박막 증착 공정에 관여하는 사람이라면 PVD(물리적 기상 증착)와 CVD(화학 기상 증착)의 차이점을 이해하는 것이 중요합니다.
4가지 주요 차이점 설명
1. 공정 메커니즘
PVD(물리적 기상 증착): PVD는 물리적 힘을 사용하여 기판에 박막을 증착합니다.
CVD(화학 기상 증착): CVD는 동일한 목표를 달성하기 위해 화학 공정을 활용합니다.
2. 증착 방법
PVD(물리적 기상 증착): PVD는 일반적으로 유도 결합 플라즈마(ICP)와 같은 방법을 사용하여 기체에서 플라즈마를 생성합니다. 기체가 이온화되고 높은 에너지 수준으로 여기되어 기체 분자가 원자로 해리됩니다. 그런 다음 이 원자들이 기판 위에 증착되어 응축되어 박막을 형성합니다.
CVD(화학 기상 증착): CVD는 가스를 반응 챔버에 도입하여 웨이퍼와 같은 고체 물질과 화학적으로 반응하여 박막을 생성하는 것으로 시작됩니다. CVD의 결정적인 특징은 기판 표면에서 일어나는 화학 반응입니다.
3. 증착 특성
PVD(물리적 기상 증착): 이 공정은 가시광선 증착이 특징이며, 이는 증착이 소스에서 기판으로 직접 발생하는 것을 의미합니다. 이는 고르지 않은 표면의 두께와 균일성에 영향을 줄 수 있습니다.
CVD(화학 기상 증착): CVD의 증착은 흐르는 기체 상태이므로 확산형, 다방향 증착이 가능합니다. 이는 복잡하거나 고르지 않은 표면을 코팅하는 데 유리할 수 있습니다.
4. 적용 분야 및 재료 특성
PVD(물리적 기상 증착): PVD는 물리적 공정과 가시광선 증착에 의존합니다.
CVD(화학 기상 증착): CVD는 화학 반응과 보다 확산적이고 다방향적인 증착 공정을 사용합니다. 이러한 차이는 증착할 수 있는 재료의 유형, 공정이 적용되는 조건, 생성되는 코팅의 특성에 영향을 미칩니다.
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