플라즈마 강화 화학 기상 증착(PECVD)은 플라즈마를 사용하여 화학 반응을 강화하는 저온 진공 박막 증착 공정으로, 기존 화학 기상 증착(CVD) 공정보다 낮은 온도에서 박막을 증착할 수 있습니다. 따라서 PECVD는 반도체 산업에서 열에 민감한 기판을 코팅하는 데 특히 유용합니다.
PECVD 공정의 원리:
PECVD 공정은 증착 챔버에 전구체 가스를 도입하는 과정을 거칩니다. 열에 의존하여 화학 반응을 일으키는 기존 CVD와 달리 PECVD는 전기 방전을 사용하여 플라즈마를 생성합니다. 이 플라즈마는 전구체 가스를 해리하는 데 필요한 에너지를 제공하여 기판에 박막을 증착하는 반응성 종을 형성합니다.플라즈마 생성:
플라즈마는 챔버 내의 두 전극 사이에 무선 주파수(RF) 또는 직류(DC) 방전을 적용하여 생성됩니다. 이 방전은 플라즈마 가스를 이온화하여 플라즈마 상태로 변환합니다. 플라즈마는 반응성 라디칼, 이온, 중성 원자 및 분자로 구성되며, 기체 상에서 충돌을 통해 형성됩니다. 이 프로세스를 통해 기판은 일반적으로 200~500°C의 비교적 낮은 온도에서 유지될 수 있습니다.
작동 조건:
PECVD 시스템은 일반적으로 0.1-10 Torr 범위의 낮은 압력에서 작동합니다. 이러한 낮은 압력은 산란을 최소화하고 균일한 필름 증착을 촉진합니다. 낮은 작동 온도는 기판의 손상을 최소화할 뿐만 아니라 증착할 수 있는 재료의 범위도 넓혀줍니다.PECVD 시스템의 구성 요소:
