화학 기상 증착(CVD) 공정은 일반적으로 고온 범위에서 작동합니다.
이 온도 범위는 일반적으로 600~1100°C입니다.
특히 열 CVD의 경우 표면은 800~1000°C의 온도를 유지해야 합니다.
이러한 고온은 필요한 화학 반응과 원하는 재료의 기판 증착을 촉진하는 데 필수적입니다.
이러한 고온은 기판 소재에 상당한 영향을 미칠 수 있다는 점을 고려하는 것이 중요합니다.
예를 들어, 강철은 오스테나이트 상 영역으로 가열되어 기판의 특성을 최적화하기 위해 추가적인 열처리가 필요할 수 있습니다.
CVD의 고온에 대한 6가지 핵심 사항
1. 일반적인 온도 범위
CVD 공정은 일반적으로 600~1100°C 범위의 온도가 필요합니다.
2. 열 CVD 온도
열 CVD는 특히 800~1000°C의 온도가 필요합니다.
3. 고온의 중요성
고온은 화학 반응과 재료 증착을 촉진하는 데 매우 중요합니다.
4. 기판에 대한 열 효과
고온은 오스테나이트 상에 들어가는 강철과 같은 기판 재료에 상당한 영향을 미칠 수 있습니다.
5. CVD의 변형
플라즈마 보조 CVD(PACVD)는 저압 가스에서 전기 방전을 사용하여 반응을 가속화하여 온도를 섭씨 수백도까지 낮춥니다.
6. 애플리케이션별 온도
CVD의 온도 요구 사항은 특정 응용 분야와 증착 재료의 특성에 따라 다릅니다.
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