SiC 기술은 기존 소재에 비해 몇 가지 중요한 이점을 제공합니다.
알아야 할 SiC 기술의 7가지 주요 이점
1. 더 높은 항복 전압
SiC와 GaN 소재는 실리콘보다 임계 항복 전압이 훨씬 높습니다.
따라서 드리프트 층이 더 얇고 도핑 농도가 더 높을 수 있습니다.
결과적으로 주어진 다이 면적과 전압 정격에 대해 온저항이 낮아집니다.
이는 전력 손실 감소를 통한 효율성 향상으로 이어집니다.
2. 우수한 내화학성 및 내식성
SiC는 우수한 내화학성 및 내식성과 같은 뛰어난 특성을 나타냅니다.
부식에 대한 저항성이 뛰어나 화학 및 플라즈마 환경에서 사용하기에 적합합니다.
이 특성은 제조 장비의 수명을 연장하고 가동 중단 시간을 줄이며 오염을 제거합니다.
3. 경이로운 열적 특성
SiC는 높은 열전도율과 낮은 열팽창 계수 등 경이로운 열적 특성을 가지고 있습니다.
1400°C에 이르는 온도에서도 높은 기계적 강도를 유지할 수 있습니다.
또한 SiC는 열충격 저항성도 뛰어납니다.
이러한 특성으로 인해 SiC는 고온 작동과 열 순환에 대한 저항성이 필요한 애플리케이션에 이상적입니다.
4. 소유 비용 절감
SiC 기술을 사용하면 소유 비용을 절감할 수 있습니다.
높은 효율과 전력 손실 감소로 에너지 절약이 가능합니다.또한 SiC의 뛰어난 내구성과 부식에 대한 저항성은 유지보수 및 교체 비용을 줄여줍니다.5. 비입자 생성
