반도체 산업의 다양한 응용 분야에서는 저압 화학 기상 증착(LPCVD)과 플라즈마 강화 화학 기상 증착(PECVD)의 온도 범위를 이해하는 것이 중요합니다.
LPCVD의 온도 범위는 어떻게 되나요? (4가지 주요 차이점)
1. LPCVD의 온도 범위
LPCVD의 온도 범위는 일반적으로 425-900°C입니다.
이 공정은 0.1 - 10 Torr의 압력에서 수행됩니다.
반응물은 특수 전구체 전달 시스템 샤워 헤드를 사용하여 챔버에 추가됩니다.
표면 반응을 촉진하기 위해 샤워 헤드와 챔버 벽이 냉각되는 동안 기판이 가열됩니다.
LPCVD는 일반적으로 저항기, 커패시터 유전체, MEMS 및 반사 방지 코팅의 생산에 사용됩니다.
2. PECVD의 온도 범위
반면에 PECVD의 온도 범위는 일반적으로 200-400°C입니다.
PECVD는 증착을 구동하는 화학 반응에 필요한 에너지를 제공하기 위해 플라즈마를 사용합니다.
플라즈마는 전기 에너지를 사용하여 생성됩니다.
반응물은 2-10 토르의 압력에서 도입됩니다.
PECVD는 LPCVD에 비해 저온 처리로 잘 알려져 있습니다.
3. 온도 및 압력 요구 사항 비교
LPCVD는 더 높은 온도와 압력이 필요하지만 저유전체를 증착할 수 있다는 점에 유의해야 합니다.
반면 PECVD는 저온 증착이 가능하므로 열 예산을 줄여야 하는 박막 증착 공정에 적합합니다.
4. 애플리케이션별 선택
PECVD는 낮은 온도가 필요한 신소재로 작업할 때 자주 사용됩니다.
요약하면, LPCVD는 일반적으로 425~900°C 범위의 고온에서 작동하는 반면, PECVD는 200~400°C 범위의 저온에서 작동합니다.
LPCVD와 PECVD 중 선택은 특정 애플리케이션과 원하는 증착 온도에 따라 달라집니다.
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