인 SiC는 밴드갭이 크고 열전도율이 높으며 전자 포화 이동도가 높아 전력 반도체 애플리케이션에서 실리콘 및 갈륨 비소와 같은 기존 소재보다 우수합니다. 이러한 특성 덕분에 더 효율적이고 컴팩트한 전력 디바이스를 개발할 수 있습니다.
SiC는 전도성 세라믹으로 만들어 가공성을 향상시킬 수 있어 방전 가공을 통해 복잡한 형태의 부품을 생산할 수 있습니다. 이러한 다용도성 덕분에 항공우주 및 방위 산업을 비롯한 다양한 산업 분야에서 활용도가 확대되고 있으며, 높은 경도와 가벼운 특성으로 인해 방탄복으로도 사용되고 있습니다.
요약하자면, 열적, 기계적, 화학적 특성이 결합된 SiC는 전통적인 산업 응용 분야부터 첨단 기술 분야에 이르기까지 다양한 산업 분야에서 매우 유리한 소재입니다. 극한 조건에서 우수한 성능을 발휘하는 능력과 제조 공정에서의 다용도성은 그 활용도와 가치를 더욱 높여줍니다.
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실리콘 카바이드(SiC)는 높은 열 안정성을 나타냅니다.
이는 높은 열전도율, 낮은 열팽창, 고온에서도 강한 기계적 강도에 기인합니다.
따라서 SiC는 열 충격에 매우 강하고 최대 1600°C의 온도에서도 구조적 무결성을 유지할 수 있습니다.
SiC의 열 전도성 범위는 120~270W/mK입니다.
이는 일반적인 강철과 주철보다 현저히 높은 수치입니다.
이러한 높은 열전도율 덕분에 소재 내에서 열을 효율적으로 분배할 수 있습니다.
따라서 국부적인 과열과 열 스트레스가 발생할 가능성이 줄어듭니다.
열을 효율적으로 전도하는 능력은 균일한 온도 분포를 유지하는 데 도움이 됩니다.
이는 열 안정성을 향상시킵니다.
SiC의 열팽창 계수는 4.0x10-6/°C입니다.
온도 변화에 따라 다른 많은 소재보다 팽창이 적습니다.
이 낮은 팽창률은 온도 변동 시 발생하는 내부 응력을 최소화합니다.
이는 열 충격에 대한 저항력에도 기여합니다.
팽창 및 수축률이 감소하면 다양한 온도에서 재료의 구조적 무결성을 유지하는 데 도움이 됩니다.
SiC는 1400°C의 높은 온도에서도 높은 기계적 강도를 유지합니다.
이러한 강도는 열 응력 하에서 소재의 형태와 변형에 대한 저항력을 유지하는 데 매우 중요합니다.
탄소와 실리콘 원자의 사면체로 구성된 SiC 결정 격자의 강한 결합이 이러한 견고한 기계적 특성을 제공합니다.
이는 높은 열 안정성에 필수적인 요소입니다.
SiC는 최대 800°C의 산, 알칼리 또는 용융 염에 의해 공격받지 않습니다.
공기 중에서 1200°C에서 보호용 실리콘 산화물 코팅을 형성합니다.
이는 내구성과 고온에서의 열화에 대한 저항성을 더욱 향상시킵니다.
이러한 화학적 안정성과 보호층 형성은 전반적인 열 안정성에 기여합니다.
이는 소재를 약화시킬 수 있는 화학적 열화를 방지합니다.
높은 열전도율, 낮은 열팽창, 강한 기계적 강도의 조합으로 SiC는 뛰어난 열충격 저항성을 제공합니다.
즉, SiC는 급격하고 극심한 온도 변화에도 손상 없이 견딜 수 있습니다.
이러한 조건에서 열 스트레스에 저항하고 구조적 무결성을 유지하는 소재의 능력은 열 안정성의 직접적인 결과입니다.
요약하자면, SiC의 열 안정성은 물리적 및 화학적 특성의 결과입니다.
이러한 특성을 종합적으로 고려하면 고온과 급격한 온도 변화에도 큰 성능 저하 없이 견딜 수 있습니다.
따라서 SiC는 반도체 제조 및 고온 용광로와 같이 높은 내열성과 안정성이 요구되는 애플리케이션에서 매우 유용한 소재입니다.
프리미엄 실리콘 카바이드(SiC) 제품의 탁월한 열 안정성을 확인하고 귀사의 애플리케이션을 새로운 차원으로 끌어올리세요.
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실리콘 카바이드(SiC)는 여러 가지 이유로 기존 소재보다 더 효율적입니다.
SiC는 실리콘(Si)보다 열전도율이 3.5배 가까이 높습니다.
