지식 마그네트론(주)의 스퍼터링 공정은 무엇입니까? 박막 증착 가이드
작성자 아바타

기술팀 · Kintek Solution

업데이트됨 1 month ago

마그네트론(주)의 스퍼터링 공정은 무엇입니까? 박막 증착 가이드

마그네트론 스퍼터링 공정은 자기장과 플라즈마 환경을 사용하여 타겟에서 기판으로 물질을 분사하는 널리 사용되는 박막 증착 기술입니다.이 공정은 진공 챔버에 불활성 가스(일반적으로 아르곤)를 도입하는 것으로 시작됩니다.고전압을 가하여 플라즈마를 생성하면 아르곤 가스가 이온화됩니다.그런 다음 양전하를 띤 아르곤 이온이 음전하를 띤 대상 물질에 끌어당겨 원자가 대상에서 방출됩니다.이렇게 방출된 원자는 진공을 통과하여 기판 위에 증착되어 박막을 형성합니다.이 공정은 자기장을 생성하여 전자를 가두고 이온 생성의 효율을 높이는 자석에 의해 향상됩니다.이 방법은 매우 다재다능하고 다양한 재료와 호환되며 높은 증착률을 제공합니다.

핵심 사항을 설명합니다:

마그네트론(주)의 스퍼터링 공정은 무엇입니까? 박막 증착 가이드
  1. 불활성 가스 소개:

    • 이 공정은 진공 챔버에 불활성 가스(일반적으로 아르곤)를 도입하는 것으로 시작됩니다.이 가스는 스퍼터링에 필요한 플라즈마를 생성하는 데 필수적입니다.아르곤은 화학적으로 불활성이며 인가된 전압에서 쉽게 이온화되기 때문에 선택됩니다.
  2. 플라즈마 생성:

    • 시스템에 고전압이 가해져 표적의 자기장 근처에 기체 플라즈마가 생성됩니다.이 플라즈마는 아르곤 가스 원자, 아르곤 이온 및 자유 전자로 구성됩니다.플라즈마는 대상 물질에 충격을 가할 이온을 생성하는 데 매우 중요합니다.
  3. 이온 폭격 및 스퍼터링:

    • 양전하를 띤 아르곤 이온은 음전하를 띤 표적 물질에 끌립니다.이 이온이 표적과 충돌하면 표적 표면에서 원자를 방출합니다.이 과정을 스퍼터링이라고 합니다.그런 다음 방출된 원자는 진공 챔버를 자유롭게 이동합니다.
  4. 자기장 강화:

    • 음극/타겟 뒤에 영구 자석 세트를 배치하여 자기장을 생성합니다.이 자기장은 타겟 근처의 전자를 가두어 이온 생성의 효율을 높이고 스퍼터링 공정을 향상시킵니다.자기장은 또한 하전 입자의 속도와 방향을 제어하는 데 도움이 됩니다.
  5. 기판에 증착:

    • 대상에서 방출된 원자는 진공을 통해 이동하여 기판 표면에 증착됩니다.이 증착은 기판에 박막을 형성합니다.기판은 일반적으로 균일한 코팅을 위해 증착 챔버 내의 홀더에 배치됩니다.
  6. 마그네트론 스퍼터링의 장점:

    • 높은 예치율:자기장은 플라즈마의 밀도를 증가시켜 다른 스퍼터링 방식에 비해 증착 속도를 높입니다.
    • 재료 다양성:마그네트론 스퍼터링은 금속, 합금, 화합물 등 다양한 재료와 호환됩니다.재료를 녹이거나 증발시키지 않고도 증착할 수 있습니다.
    • 유지된 구성:이 공정을 통해 화합물과 합금의 원래 조성을 유지하면서 증착할 수 있으며, 이는 정밀한 재료 특성이 필요한 응용 분야에 매우 중요합니다.
  7. 역사적 맥락과 진화:

    • 스퍼터링은 1850년대에 처음 관찰되었지만 1940년대에 다이오드 스퍼터링을 통해 상업적으로 활용되기 시작했습니다.그러나 다이오드 스퍼터링은 낮은 증착률과 높은 비용 등의 한계가 있었습니다.1974년 마그네트론 스퍼터링이 개선된 대안으로 도입되어 더 높은 증착률과 더 광범위한 응용 분야를 제공했습니다.
  8. 시스템의 주요 구성 요소:

    • 기판 홀더:증착 공정 중에 기판을 제자리에 고정합니다.
    • 로드 잠금 챔버:메인 챔버의 진공을 깨지 않고 기판을 도입 및 제거할 수 있습니다.
    • 증착 챔버:스퍼터링 공정이 이루어지는 메인 챔버입니다.
    • 타겟 재료가 있는 스퍼터 건:입금할 재료의 출처입니다.
    • 강력한 자석:공정에 필요한 자기장을 생성합니다.
    • 아르곤 가스 흐름 시스템:챔버로 아르곤 가스의 흐름을 도입하고 제어합니다.
    • 고전압 DC 전원:플라즈마를 시작하고 유지합니다.

이러한 핵심 사항을 이해하면 마그네트론 스퍼터링 공정의 복잡성과 효율성을 이해할 수 있으므로 다양한 산업 및 연구 응용 분야에서 박막 증착에 선호되는 방법입니다.

요약 표:

주요 측면 설명
불활성 가스 아르곤 가스를 진공 챔버에 도입하여 플라즈마를 생성합니다.
플라즈마 생성 고전압으로 아르곤 가스를 이온화하여 이온 폭격을 위한 플라즈마를 생성합니다.
이온 폭격 아르곤 이온이 표적과 충돌하여 증착을 위해 원자를 방출합니다.
자기장 자석이 전자를 가두어 이온 생성 및 스퍼터링 효율을 향상시킵니다.
증착 방출된 원자가 기판에 증착되어 얇은 막을 형성합니다.
장점 높은 증착률, 재료의 다양성 및 유지된 조성.
주요 구성 요소 기판 홀더, 로드 락 챔버, 스퍼터 건, 자석, 아르곤 흐름 시스템.

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