화학 기상 증착(CVD)에서 기판은 박막을 증착하는 기반이 됩니다.
이러한 기판은 일반적으로 웨이퍼 또는 기타 고체 물질입니다.
이 공정은 이러한 기판을 휘발성 전구체에 노출시켜 표면에서 반응 및/또는 분해하여 원하는 증착물을 형성하는 과정을 포함합니다.
5가지 핵심 사항 설명
1.CVD에서 기판의 정의
CVD의 맥락에서 기판은 증착 공정이 이루어지는 기본 재료를 의미합니다.
이 재료는 일반적으로 전자 및 마이크로전자공학에 사용되는 실리콘과 같은 반도체 재료의 얇은 조각인 웨이퍼입니다.
2.기판 재료의 중요성
기판 재료는 CVD 공정의 조건을 견뎌야 하므로 기판 재료의 선택이 매우 중요합니다.
이러한 조건에는 고온과 화학적으로 반응하는 환경이 포함될 수 있습니다.
3.휘발성 전구체의 역할
CVD 공정 중에 기판은 하나 이상의 휘발성 전구체에 노출됩니다.
이러한 전구체는 일반적으로 기체 상태이며 반응 챔버로 유입되어 가열된 기판과 접촉하면 반응 및/또는 분해됩니다.
이 반응으로 인해 기판 표면에 박막 또는 코팅이 증착됩니다.
4.증착 재료의 종류
필름은 실리콘 화합물(이산화규소, 실리콘 카바이드, 실리콘 질화물 등), 탄소 소재(탄소 나노튜브, 그래핀 등), 금속(텅스텐, 질화 티타늄 등), 다양한 하이-k 유전체를 포함한 다양한 재료로 구성될 수 있습니다.
5.불활성 가스 사용
CVD 공정에는 아르곤이나 헬륨과 같은 불활성 가스도 사용됩니다.
이러한 가스는 휘발성 전구체를 반응 챔버로 운반하고 전구체를 저하시키거나 증착된 필름의 품질에 영향을 줄 수 있는 산화와 같은 원치 않는 표면 반응을 방지하는 데 사용됩니다.
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