고밀도 플라즈마 화학 기상 증착(HDPCVD) 공정은 반도체 제조에 사용되는 정교한 기술입니다.
기존의 플라즈마 강화 화학 기상 증착(PECVD) 방식에 비해 더 높은 품질과 밀도로 더 낮은 온도에서 박막을 증착할 수 있습니다.
이 공정은 특히 첨단 반도체 기술의 얕은 트렌치 절연(STI) 및 유전체 중간층에서 발견되는 것과 같은 미세한 유전체 간극을 메우는 데 효과적입니다.
고밀도 플라즈마 화학 기상 증착 공정이란? 5가지 주요 단계 설명
1. 준비 및 설정
이 공정은 반도체 기판을 준비하고 특수 공정 챔버에 넣는 것으로 시작됩니다.
2. 고밀도 플라즈마 생성
고밀도 플라즈마를 생성하기 위해 산소와 실리콘 소스 가스를 챔버에 도입합니다.
이 플라즈마는 유도 결합 플라즈마 소스를 사용하여 형성되며, 이는 PECVD에 사용되는 용량 결합 플라즈마보다 더 효율적입니다.
3. 동시 증착 및 에칭
HDPCVD의 독특한 측면은 동일한 챔버 내에서 증착과 에칭을 동시에 수행할 수 있다는 점입니다.
이는 이온 플럭스와 에너지를 독립적으로 제어하여 보이드나 핀치 오프 없이 높은 종횡비 간격을 채우는 데 도움이 됩니다.
4. 온도 제어
공정 중에 기판을 섭씨 550~700도 범위로 가열하여 필름 증착 및 에칭을 위한 최적의 조건을 보장합니다.
5. 가스 주입
산소, 실리콘 소스 가스(실란 또는 디실란 등), 에칭 가스(불화규소 등) 등 다양한 가스를 챔버에 주입하여 증착 및 에칭 공정이 원활하게 이루어지도록 합니다.
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