즉, SiC는 단위 면적당 더 많은 전력(열)을 방출할 수 있습니다.
SiC의 높은 열전도율 덕분에 더 높은 온도를 처리하고 고전력 애플리케이션에서 더 효율적으로 작동할 수 있습니다.
SiC는 매우 높은 고온 강도를 가지고 있습니다.
1,400˚C의 높은 온도에서도 기계적 특성을 유지할 수 있습니다.
따라서 SiC는 산업용 용광로의 발열체와 같이 고온 저항성이 필요한 애플리케이션에 적합합니다.
SiC는 열팽창 계수가 낮습니다.
즉, 온도 변화에 따라 크게 팽창하거나 수축하지 않습니다.
이러한 특성 덕분에 SiC는 열 충격에 대한 내성이 뛰어나 급격한 온도 변화에도 균열이나 파손 없이 견딜 수 있습니다.
SiC는 기존 소재에 비해 내화학성과 내식성이 뛰어납니다.
화학 및 플라즈마 환경에서 다른 소재보다 뛰어난 성능을 발휘합니다.
따라서 SiC는 부식성 물질이나 열악한 환경이 존재하는 애플리케이션에 적합합니다.
SiC는 모스 경도 등급이 9인 매우 단단한 화합물입니다.
이 높은 경도 덕분에 SiC는 내마모성이 뛰어납니다.
마모와 마모에 대한 저항성이 필요한 절삭 공구 및 부품에 적합합니다.
SiC는 낮은 전기 저항으로 생산할 수 있습니다.
이 특성 덕분에 방전 가공(EDM) 방법을 사용하여 미세한 피처와 고종횡비 구조를 제작할 수 있습니다.
SiC는 밀도가 낮고 강성이 높습니다.
이러한 특성의 조합은 SiC를 가볍고 단단하게 만듭니다.
무게 감소와 구조적 무결성이 중요한 애플리케이션에 적합합니다.
열 관리 업그레이드킨텍의 고성능 실리콘 카바이드(SiC) 솔루션으로 열 관리를 업그레이드하세요.. 실리콘보다 열 전도성이 약 3.5배 뛰어난 SiC 제품은 열을 더 효과적으로 방출하도록 설계되어 과열 위험을 줄이고 전반적인 효율을 개선합니다. 신뢰할 수 있는 SiC 소재로 뛰어난 내화학성 및 내식성, 극한의 경도, 높은 열충격 저항성을 경험하세요. KINTEK의 SiC 솔루션으로 전력 밀도를 극대화하고 최적의 성능을 보장하세요.지금 업그레이드하여 효율성과 안정성을 향상하세요!
실리콘 카바이드 나노 입자는 뛰어난 열적 특성으로 잘 알려져 있습니다.
이러한 특성 덕분에 고온 환경과 주기적으로 가열되는 재료에 사용하기에 이상적입니다.
실리콘 카바이드(SiC)는 120~270W/mK에 이르는 높은 열전도율을 가지고 있습니다.
이는 일반 강철과 주철보다 훨씬 높은 수치입니다.
SiC는 열 전달 애플리케이션에 탁월한 소재입니다.
SiC의 열전도율은 제조 방법에 따라 달라질 수 있으며, 단결정 SiC의 경우 490W/(m∙К)까지 보고되었습니다.
이러한 특성은 효율적인 열 방출이 중요한 열교환기 및 반도체 공정 장비와 같은 애플리케이션에 필수적입니다.
SiC는 열팽창 계수가 약 4.0x10-6/°C로 낮습니다.
이러한 낮은 팽창률은 다양한 온도에서 SiC가 치수 안정성을 유지하는 데 도움이 됩니다.
이는 열팽창으로 인해 재료가 뒤틀리거나 갈라질 수 있는 고온 애플리케이션에서 특히 중요합니다.
이 특성은 극한의 열 환경에서 SiC 부품의 내구성과 신뢰성을 향상시킵니다.
높은 열전도율과 낮은 열팽창으로 인해 SiC는 열충격 저항성이 뛰어납니다.
즉, SiC는 급격한 온도 변화에도 손상 없이 견딜 수 있습니다.
주기적인 가열 또는 급격한 온도 변동이 발생하는 애플리케이션에 이상적입니다.
이러한 특성은 열 순환이 일반적인 터빈 부품 및 용광로 라이닝과 같은 부품에서 매우 중요합니다.
실리콘 카바이드 나노 입자의 열적 특성은 다양한 고온 및 열 스트레스를 받는 애플리케이션에 매우 적합합니다.
