화학 기상 증착(CVD) 공정의 온도는 일반적으로 900°C에서 2000°C 사이입니다.
이 높은 온도는 고체 물질을 기판에 증착하는 데 필요한 화학 반응에 필요합니다.
반응에는 주로 고온과 저압에 의해 열역학적으로 구동되는 운동, 질량 전달 및 탈착 공정이 포함됩니다.
이러한 조건은 시스템의 깁스 자유 에너지가 가장 낮은 값에 도달하여 고체가 형성되도록 합니다.
CVD 공정의 높은 온도는 부품의 변형과 재료 구조의 변화를 일으킬 수 있습니다.
이는 잠재적으로 기판 재료의 기계적 특성을 감소시키고 기판과 코팅 사이의 결합을 약화시킬 수 있습니다.
이러한 제한은 기판의 선택과 증착된 층의 품질에 영향을 미칩니다.
이러한 문제를 완화하기 위해 저온 및 고진공 CVD 공정의 개발이 중요한 초점이 되고 있습니다.
CVD에서 온도 제어는 세라믹 코팅의 증착 속도와 미세 구조에 영향을 미치기 때문에 매우 중요합니다.
예를 들어 낮은 온도에서는 동역학 제어가 선호되는 반면, 높은 온도에서는 확산 제어가 더 효과적입니다.
CVD에서 코팅 증착을 위한 일반적인 온도 범위는 900°C에서 1400°C 사이입니다.
챔버 온도, 전구체 순도 및 유속을 조정하여 코팅의 특성을 부분적으로 제어할 수 있습니다.
CVD 공정은 일반적으로 반응 가스가 시스템에 지속적으로 공급되고 반응 부산물이 배출되는 연속 루프 방식입니다.
이러한 공정의 온도는 일반적으로 관련된 특정 재료와 반응에 따라 500°C에서 1100°C까지 다양합니다.
요약하면, CVD 공정은 주로 900°C에서 2000°C 사이의 고온에서 작동하여 고체 물질을 기판에 증착하는 데 필요한 화학 반응을 촉진합니다.
하지만 고온으로 인해 재료 변형과 구조적 변화가 발생할 수 있어 저온 및 고진공 대안에 대한 연구가 진행되고 있습니다.
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