화학 기상 증착(CVD)의 다양한 유형은 공정 압력 및 화학 반응의 활성화 소스에 따라 분류할 수 있습니다.
1. 공정 압력에 따른 분류:
a) 대기압 CVD(APCVD): 이 공정은 대기압에서 수행되며 대규모 생산에 적합합니다. 일반적으로 산화막 증착에 사용됩니다.
b) 저압 CVD(LPCVD): LPCVD는 일반적으로 대기압 이하의 저압에서 수행됩니다. 증착 공정을 더 잘 제어할 수 있으며 일반적으로 폴리실리콘, 질화규소 및 다양한 금속을 증착하는 데 사용됩니다.
c) 초고진공 CVD(UHVCVD): UHVCVD는 진공 조건에 가까운 매우 낮은 압력에서 작동합니다. 특히 오염이 우려되는 응용 분야에서 고순도의 결함 없는 필름을 증착하는 데 사용됩니다.
2. 화학 반응의 활성화 소스에 따른 분류:
a) 열 활성화 CVD: 이 기존 CVD 방법에서는 기체 전구체가 열에 의해 해리되어 가열된 기판 위에 증착됩니다. 높은 반응 온도가 필요하므로 융점이 낮은 기판의 사용이 제한됩니다. 텅스텐 필라멘트는 일반적으로 이 기술을 위한 CVD 반응기에서 가열 소스로 사용됩니다.
b) 플라즈마 강화 CVD(PECVD): PECVD는 화학 반응과 증착 공정을 향상시키기 위해 플라즈마를 사용합니다. 플라즈마는 반응 챔버에 무선 주파수 또는 마이크로파 전원을 적용하여 생성됩니다. PECVD는 일반적으로 패시베이션 레이어 또는 고밀도 마스크와 같은 고품질 필름을 증착하는 데 사용됩니다.
이러한 분류 외에도 화학 용액 증착, 전기 도금, 분자 빔 에피택시 및 열 산화와 같은 화학 기상 증착 방법의 특정 하위 그룹도 있습니다. 이러한 방법은 특정 응용 분야에 사용되며 박막 기술에서 고유한 이점을 제공합니다.
전반적으로 화학 기상 증착은 다양한 재료의 박막과 코팅을 증착하는 데 사용되는 다용도 기술입니다. 이 기술은 필름 구성, 두께 및 품질을 제어할 수 있어 다양한 산업과 응용 분야에서 가치가 있습니다.
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화학 기상 증착(CVD)은 고순도, 고성능 고체 물질을 생산하는 데 사용되는 화학 공정입니다. 일반적으로 반도체 산업에서 박막을 생산하기 위해 사용됩니다. 이 공정에서는 휘발성 전구체를 진공 상태의 챔버에 주입합니다. 그런 다음 챔버를 특정 온도로 가열하여 전구체 가스가 반응하거나 분해되도록 합니다. 이러한 반응 또는 분해로 인해 원하는 코팅이 형성되어 재료 표면에 결합합니다.
CVD 과정에서 기판 또는 공작물은 하나 이상의 휘발성 전구체에 노출됩니다. 이러한 전구체는 기판 표면에서 반응 및/또는 분해되어 박막 증착으로 이어집니다. 반응은 또한 휘발성 부산물을 생성할 수 있으며, 이 부산물은 가스 흐름을 통해 반응 챔버에서 제거됩니다.
화학 기상 증착은 순도, 경도, 교반 또는 손상에 대한 저항성이 높은 소재를 생산할 수 있는 능력으로 높이 평가됩니다. 다른 코팅 방법에 비해 증착 공정을 더 잘 제어할 수 있습니다. 또한 CVD를 사용하면 그래핀과 같은 첨단 소재를 포함한 다양한 소재를 증착할 수 있습니다.
전반적으로 CVD는 특히 반도체 산업에서 고품질의 고체 재료를 생산하기 위한 다재다능하고 효과적인 공정입니다. 반도체 소자, 태양 전지판 및 기타 다양한 전자 부품의 박막 증착과 같은 응용 분야에 널리 사용됩니다.
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