높은 열전도율, 낮은 열팽창, 뛰어난 열충격 저항성으로 내구성과 성능이 가장 중요한 까다로운 환경에서 사용할 수 있습니다.
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실리콘 카바이드(SiC)는 1600°C의 높은 온도까지 기계적 강도와 구조적 무결성을 유지할 수 있습니다.
이러한 고온 저항성은 강력한 결정 격자 결합과 고온에서 보호 실리콘 산화물 층이 형성되기 때문입니다.
실리콘 카바이드는 탄소와 실리콘 원자의 사면체로 구성되어 결정 격자에서 강한 결합을 형성합니다.
이러한 구조 덕분에 SiC는 매우 단단하고 강한 소재로 매우 높은 온도에서도 기계적 강도를 유지할 수 있습니다.
이 소재는 최대 800°C까지 산, 알칼리 또는 용융 염에 의해 손상되지 않습니다.
이 온도 이상에서는 공기 중에서 SiC가 1200°C에서 보호 실리콘 산화물 코팅을 형성하여 강도의 손실 없이 1600°C까지 사용할 수 있습니다.
이 보호층은 고온에서 추가적인 산화 및 성능 저하를 막는 장벽 역할을 합니다.
SiC는 120~270W/(m∙K)에 이르는 높은 열전도율로 고온을 견딜 수 있는 능력도 갖추고 있습니다.
이러한 높은 열전도율은 열을 빠르게 발산하여 재료 고장으로 이어질 수 있는 열 스트레스를 줄여줍니다.
또한 SiC는 열팽창 계수(4.0x10-6/°C)가 다른 대부분의 반도체 소재보다 낮습니다.
이러한 낮은 열팽창은 열충격 저항성을 더욱 향상시켜 급격한 온도 변화에도 손상 없이 견딜 수 있습니다.
고온 저항성, 높은 열전도율, 열충격 저항성의 독특한 조합으로 인해 SiC는 다양한 고온 애플리케이션에 이상적인 소재입니다.
일반적으로 반도체 용광로, 전기로 발열체, 터빈 및 기타 고온 환경용 부품에 사용됩니다.
고온에서도 열화 없이 강도와 무결성을 유지하는 능력 덕분에 극한 조건이 일반적인 산업에서 귀중한 소재입니다.
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실리콘 카바이드는 내열성이 뛰어납니다.
최대 1600°C의 온도에서도 기계적 강도와 구조적 무결성을 유지할 수 있습니다.
이러한 높은 내열성은 강한 결정 격자 결합, 높은 열전도율, 낮은 열팽창, 탁월한 열충격 저항성 덕분입니다.
실리콘 카바이드(SiC)는 매우 높은 온도에서도 뛰어난 기계적 강도를 발휘합니다.
1600°C에 육박하는 온도에서도 손실 없이 이 강도를 유지할 수 있습니다.
이는 반도체 용광로 및 전기 용광로와 같은 고온 애플리케이션에서 사용하는 데 매우 중요합니다.
결정 격자에서 실리콘과 탄소 원자 사이의 강한 결합은 고온에서 내구성과 열화에 대한 저항력을 높이는 데 기여합니다.
SiC는 120~270W/mK에 이르는 높은 열전도율을 가지고 있습니다.
이는 일반적인 강철과 주철보다 높은 수치입니다.
이 특성 덕분에 열이 소재 전체에 고르게 분산되어 국부적인 과열 및 열 스트레스의 가능성을 줄일 수 있습니다.
열전도율은 온도에 따라 감소하지만 SiC의 초기 값이 높기 때문에 극한의 열에서도 효과를 유지할 수 있습니다.
높은 열전도율과 낮은 열팽창(4.0x10-6/°C)의 조합으로 SiC는 뛰어난 열충격 저항성을 제공합니다.
즉, SiC는 미세 균열이 발생하거나 영구적인 손상이 발생하지 않고 급격한 온도 변화를 견딜 수 있습니다.
이러한 복원력은 재료의 온도가 급격하게 변동할 수 있는 애플리케이션에서 매우 중요합니다.
SiC는 화학적 공격에도 매우 강합니다.
최대 800°C의 산, 알칼리 또는 용융 염의 영향을 받지 않습니다.
공기 중에서 1200°C에서 보호 실리콘 산화물 코팅을 형성하여 내구성과 고온에 대한 저항성을 더욱 향상시킵니다.
이러한 화학적 순도와 고온에서의 열화에 대한 저항성 덕분에 SiC는 열악한 화학적 환경에서 안정성이 요구되는 애플리케이션에 선호되는 소재입니다.
