화학 기상 증착(CVD) 성장 공정은 증기 상에서 일련의 화학 반응을 통해 기판 위에 재료의 박막을 증착하는 데 사용되는 기술입니다. 이 공정에는 반응하는 기체 종을 표면으로 운반, 표면에 이러한 종의 흡착, 이질적인 표면 촉매 반응, 성장 부위로 종의 표면 확산, 필름의 핵 형성 및 성장, 기체 반응 생성물의 탈착 등 몇 가지 주요 단계가 포함됩니다.
반응하는 기체 종의 표면으로의 이동:
CVD 공정에서 전구체 물질은 종종 기체 또는 증기 형태로 반응 챔버에 도입되어 기판 표면으로 운반됩니다. 이러한 이송은 챔버 내의 가스 흐름과 전구체 증기를 기판 쪽으로 끌어당기는 데 도움이 되는 진공 조건에 의해 촉진됩니다.표면의 종 흡착:
전구체 증기가 기판에 도달하면 표면에 흡착됩니다. 흡착은 기체, 액체 또는 용해된 고체의 원자나 분자가 표면에 달라붙는 과정입니다. 이 단계는 필요한 반응물을 기판 표면에 직접 제공하여 필름 형성을 시작하기 때문에 매우 중요합니다.
이종 표면 촉매 반응:
흡착된 종은 기판 표면에서 화학 반응을 거칩니다. 이러한 반응은 일반적으로 기질 재료 또는 반응 챔버 내의 다른 표면에 의해 촉매됩니다. 이러한 반응은 원하는 필름의 일부인 새로운 화학 종의 형성으로 이어집니다.종의 성장 부위로의 표면 확산:
표면 반응을 통해 형성된 화학 종은 기판 표면을 가로질러 특정 성장 부위에 도달하기 위해 확산됩니다. 이러한 확산은 기판 전체에 걸쳐 필름이 균일하게 성장하는 데 중요합니다.
필름의 핵 형성 및 성장: