박막 반도체는 전도성, 반도체 및 절연 재료의 얇은 층으로 이루어진 스택으로 구성됩니다. 이러한 재료는 주로 실리콘 또는 실리콘 카바이드로 만들어진 평평한 기판 위에 증착되어 집적 회로와 개별 반도체 장치를 만듭니다. 박막 반도체에 사용되는 주요 재료는 다음과 같습니다:
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반도체 재료: 박막의 전자적 특성을 결정하는 주요 재료입니다. 실리콘, 갈륨 비소, 게르마늄, 황화 카드뮴, 텔루라이드 카드뮴 등이 그 예입니다. 이러한 재료는 트랜지스터, 센서, 광전지와 같은 디바이스의 기능에 매우 중요합니다.
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전도성 재료: 이러한 재료는 장치 내에서 전기의 흐름을 원활하게 하는 데 사용됩니다. 일반적으로 전기 연결과 접점을 만들기 위해 얇은 필름으로 증착됩니다. 예를 들어 태양전지 및 디스플레이에 사용되는 인듐주석산화물(ITO)과 같은 투명 전도성 산화물(TCO)이 있습니다.
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절연 재료: 이러한 재료는 장치의 여러 부분을 전기적으로 분리하는 데 사용됩니다. 원치 않는 전류 흐름을 방지하고 장치가 의도한 대로 작동하도록 하는 데 매우 중요합니다. 박막 반도체에 사용되는 일반적인 절연 재료에는 다양한 유형의 산화막이 포함됩니다.
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기판: 박막이 증착되는 기본 재료입니다. 일반적인 기판에는 실리콘 웨이퍼, 유리 및 유연한 폴리머가 포함됩니다. 기판의 선택은 애플리케이션과 디바이스에 필요한 특성에 따라 달라집니다.
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추가 레이어: 특정 애플리케이션에 따라 박막 스택에 다른 레이어가 포함될 수 있습니다. 예를 들어 태양전지에서는 빛 흡수를 최적화하기 위해 n형 반도체 재료로 만든 창층을 사용하고, 생성된 전류를 모으기 위해 금속 접촉층을 사용합니다.
박막 반도체의 특성과 성능은 사용되는 재료와 증착 기술에 따라 크게 달라집니다. 화학 기상 증착(CVD), 물리 기상 증착(PVD), 에어로졸 증착과 같은 최신 증착 기술을 사용하면 필름의 두께와 구성을 정밀하게 제어할 수 있으므로 복잡한 형상과 구조를 가진 고성능 디바이스를 생산할 수 있습니다.
요약하면, 박막 반도체는 반도체 재료, 전도성 재료, 절연 재료, 기판, 특정 애플리케이션에 맞는 추가 레이어 등 다양한 재료를 사용합니다. 이러한 재료와 증착을 정밀하게 제어하는 것은 첨단 전자 기기의 개발에 매우 중요합니다.
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