반도체에서 물리적 기상 증착(PVD) 공정은 기판 위에 박막을 증착하는 데 사용되는 중요한 기술입니다.
이 공정에는 재료의 기화, 증기 운반, 기판으로의 증기 응축이라는 세 가지 주요 단계가 포함됩니다.
PVD는 접합부를 형성하는 데 필요한 n형 및 p형 재료의 얇은 층을 만들기 위해 반도체 제조에 필수적입니다.
4가지 주요 단계 설명: 반도체 PVD 공정
1. 재료의 기화
증착할 재료는 증착 또는 스퍼터링과 같은 물리적 방법을 사용하여 증기로 변환됩니다.
증착 방법에서는 재료를 증발점까지 가열합니다.
스퍼터링 방법에서는 재료에 에너지 입자를 분사합니다.
이 단계는 증착된 필름의 순도와 구성을 결정하기 때문에 매우 중요합니다.
2. 증기 이송
그런 다음 증기는 소스에서 기판까지 저압 영역을 가로질러 이송됩니다.
이 과정은 일반적으로 공기 분자와의 상호작용을 방지하고 깨끗한 증착을 보장하기 위해 고진공 환경에서 수행됩니다.
3. 기판 응축
기화된 재료가 기판에 응축되어 얇고 균일한 층을 형성합니다.
온도와 압력 등 응축 중 조건은 필름의 두께와 기판에 대한 접착력 등 필름의 특성에 영향을 미칩니다.
4. 반도체에서의 응용 및 중요성
PVD는 정밀하고 얇은 재료 층을 만들 수 있기 때문에 반도체 제조에 광범위하게 사용됩니다.
이러한 층은 최신 전자 기기에 필요한 복잡한 구조를 형성하는 데 필수적입니다.
PVD는 반도체 장치의 성능과 신뢰성에 매우 중요한 결함을 최소화하면서 고품질의 레이어를 보장합니다.
CVD와의 비교
화학 기상 증착(CVD)과 PVD는 모두 박막 증착에 사용되지만 접근 방식이 다릅니다.
PVD는 물리적 수단을 사용하여 재료를 기화 및 증착합니다.
CVD는 화학 반응을 통해 재료를 증착합니다.
두 방법 모두 비슷한 결과를 목표로 하지만 재료 특성, 공정 복잡성, 비용 등의 요인에 따라 선택이 달라집니다.
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