요약하면, 탄화규소는 높은 기계적 강도, 우수한 열전도율, 낮은 열팽창, 탁월한 열충격 저항성 등 고유한 특성의 조합으로 내구성과 안정성이 가장 중요한 고온 애플리케이션에 이상적인 소재입니다.
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실리콘 카바이드(SiC)는 다양한 이점을 제공하는 재료로 다양한 응용 분야에 매우 바람직합니다.
실리콘 카바이드는 기존 실리콘 기술에 비해 더 높은 전압을 처리할 수 있습니다. 따라서 높은 전력 및 전압 레벨이 필요한 애플리케이션에 적합합니다.
실리콘 카바이드는 열적 특성이 뛰어나 1400°C의 높은 온도에서도 높은 기계적 강도를 유지할 수 있습니다. 따라서 다른 소재가 고장날 수 있는 고온 환경에서 사용하기에 적합합니다.
실리콘 카바이드는 스위칭 속도가 빨라 스위칭 주파수를 높일 수 있습니다. 그 결과 전력 전자 애플리케이션의 성능과 효율성이 향상됩니다.
실리콘 카바이드는 화학적 공격에 대한 내성이 뛰어나 가혹한 화학 및 플라즈마 환경에서 사용하기에 적합합니다. 최대 800°C의 산, 알칼리 또는 용융 염의 공격을 받지 않습니다.
실리콘 카바이드를 사용하면 뛰어난 내구성과 내마모성으로 인해 소유 비용을 절감할 수 있습니다. 따라서 잦은 교체와 유지보수의 필요성이 줄어들어 시간이 지남에 따라 비용을 절감할 수 있습니다.
실리콘 카바이드는 입자를 생성하지 않으므로 입자 오염을 최소화해야 하는 클린룸 환경 및 애플리케이션에 사용하기에 적합합니다.
실리콘 카바이드의 빠른 스위칭 속도는 전력 전자 애플리케이션에서 더 빠른 처리량과 사이클 타임을 가능하게 합니다. 이는 생산성과 효율성 향상으로 이어질 수 있습니다.
실리콘 카바이드를 사용하면 기존 소재에 비해 뛰어난 신뢰성과 내구성을 제공하기 때문에 제조 공정에서 더 높은 수율을 얻을 수 있습니다. 이는 불량품의 수를 줄이고 전반적인 수율을 향상시킵니다.
실리콘 카바이드는 열전도율이 상대적으로 높아 열을 효율적으로 방출할 수 있습니다. 이 특성은 전력 전자 장치 및 고전력 장치와 같이 열 관리가 중요한 애플리케이션에 유용합니다.
실리콘 카바이드는 뛰어난 경도와 내마모성으로 잘 알려져 있습니다. 따라서 절삭 공구, 연삭 휠, 내마모성 부품 등 높은 내구성과 내마모성을 갖춘 소재가 필요한 분야에 적합합니다.
실리콘 카바이드의 장점을 요약하면 고전압 작동, 넓은 온도 범위, 스위칭 주파수 증가, 우수한 내화학성 및 내식성, 낮은 소유 비용, 비입자 발생, 빠른 처리량 및 사이클 시간, 높은 수율, 높은 열전도율, 극한의 경도 및 내마모성 등이 있습니다. 이러한 특성 덕분에 실리콘 카바이드는 다양한 응용 분야, 특히 전력 전자, 고온 환경 및 내구성과 신뢰성이 높은 소재가 필요한 산업 분야에서 매우 바람직한 소재입니다.
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실리콘 카바이드(SiC)는 독특한 특성으로 잘 알려진 매우 다재다능한 소재입니다. 여기에는 높은 경도, 낮은 밀도, 높은 열전도율, 우수한 내화학성 등이 포함됩니다. 이러한 특성으로 인해 SiC는 다양한 산업 분야에서 사용됩니다.
실리콘 카바이드는 반도체 제조 공정에서 중요한 역할을 합니다. 웨이퍼 서포트 시스템과 같은 핵심 부품에 사용됩니다. 여기에는 서셉터, 슬립 링, 리프트 핀, 전극 및 포커스 링이 포함됩니다. 이러한 구성 요소는 다양한 반도체 제조 공정에서 필수적입니다. 이러한 공정에는 급속 열 처리(RTP), 플라즈마 에칭, 화학 기상 증착(CVD), 에피택시, 이온 주입, 리소그래피 및 다양한 세정 방법이 포함됩니다. 높은 열전도율과 열악한 화학 환경에 대한 내성을 갖춘 SiC는 이러한 애플리케이션에 이상적입니다.
