화학 기상 증착(CVD) 공정은 전구체 가스의 반응을 통해 기판 위에 박막을 증착하는 과정입니다.
이 공정은 반도체 제조, 재료 코팅, 나노 소재 제작 등 다양한 응용 분야에서 매우 중요합니다.
6단계 설명
1. 전구체 가스 도입
공정은 반응 챔버에 전구체 가스를 도입하는 것으로 시작됩니다.
이러한 가스는 일반적으로 가스 관리 시스템을 통해 공급되며 가열된 석영 튜브로 흐릅니다.
2. 반응 및 증착
가스가 가열된 기판 위로 흐르면서 반응하고 분해되어 기판 표면에 박막을 증착합니다.
이 반응은 챔버 내의 높은 온도와 제어된 압력으로 인해 발생합니다.
3. 경계층 형성
기판에서 기체 속도가 0으로 감소함에 따라 경계층이 형성되어 증착 공정이 용이해집니다.
4. 핵 형성 및 성장
임계 크기의 클러스터 또는 핵이 형성되고 기판 온도, 형상 및 화학 성분과 같은 다양한 요소의 영향을 받아 안정적인 결정으로 성장합니다.
5. 전구체의 증발 및 제어
액체 또는 고체 전구체는 기체 상태로 가열되어 반응기로 유입됩니다.
원하는 필름 두께를 얻기 위해 가스 증발 속도를 신중하게 제어합니다.
6. 동역학 및 열역학
이 공정에는 복잡한 반응 동역학 및 열역학이 포함되며, 효율적인 증착을 위해 고온과 저압이 필요합니다.
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