CVD(화학 기상 증착)와 ALD(원자층 증착)는 반도체 소자 및 코팅 제조에 사용되는 박막 증착 기술입니다. CVD는 기체 전구체의 반응을 통해 박막을 생성하는 반면, ALD는 원자층 두께 분해능과 우수한 균일성을 제공하는 정밀한 유형의 CVD입니다.
CVD(화학 기상 증착):
CVD는 기체 전구체가 반응하여 기판 위에 박막을 형성하는 공정입니다. 이 기술은 금속, 반도체, 세라믹 등 다양한 재료를 증착할 수 있는 다목적 기술입니다. 전구체는 증착 챔버에 도입되어 화학 반응을 거쳐 원하는 물질을 기판에 증착합니다. CVD는 높은 증착 속도로 두꺼운 필름을 증착할 수 있고 사용 가능한 전구체의 범위가 넓기 때문에 선호되는 경우가 많습니다.ALD(원자층 증착):
반면에 ALD는 CVD의 보다 정밀한 변형입니다. 원자층이 순차적으로 형성되는 자기 제한 반응 메커니즘을 활용합니다. 이 과정에서는 반응 챔버에 동시에 존재하지 않는 두 가지 전구체 물질을 사용합니다. 그 대신 순차적으로 층별로 증착됩니다. 이 방법을 사용하면 필름의 구성, 두께 및 적합성을 탁월하게 제어할 수 있으므로 매우 얇은 필름(10~50nm)과 고종횡비 구조에 증착하는 데 이상적입니다. ALD는 특히 핀홀이 없는 층을 생성하는 능력과 복잡한 형상과 곡면에서의 뛰어난 균일성으로 유명합니다.
비교 및 구별:
