ICPCVD 시스템은 주로 매우 낮은 기판 온도를 유지하면서 고품질의 저손상 박막을 증착할 수 있는 능력으로 특징지어집니다. 이 시스템은 5°C만큼 낮은 온도에서도 처리가 가능한 다목적 공정 환경을 제공하여, 온도에 민감한 기판에 이상적이며 표준 유전체 및 반도체 재료 증착을 지원합니다.
ICPCVD 시스템의 핵심 가치는 플라즈마 밀도와 이온 에너지를 분리하여, 기존의 고온 공정과 관련된 열 손상 없이 최대 200mm 웨이퍼에 SiO2 및 SiC와 같은 고품질 박막을 증착할 수 있다는 점입니다.
열 유연성 및 기판 보호
초저온 공정
이 시스템의 가장 독특한 기능 중 하나는 5°C만큼 낮은 기판 온도를 유지할 수 있다는 것입니다. 이를 통해 표준 열 예산을 견딜 수 없는 섬세한 기판에 대한 처리가 가능합니다.
넓은 전극 온도 범위
이 시스템은 5°C에서 400°C까지의 전극 온도 범위를 제공하여 상당한 열 유연성을 제공합니다. 이 넓은 범위는 엔지니어가 고열 환경에 공정을 고정하지 않고 열 에너지를 조정하여 박막 특성을 조절할 수 있도록 합니다.
재료 유연성 및 박막 품질
고품질 유전체 및 반도체
이 시스템은 다양한 필수 제조 재료를 증착하도록 최적화되었습니다. 표준 공정 기능에는 이산화규소(SiO2), 질화규소(Si3N4) 및 산질화규소(SiON)가 포함됩니다.
고급 재료 지원
표준 유전체 외에도 이 시스템은 실리콘(Si) 및 탄화규소(SiC) 증착을 지원합니다. 결과 박막은 고품질이며 저손상을 나타내는 것으로 알려져 있는데, 이는 고성능 소자 층에 중요한 요소입니다.
공정 확장성 및 제어
웨이퍼 크기 수용
이 시스템은 연구 및 중소 규모 생산에 효과적으로 확장되도록 설계되었습니다. 최대 200mm의 웨이퍼 크기를 수용하여 대부분의 특수 반도체 및 MEMS 애플리케이션을 다룹니다.
소스 크기 조정을 통한 균일도 최적화
다양한 웨이퍼 크기에 걸쳐 공정 균일도를 보장하기 위해 유도 결합 플라즈마(ICP) 소스는 모듈식입니다. 65mm, 180mm 및 300mm의 세 가지 크기로 제공됩니다.
운영 효율성
통합 챔버 클리닝
공정 반복성을 유지하고 입자 오염을 줄이기 위해 이 시스템은 인시튜 챔버 클리닝을 지원합니다.
정밀 엔드포인트 모니터링
클리닝 공정은 실시간 엔드포인트 모니터링으로 제어됩니다. 이를 통해 챔버 부품의 과도한 에칭을 방지하고 실행 간에 시스템이 효율적으로 원래 상태로 복원되도록 합니다.
운영 고려 사항 이해
응용 분야에 맞는 소스 크기 선택
이 시스템은 최대 200mm 웨이퍼를 지원하지만, 균일도는 하드웨어 구성에 크게 의존합니다. 가장자리 효과를 피하기 위해 선택한 ICP 소스 크기(65mm, 180mm 또는 300mm)가 특정 기판 치수에 엄격하게 적합한 플라즈마 필드를 생성하는지 확인해야 합니다.
열적 절충
이 시스템은 400°C 작동이 가능하지만, 가장 큰 특징은 저온(5°C) 기능입니다. 이 범위의 고온(400°C)에서만 작동하는 사용자는 특정 하드웨어 구성 및 냉각 루프가 지속적인 고온 처리량에 최적화되었는지 확인해야 합니다.
목표에 맞는 올바른 선택
제조 라인에 ICPCVD 시스템을 평가할 때 특정 공정 우선 순위를 고려하십시오:
- 온도에 민감한 기판이 주요 초점인 경우: 5°C에서 기판을 유지하는 시스템의 기능을 활용하여 열 분해 없이 박막을 증착하십시오.
- 공정 균일도가 주요 초점인 경우: 특정 웨이퍼 직경(최대 200mm)에 대한 최적의 커버리지를 제공하는 ICP 소스 크기(최대 300mm)를 선택하십시오.
- 박막 무결성이 주요 초점인 경우: SiO2, Si3N4 또는 SiC를 포함하는 중요 층에 대한 시스템의 저손상 증착 기능에 의존하십시오.
이 시스템은 고품질 박막 요구 사항과 엄격한 열 제약 조건 사이의 격차를 효과적으로 해소합니다.
요약 표:
| 기능 | 사양 / 기능 |
|---|---|
| 온도 범위 | 5°C ~ 400°C |
| 웨이퍼 크기 지원 | 최대 200mm |
| 표준 재료 | SiO2, Si3N4, SiON |
| 고급 재료 | 실리콘(Si), 탄화규소(SiC) |
| ICP 소스 크기 | 65mm, 180mm, 300mm |
| 주요 기능 | 인시튜 클리닝 및 실시간 엔드포인트 모니터링 |
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