지식 고온 머플로 퍼니스는 Pt-Rh10/Pt 박막 열전쌍의 후처리 공정에 어떻게 기여합니까?
작성자 아바타

기술팀 · Kintek Solution

업데이트됨 1 day ago

고온 머플로 퍼니스는 Pt-Rh10/Pt 박막 열전쌍의 후처리 공정에 어떻게 기여합니까?


고온 머플로 퍼니스는 Pt-Rh10/Pt 박막 열전쌍의 최종 경화 단계 역할을 하여 원료 코팅을 안정적이고 기능적인 센서로 변환합니다. 정밀하게 제어된 소결 공정을 사용하여 일반적으로 재료를 1300°C에서 4시간 동안 가열하여 불순물을 제거하고 금속 필름을 기판에 물리적으로 접합합니다.

핵심 요점 머플로 퍼니스는 단순히 재료를 건조하는 것이 아니라 소결을 통해 박막의 미세 구조를 근본적으로 변화시킵니다. 이 공정은 금속 결정립을 조밀하게 만들고 유기 잔류물을 제거하여 가혹한 환경에서 센서의 전기 전도성과 장기적인 안정성을 보장하는 데 필수적입니다.

열 소결 메커니즘

불순물 제거

원료 박막에는 종종 증착 또는 인쇄 공정에서 발생한 유기 잔류물이 포함되어 있습니다.

머플로 퍼니스의 고온 환경은 이러한 유기 불순물을 태워 없앱니다. 이러한 정제는 센서의 정확도를 저하시키거나 조기 고장을 일으킬 수 있는 탄소 오염을 방지합니다.

결정립 성장 촉진

열은 미세 구조 진화의 촉매 역할을 합니다.

1300°C에서 4시간 동안 유지되는 동안 금속 원자는 이동하고 재배열될 충분한 에너지를 얻습니다. 이는 금속 결정립 성장으로 이어지며, 여기서 작고 분리된 입자가 더 크고 연속적인 구조로 합쳐져 전자 흐름을 방해하는 결정립계 수를 줄입니다.

기판 접합

접착력은 박막 센서의 주요 고장 지점입니다.

열 에너지는 필름과 하부 기판 간의 확산을 촉진합니다. 이는 강력한 물리적 결합을 생성하여 실제 사용 중 열 순환에 노출될 때 필름이 박리(벗겨짐)되지 않도록 합니다.

정밀 가공 매개변수

제어된 가열 속도

속도는 최종 온도만큼 중요합니다.

이 공정은 종종 분당 7.2°C와 같은 특정 램프 속도를 사용합니다. 제어된 온도 상승은 박막이 완전히 소결되기 전에 균열이 생기거나 갈라지는 것을 방지하는 열 충격을 방지합니다.

고온 유지

평형을 이루기 위해 필름을 열에 담가 두어야 합니다.

1300°C로 유지되면 필름은 조밀화 과정을 거칩니다. 이러한 고열은 내화 금속(백금 및 로듐)이 일관된 열전 성능에 필요한 결정 구조를 달성하는 데 필요합니다.

성능 결과

향상된 전도성

장벽 제거는 센서 감도의 핵심입니다.

절연성 유기 불순물을 제거하고 금속 결정립을 확대함으로써 이 공정은 필름의 전기 전도성을 크게 향상시킵니다. 이는 더 깨끗한 신호와 온도 변화에 대한 더 안정적인 전압 출력을 제공합니다.

내산화성

조밀한 필름은 보호된 필름입니다.

소결 공정은 필름 구조 내의 기공을 닫습니다. 이러한 조밀화는 내산화성을 향상시키는 장벽을 생성하여 고온에서 공기에 노출될 때 열전쌍의 수명을 연장합니다.

절충점 이해

열 충격 위험

고열은 센서를 만들지만 급격한 냉각은 센서를 파괴할 수 있습니다.

아직 고온 상태인 퍼니스에서 열전쌍을 갑자기 꺼내서는 안 됩니다. 그렇게 하면 극심한 온도 차이로 인해 보호 재킷이 파열되거나 기판이 부서질 수 있습니다.

에너지 및 시간 집약적

이것은 리소스 집약적인 프로세스입니다.

느린 램프 속도($7.2^\circ\text{C/min}$)와 긴 유지 시간(4시간)이 필요하다는 것은 후처리 단계가 제조 처리량에서 상당한 병목 현상임을 의미합니다. 여기서의 지름길은 필연적으로 접착 불량 또는 센서 데이터 드리프트로 이어집니다.

목표에 맞는 올바른 선택

후처리 전략을 최적화하려면 특정 성능 목표를 고려하십시오.

  • 주요 초점이 신호 정확도인 경우: 결정립 성장과 전기 전도성을 극대화하기 위해 1300°C에서의 유지 시간을 우선시하십시오.
  • 주요 초점이 기계적 내구성인 경우: 미세 균열을 방지하고 균일한 기판 접합을 보장하기 위해 분당 7.2°C의 가열 속도를 엄격하게 준수하십시오.

소결 단계를 건조 단계가 아닌 센서의 최종 신뢰성을 결정하는 중요한 구조 형성 프로세스로 취급하십시오.

요약 표:

매개변수 목표 값 후처리 기능
소결 온도 1300°C 결정립 성장 및 금속 조밀화 촉진
유지 시간 4시간 유기 불순물의 완전한 제거 보장
가열 램프 속도 7.2°C/min 열 충격 및 필름 균열 방지
핵심 결과 조밀한 미세 구조 전도성 및 내산화성 향상

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참고문헌

  1. Fengxiang Wang, Chao Li. Fabrication and Calibration of Pt-Rh10/Pt Thin-Film Thermocouple. DOI: 10.3390/mi14010004

이 문서는 다음의 기술 정보도 기반으로 합니다 Kintek Solution 지식 베이스 .

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