화학 기상 증착(CVD)은 고품질의 고성능 고체 물질을 생산하는 데 사용되는 공정으로, 일반적으로 진공 조건에서 기체 전구체의 반응을 포함합니다. 이 공정은 주로 반도체, 태양광 패널 및 기타 재료와 같은 다양한 기판에 박막과 코팅을 증착하는 데 사용됩니다.
이 공정은 진공 조건에서 유지되는 반응 챔버에 휘발성 전구체를 도입하는 것으로 시작됩니다. 이러한 전구체는 특정 반응 온도까지 가열되어 반응하거나 분해되어 원하는 코팅 물질을 형성합니다. 그런 다음 이 물질은 기판 표면에 결합하여 시간이 지남에 따라 고르게 쌓입니다.
CVD 공정에는 표준 CVD, 플라즈마 강화 화학 기상 증착(PECVD), 유도 결합 플라즈마 화학 기상 증착(ICPCVD) 등 여러 가지 유형이 있습니다. 이러한 각 방법에는 증착되는 재료의 특정 요구 사항에 따라 고유한 장점과 응용 분야가 있습니다.
표준 CVD는 다양한 구성과 두께의 다양한 필름을 증착하기 위해 잘 정립된 기술입니다. 반면 PECVD는 플라즈마를 사용하여 화학 반응을 향상시켜 고품질 패시베이션 레이어 또는 고밀도 마스크를 증착할 수 있습니다. ICPCVD는 고밀도 플라즈마를 얻기 위해 유도 결합 플라즈마 소스를 사용하여 더 낮은 온도에서 고품질 필름을 증착할 수 있습니다.
요약하면, 화학 기상 증착은 다양한 기판에 고품질의 박막과 코팅을 증착하는 데 널리 사용되는 다목적 공정입니다. 반응 조건과 전구체를 신중하게 제어함으로써 금속, 반도체, 유전체 등 다양한 재료를 생산할 수 있도록 CVD를 맞춤형으로 조정할 수 있습니다.
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