SiC는 높은 열전도율과 극한 온도에서의 안정성으로 인해 고온 애플리케이션에 적합합니다. 산업용 용광로용 발열체에 사용됩니다. SiC는 최대 1600°C의 온도에서도 성능 저하 없이 견딜 수 있습니다. 또한 세라믹, 유리, 야금 등의 산업에서 고온 용광로와 가마에 SiC 봉과 세라믹이 사용됩니다. 고온에서 구조적 무결성과 전기적 특성을 유지하는 이 소재의 능력은 이러한 애플리케이션에 없어서는 안 될 필수 요소입니다.
실리콘 카바이드는 경도와 내마모성이 매우 뛰어나 열악한 환경에서 내구성이 요구되는 부품에 적합합니다. 기계적 마모가 중요한 씰, 베어링 및 볼 밸브 부품에 사용됩니다. 화학 산업에서 SiC는 화학적 불활성이 뛰어나 부식성 매체에 노출되는 펌프와 노즐에 사용됩니다. 예를 들어 발전소 및 대형 보일러의 탈황 노즐은 부식성이 강한 기체와 액체에 대한 내성 때문에 SiC로 만들어집니다.
국방 부문에서 SiC 세라믹은 높은 경도와 가벼운 특성으로 인해 방탄복으로 사용됩니다. 다른 소재에 비해 SiC는 무게 감소와 탄도 보호가 균형을 이루고 있어 개인 및 차량 장갑 시스템에 선호되는 소재입니다.
와이드 밴드갭 반도체인 SiC는 고효율과 열 안정성이 요구되는 전력 전자 장치에 사용됩니다. SiC 장치는 전력 처리 및 열 관리 측면에서 기존 실리콘 기반 장치보다 성능이 뛰어나 전기 자동차, 재생 에너지 시스템, 고전압 송전 등의 애플리케이션에 적합합니다.
요약하면, 실리콘 카바이드의 고유한 특성 조합으로 인해 여러 산업 분야에서 선택되는 소재입니다. 새로운 기술과 제조 방법이 개발됨에 따라 그 응용 분야는 계속 확장되고 있으며, 그 유용성과 다양성은 더욱 향상되고 있습니다.
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예, 실리콘 카바이드는 고온 애플리케이션에 사용됩니다.
실리콘 카바이드(SiC)는 뛰어난 열전도율, 높은 기계적 강도, 화학적 부식 및 열 충격에 대한 뛰어난 저항성으로 인해 고온 애플리케이션에 사용됩니다.
이러한 특성으로 인해 용광로의 라이닝 재료, 반도체 공정의 부품, 산업용 용광로의 발열체 등 다양한 산업 용도에 적합합니다.
탄화규소는 재결정화 및 액상 소결 재료의 경우 30~40W/(m∙К)에서 단결정 SiC의 경우 490W/(m∙К)에 이르는 높은 열전도율을 나타냅니다.
이러한 높은 열전도율은 고온 및 주기적 가열 환경에서 작동하는 재료에 매우 중요하며 효율적인 열 분배 및 관리를 보장합니다.
SiC는 1,400˚C의 높은 온도에서도 기계적 강도를 유지합니다.
이러한 고온에서의 내구성 덕분에 다른 소재가 열화되거나 고장날 수 있는 환경의 구조 부품에 이상적입니다.
실리콘 카바이드는 최대 800°C의 산, 알칼리 또는 용융 염에 의해 손상되지 않습니다.
공기 중에서 1200°C에서 보호용 실리콘 산화물 코팅을 형성하여 부식성 환경 및 고온 환경에서 사용하기에 적합성을 높입니다.
높은 열전도율, 낮은 열팽창, 높은 강도의 조합으로 SiC는 뛰어난 열충격 저항성을 제공합니다.
이 특성은 부품이 고에너지 플라즈마에 노출되는 반도체 공정과 같이 급격한 온도 변화를 수반하는 애플리케이션에서 특히 유용합니다.
실리콘 카바이드는 야금 용광로의 라이닝 블록 및 벽돌, 반도체 공정의 부품(서셉터 및 가스 분배판 등), 산업용 용광로의 가열 요소 등 다양한 고온 응용 분야에 사용됩니다.
또한 전기 전도성이 뛰어나 서미스터와 배리스터에 사용하기에도 적합합니다.
결론적으로 실리콘 카바이드의 고유한 특성 조합은 열 전도성, 기계적 강도, 화학적 및 열적 스트레스에 대한 저항성 측면에서 다른 많은 재료와 비교할 수 없는 성능을 발휘하는 고온 응용 분야에 탁월한 소재입니다.
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탁월한 열 전도성, 탁월한 기계적 강도, 화학적 부식 및 열 충격에 대한 견고한 내성을 갖춘 당사의 제품을 활용하십시오.
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